Since the early 1990s the interest

Since the early 1990s the interest in GaAs has grown in leaps and bounds, and it will eventually take a good share of the development from silicon devices, especially in very large scale integrated circuits. Its high-speed characteristics are in more demand every day, with the added features of low reverse saturation currents, excellent temperature sensitivities, and high breakdown voltages. More than 80% of its applications are in optoelectronics with the development of light-emitting diodes, solar cells, and other photodetector devices, but that will probably change dramatically as its manufacturing costs drop and its use in integrated circuit design continues to grow; perhaps the semiconductor material of the future.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตั้งแต่ช่วงปี 1990 ใน GaAs ได้เติบโตขึ้นไปมาก และในที่สุดจะใช้การใช้ร่วมกันที่ดีของการพัฒนาจากอุปกรณ์ซิลิโคน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในวงจรรวมขนาดใหญ่มาก ลักษณะของความเร็วสูงเป็นที่ต้องการเพิ่มเติมทุกวัน ที่เพิ่มคุณลักษณะของกระแสอิ่มตัวย้อนกลับต่ำ ความไวแสงอุณหภูมิที่ดีเยี่ยม และแรงดันสูงแบ่ง กว่า 80% ของการใช้งานของมันอยู่ในออปโตอิเล็กทรอนิกส์การพัฒนาไดโอดเปล่ง–ไฟ เซลล์แสงอาทิตย์ และอุปกรณ์อื่น ๆ photodetector แต่ที่จะเปลี่ยนอย่างมากเป็นต้นทุนการผลิต ลดลงและการใช้งานในการออกแบบวงจรรวมยังคงเติบโต บางทีการนำวัตถุดิบในอนาคต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตั้งแต่ต้นปี 1990 ที่น่าสนใจใน GaAs ที่มีการเติบโตอย่างก้าวกระโดดและในที่สุดมันก็จะใช้เวลาส่วนแบ่งที่ดีของการพัฒนาจากอุปกรณ์ซิลิกอนโดยเฉพาะอย่างยิ่งในวงจรขนาดแบบบูรณาการที่มีขนาดใหญ่มาก ลักษณะความเร็วสูงของมันอยู่ในความต้องการมากขึ้นทุกวันด้วยการเพิ่มคุณสมบัติต่ำกระแสอิ่มตัวกลับความไวอุณหภูมิที่ดีเยี่ยมและความล้มเหลวสูงแรงดันไฟฟ้า มากกว่า 80% ของการใช้งานของมันอยู่ในใยแก้วนำแสงกับการพัฒนาของไดโอดเปล่งแสงเซลล์แสงอาทิตย์และอุปกรณ์ photodetector อื่น ๆ แต่ที่อาจจะมีการเปลี่ยนแปลงอย่างมากเป็นต้นทุนการผลิตที่ลดลงและการใช้งานในการออกแบบวงจรรวมยังคงเติบโต; บางทีอาจจะเป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ในอนาคต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตั้งแต่ช่วงต้นทศวรรษ 1990 ที่ความสนใจในนี้มีการเติบโตใน leaps และขอบเขต และในที่สุดก็จะใช้ร่วมกันที่ดีของการพัฒนาจากอุปกรณ์ซิลิคอน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในขนาดใหญ่มากแบบรวมวงจร ลักษณะของความเร็วสูงมีความต้องการทุกวัน ด้วยการเพิ่มคุณสมบัติของกระแสอิ่มตัวย้อนกลับต่ำ , อุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้าณยอดเยี่ยม รายละเอียดสูง มากกว่า 80% ของการใช้งานของมันมีคุณภาพกับการพัฒนาไดโอดเปล่งแสง , เซลล์แสงอาทิตย์และอุปกรณ์โฟโตดีเทกเตอร์ อื่น ๆ , แต่ที่อาจจะเปลี่ยนไปอย่างมาก เช่น ต้นทุนการผลิตลดลง และใช้ในการออกแบบวงจรรวมยังคงเติบโต ; บางทีสารกึ่งตัวนำวัสดุแห่งอนาคต