The high fluxes of ionized material

The high fluxes of ionized material available in HiPIMS have been found to allow for control of the phase formation in both elemental and compound films.One example is the control of the phase composition in Ta films. In this case, tailoring of the phase formation is achieved by controlling the magnitude of the internal stresses.
This process is particularly efficient in HiPIMS discharges owing to the degree of ionization of the Ta vapor of up to 70%.Ta forms both a low resistivity body-
centered cubic crystal structure (also known as the a phase) at elevated temperatures and a metastable high resistivity tetragonal phase (b-Ta) at room temperatures.
The abundance of Ta+ ions in the deposition flux during the HiPIMS deposition of Ta films implies a more efficient momentum transfer to the growing surface.
This is in contrast to the growth by DCMS,where the majority of the ions in the deposition flux consists of the much lighter Ar+ions. HiPIMS thus provides tools for better influencing the internal stresses of the growing Ta films and accordingly the possibility to deposit a-Ta films at room temperature (Fig. 7).
12

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พบ fluxes สูงของ ionized วัสดุที่มีอยู่ใน HiPIMS ให้สำหรับการควบคุมการก่อตัวระยะในธาตุ และผสม filmsตัวอย่างหนึ่งคือ การควบคุมองค์ประกอบขั้นตอนใน films ตา ปรับปรุงของการก่อตัวระยะสามารถทำได้ โดยการควบคุมขนาดของความเครียดภายในในกรณีนี้
กระบวนการนี้คือ efficient โดยเฉพาะอย่างยิ่งใน HiPIMS discharges เนื่องจากระดับการ ionization ของไอตาถึง 70%ตา รูปแบบทั้งแบบความต้านทานต่ำร่างกาย-
แปลกโครงสร้างผลึกลูกบาศก์ (เรียกอีกอย่างว่าเฟส) ที่อุณหภูมิและความต้านทานสูง metastable tetragonal เฟส (b-ตา) ที่อุณหภูมิห้อง
มายตากันใน flux สะสมในระหว่างสะสม HiPIMS ของ films ตาหมายถึงการถ่ายโอนโมเมนตัม efficient เพิ่มเติมเพื่อการเจริญเติบโตผิว.
นี้จะตรงข้ามกับการเจริญเติบโตโดย DCMS ซึ่งส่วนใหญ่กันใน flux สะสมประกอบด้วยประจุ Ar มากเบาด้วย HiPIMS จึงมีเครื่องมือสำหรับ influencing ดีกว่าเครียดภายใน films ตาเจริญเติบโตและตามความเป็นไปได้ฝากเป็นตา films ที่อุณหภูมิห้อง (Fig. 7) .
12

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

UXES ชั้นสูงของวัสดุที่แตกตัวเป็นไอออนที่มีอยู่ใน HiPIMS ได้พบว่าช่วยให้สามารถควบคุมขั้นตอนของการพัฒนาทั้งในธาตุไฟและสารประกอบตัวอย่าง lms.One การควบคุมขององค์ประกอบขั้นตอนในตา LMS ไฟ ในกรณีนี้การตัดเย็บของการพัฒนาขั้นตอนการจะประสบความสำเร็จโดยการควบคุมขนาดของความเครียดภายใน
กระบวนการนี้โดยเฉพาะอย่างยิ่งเพียงพอไฟ EF ในการปล่อย HiPIMS เนื่องจากระดับของไอออนไนซ์ไอตาของรูปแบบ% ถึง 70 .Ta ทั้งความต้านทานต่ำ ติดตัว
ศูนย์กลางโครงสร้างผลึกลูกบาศก์ (หรือเรียกว่าขั้นตอน) ที่อุณหภูมิสูงและความต้านทานสูง tetragonal ระยะ metastable (ขตา) ที่อุณหภูมิห้อง
อุดมสมบูรณ์ของตา + ไอออนในการสะสมชั้น UX ในช่วง HiPIMS สะสมของตา LMS ไฟหมายถึง การถ่ายโอนโมเมนตัมไฟเพียงพอ EF มากขึ้นไปยังพื้นผิวที่เพิ่มขึ้น
นี้เป็นในทางตรงกันข้ามกับการเจริญเติบโตโดย DCMS ซึ่งส่วนใหญ่ของไอออนในการสะสมชั้น UX ประกอบด้วยเบามาก Ar + ไอออน HiPIMS จึงให้เครื่องมือสำหรับการที่ดีขึ้นในชั้น uencing ความเครียดภายในของการเจริญเติบโตของตา LMS ไฟและตามความเป็นไปได้ที่จะฝากตา LMS ไฟที่อุณหภูมิห้อง (รูปที่ 7.)
12

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สูงfl uxes ของประจุวัสดุที่มีอยู่ใน hipims ได้พบเพื่อให้การควบคุมของขั้นตอนการพัฒนาในทั้งธาตุและสารประกอบ เช่น lms.one จึงมีการควบคุมระยะของตาจึงจัด . ในกรณีนี้ การตัดเย็บของขั้นตอนการพัฒนาได้โดยการควบคุมขนาดของความเครียดภายใน .
ขั้นตอนนี้เป็นการเฉพาะ จึง cient EF ใน hipims ไหลเนื่องจากระดับของไอออไนเซชันของตาไอถึง 70% ทารูปแบบทั้งต่ำความต้านทานร่างกาย -
เป็นศูนย์กลางโครงสร้างผลึกลูกบาศก์ ( เรียกว่าเฟส ) ที่อุณหภูมิสูงและความต้านทานสูงเมตาสเตเบิลเฟสเตตระโกนอล ( b-ta ) ที่อุณหภูมิห้อง
ของมากมายในการfl ux ไอออนทาระหว่างการ hipims ของตาจึง LMS บางมากกว่า EF จึง cient โมเมนตัมการเติบโตผิว .
นี้เป็นในทางตรงกันข้ามกับการเจริญเติบโตโดย dcms ที่ส่วนใหญ่ของไอออนในการfl ux ประกอบด้วยเบามาก AR ไอออนhipims จึงมีเครื่องมือที่ดีในfl uencing ความเครียดภายในของการจัดทาจึงตามและความเป็นไปได้ที่จะฝาก a-ta จึง LMS ที่อุณหภูมิห้อง ( รูปที่ 7 ) .
12