The rst generation of FRAM is base

The rst generation of FRAM is based on a destructive reading scheme, where a bit can be read when a positive switching voltage is applied to the memory cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รุ่น rst ของ FRAM เป็นไปตามแบบแผนทำลายอ่าน ที่บิตสามารถอ่านเมื่อใช้แรงดันสลับตัวกับเซลล์หน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รุ่นแรกของ FRAM จะขึ้นอยู่กับรูปแบบการอ่านการทำลายล้างที่บิตสามารถอ่านได้เมื่อมีแรงดันไฟฟ้าสลับบวกถูกนำไปใช้มือถือหน่วยความจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วันแรกรุ่นของเฟรมตามโครงการอ่านทำลายล้างที่บิตสามารถอ่านเมื่อแรงดันไฟฟ้าสลับบวกที่ใช้กับหน่วยความจำมือถือ