With the voltage cycle increasing,

With the voltage cycle increasing, the influence of
accumulated surface charges produced in the former halfcycle
on the location of discharge occurring in the latter halfcycle
was reduced. When the cycle of applied voltage
increased to 500 ms (as Figure 8), the coincidence rate of
hetero-discharge location before and after voltage zerocrossing
point became smaller. Besides, the coincidence
phenomenon of homo-discharge location during negative halfcycle
was observed (as Figure 8e), but the similar situation
during positive half-cycle did not appear. As voltage cycle
increased to 2000 ms (as Figure 9), the coincidence rate of
hetero-discharge location was further reduced, and the
coincidence phenomenon of homo-discharge location during
negative half-cycle appeared more frequently. There was still
no coincidence phenomenon of homo-discharge location
during positive half-cycle.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กับแรงดันไฟฟ้าวงจรที่เพิ่มขึ้น อิทธิพลของสะสม surface ชาร์จผลิตใน halfcycle อดีตในสถานที่ของการปล่อยเกิดขึ้นใน halfcycle หลังลดลง เมื่อรอบของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้เพิ่มถึง 500 ms (เป็นตัวเลข 8), อัตราการบังเอิญปล่อย hetero ตำแหน่งก่อน และ หลังแรงดันไฟฟ้า zerocrossingได้กลายเป็นจุดขนาดเล็ก นอกเหนือจาก บังเอิญปรากฏการณ์ของตุ๊ดปล่อยตั้งระหว่าง halfcycle ลบสังเกต (เป็นรูป 8e), แต่สถานการณ์คล้ายกันระหว่างวงจรบวกครึ่งไม่ปรากฏ เป็นแรงดันไฟฟ้าวงจรเพิ่มเป็น 2000 ms (เป็นทางรูปที่ 9), อัตราการบังเอิญปล่อย hetero สถานเพิ่มเติมลดลง และการปรากฏการณ์บังเอิญของตุ๊ดปล่อยตำแหน่งระหว่างวงจรลบครึ่งปรากฏขึ้นบ่อยครั้ง มันยังมีปรากฏการณ์ไม่บังเอิญของตุ๊ดปล่อยในช่วงครึ่งบวกวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กับรอบแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นอิทธิพลของ
ค่าใช้จ่ายสะสมบนพื้นผิวที่ผลิตใน halfcycle อดีต
สถานที่ตั้งของการปล่อยที่เกิดขึ้นใน halfcycle หลัง
ลดลง เมื่อวงจรของแรงดันไฟฟ้าประยุกต์
เพิ่มขึ้นถึง 500 มิลลิวินาที (ตามรูปที่ 8) อัตราบังเอิญของ
สถานที่แตกต่างมีจำหน่ายก่อนและหลังแรงดัน zerocrossing
จุดกลายเป็นขนาดเล็ก นอกจากนี้บังเอิญ
ปรากฏการณ์ของการตั้งตุ๊ดปล่อยในช่วง halfcycle เชิงลบ
เป็นข้อสังเกต (ดังรูปที่ 8e) แต่สถานการณ์ที่คล้ายกัน
ในช่วงครึ่งบวกวงจรไม่ปรากฏ ในฐานะที่เป็นวงจรแรงดันไฟฟ้า
ที่เพิ่มขึ้นถึง 2000 มิลลิวินาที (ตามรูปที่ 9) อัตราบังเอิญของ
สถานที่แตกต่างมีจำหน่ายก็ลดลงและ
ปรากฏการณ์บังเอิญของสถานที่ตั้งตุ๊ดปล่อยในช่วง
เชิงลบครึ่งวงรอบปรากฏบ่อยครั้งมากขึ้น ยังคง
ไม่มีปรากฏการณ์บังเอิญของสถานที่ตั้งตุ๊ดจำหน่าย
ในช่วงครึ่งบวกวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วงจรเพิ่มแรงดันด้วย อิทธิพลของสะสมประจุพื้นผิวที่ผลิตใน halfcycle อดีตเรื่องสถานที่จำหน่าย ที่เกิดขึ้นใน halfcycle หลังมีปริมาณลดลง เมื่อวงจรของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้เพิ่มขึ้น 500 มิลลิวินาที ( ดังรูปที่ 8 ) , บังเอิญอัตราปลดตำแหน่งอื่นก่อนและหลัง zerocrossing แรงดันไฟฟ้าจุดที่น้อยลง นอกจากนี้ บังเอิญปรากฏการณ์ของโฮโมสถานที่จําหน่ายใน halfcycle ลบพบว่า ( ดังรูปที่ 8 ) แต่สถานการณ์คล้ายกันในรอบครึ่งบวกยังไม่ปรากฎ เป็นวงจรแรงดันไฟฟ้าเพิ่ม 2000 MS ( ดังรูปที่ 9 ) , บังเอิญอัตราอื่นที่ตั้งจำหน่ายได้ลดลงและปรากฏการณ์ของโฮโมสถานที่ในระหว่างการบังเอิญรอบครึ่งลบปรากฏบ่อยขึ้น มียังบังเอิญไม่มีปรากฏการณ์ของโฮโม สถานที่จำหน่ายในรอบครึ่งบวก