They consist of a ceramic substrate

They consist of a ceramic substrate heated by wire and coated by a metal oxide semiconducting film. The metal oxide coating may be either of the n-type which responds to oxidizing compounds, or of the p-type which responds to reducing compounds (Mielle, 1996). The film deposition technique divides each sensor type into thin (6–1000 nm) or thick (10–300 μm) film MOS sensors. The first one offers a faster response and significantly higher sensitivity but is much more difficult to manufacture in term of reproducibility. Therefore, commercially available MOS sensors often are based on thick film technologies. Due to the high operating temperature (200– 650 °C), the organic volatiles transferred to the surface of the sensors are totally combusted to carbon dioxide and water, leading to the change in the resistance. MOS sensors are extremely sensitive to ethanol which blinds them to any other volatile compound of interest.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประกอบด้วยพื้นผิวเซรามิกร้อน ด้วยลวด และเคลือบฟิล์มโลหะโลหะออกไซด์ การเคลือบโลหะออกไซด์อาจเป็น ชนิด n ซึ่งตอบสนองต่อการออกซิไดซ์สารประกอบ หรือ p-ชนิดที่ตอบสนองต่อการลดสาร (Mielle, 1996) แบ่งเทคนิคสะสมฟิล์มเซ็นเซอร์แต่ละชนิดลงในบาง (6 – 1000 nm) หรือหนา (10-300 ไมครอน) ฟิล์มเซ็นเซอร์ MOS คนแรกที่มีการตอบสนองที่รวดเร็ว และอย่างมีนัยสำคัญความไวสูงแต่เป็นเรื่องยากมากในการผลิตในระยะเวลาการแสดง ดังนั้น เซ็นเซอร์ MOS ที่จำหน่ายทั่วไปมักจะอยู่บนพื้นฐานเทคโนโลยีฟิล์มหนา เนื่องจากการทำงานมีอุณหภูมิสูง (200– 650 ° C), volatiles อินทรีย์ที่โอนย้ายไปที่พื้นผิวของเซ็นเซอร์มีทั้งหมดข้อก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์และน้ำ นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในการต่อต้าน เซ็นเซอร์ MOS มีความไวมากต่อเอทานอลซึ่งผ้าม่านนั้นให้สารประกอบระเหยอื่น ๆ น่าสนใจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พวกเขาประกอบด้วยพื้นผิวเซรามิกความร้อนจากลวดและเคลือบด้วยฟิล์มกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ เคลือบโลหะออกไซด์อาจเป็นได้ทั้งของ N-ประเภทที่ตอบสนองต่อการออกซิไดซ์สารหรือ P-ประเภทที่ตอบสนองต่อสารลด (Mielle, 1996) เทคนิคการสะสมภาพยนตร์แต่ละประเภทแบ่งออกเป็นเซ็นเซอร์บาง (6-1000 นาโนเมตร) หรือหนา (10-300 ไมครอน) ฟิล์มเซ็นเซอร์ MOS คนแรกที่มีการตอบสนองได้เร็วขึ้นและมีความไวสูงขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ แต่เป็นการยากมากที่จะผลิตในระยะเวลาของการทำซ้ำ ดังนั้นเซ็นเซอร์ MOS ใช้ได้ในเชิงพาณิชย์มักจะอยู่บนพื้นฐานของเทคโนโลยีฟิล์มหนา เนื่องจากอุณหภูมิในการทำงานสูง (200- 650 ° C) ของสารระเหยอินทรีย์โอนไปยังพื้นผิวของเซ็นเซอร์ที่มีการเผาไหม้ทั้งหมดคาร์บอนไดออกไซด์และน้ำที่นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในความต้านทาน เซ็นเซอร์ MOS เป็นอย่างมากที่มีความไวต่อเอทานอลที่พวกเขาไปยังผ้าม่านสารระเหยอื่น ๆ ที่น่าสนใจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พวกเขาประกอบด้วยพื้นผิวเซรามิกความร้อนจากลวดที่เคลือบด้วยออกไซด์ของโลหะกึ่งตัวนำฟิล์ม ออกไซด์เคลือบโลหะอาจเป็นอย่างใดอย่างหนึ่งของทั่วไปที่ตอบสนองต่อสารออกซิไดซ์ หรือ ของพี ซึ่งตอบสนองการลดสารประกอบ ( mielle , 1996 ) เทคนิคการเคลือบฟิล์มเซ็นเซอร์แต่ละประเภทแบ่งเป็นเส้นเล็กๆ ( 6 – 1000 nm ) หรือหนา ( 10 – 300 μ M ) มอส ฟิล์ม เซ็นเซอร์ แรกมีการตอบสนองได้เร็วขึ้นและสูงขึ้น ความไว แต่เป็นการยากมากที่จะผลิตในรูปของคาร์บอน ดังนั้น อาด MOS เซ็นเซอร์มักจะใช้เทคโนโลยีฟิล์มหนา เนื่องจากอุณหภูมิสูงสูง ( 200 – 650 ° C ) , สารระเหยอินทรีย์โอนไปยังพื้นผิวของเซ็นเซอร์ก็เผาให้ก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ และน้ำ สู่การเปลี่ยนแปลงในการต้านทาน MOS เซ็นเซอร์ บอบบางมาก เอทานอล ซึ่งผ้าม่านให้ใด ๆอื่น ๆระเหยสารประกอบที่น่าสนใจ