The sample is placed in the reactio

The sample is placed in the reaction chamber and
the chamber is evacuated.
Process gas(es) are flowed into the chamber to
sustain pressures from 300 to 1500 mTorr.
The process gas is subjected to a MHz-range RF
electromagnetic field, creating plasma at near
ambient temperature.
The type of interaction between the plasma and the
sample surface depends on parameters such as the
intensity and frequency of the RF power used to
excite the plasma, the type of gas(es) that are
ionized, the pressure and flow rate of the gas(es),
the sample surface material, and the duration of the
plasma process.
Detailed guidance on plasma processing may be
found in the subsequent PLASMA PROCESSING
sections of this manual.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างจะอยู่ในห้องปฏิกิริยาและ
ห้องอพยพ.
ก๊าซกระบวนการ (e) จะไหลเข้ามาในห้องเพื่อรักษาแรงกดดัน
300-1500 mtorr.
ก๊าซกระบวนการอยู่ภายใต้การ RF-ช่วง MHz
แม่เหล็กไฟฟ้า ด้านการสร้างพลาสม่าที่ใกล้อุณหภูมิ
.
ประเภทของการปฏิสัมพันธ์ระหว่างพลาสม่าและ
ผิวหน้าของตัวอย่างขึ้นอยู่กับพารามิเตอร์เช่น
ความเข้มและความถี่ของการใช้พลังงาน RF ที่ใช้ในการปลุกระดม
พลาสม่าชนิดของก๊าซ (e) ท​​ี่แตกตัวเป็นไอออน
ความดันและอัตราของก๊าซ (e) ไหล
วัสดุพื้นผิวตัวอย่างและระยะเวลาของ
กระบวนการพลาสมา.
คำแนะนำรายละเอียดเกี่ยวกับการประมวลผลพลาสม่าอาจจะ
พบในพลาสม่าในการประมวลผลที่ตามมา
ส่วนของคู่มือนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างอยู่ในห้องปฏิกิริยา และ
อพยพหอการค้า
gas(es) กระบวนการเกิดขึ้นในหอการ
รักษาความดันจาก 300 ถึง 1500 mTorr.
ก๊าซกระบวนการขึ้นอยู่ RF MHz ช่วง
สนามแม่เหล็กฟิลด์ สร้างพลาสม่าที่ใกล้
สภาวะอุณหภูมิ
ชนิดของปฏิสัมพันธ์ระหว่างสม่าและ
พื้นผิวตัวอย่างขึ้นอยู่กับพารามิเตอร์เช่น
ความเข้มและความถี่ของพลังงาน RF ใช้
กระตุ้นจอพลาสม่า ชนิดของ gas(es) ที่
ionized อัตราแรงดันและกระแสของก๊าซ (es),
ตัวอย่างวัสดุพื้นผิว และระยะเวลาของการ
กระบวนการพลาสมาได้
คำแนะนำในการประมวลผลพลาสม่าอาจ
พบในดำเนินพลาสมาภายหลัง
ส่วนของคู่มือนี้ได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างที่มีอยู่ในการตอบสนองที่ช่องเก็บเศษหนวดและช่องเก็บเศษหนวด
ซึ่งจะช่วยให้อพยพทั้ง.
กระบวนการก๊าซ(สเปน)จะไหลเข้าไปในช่องเก็บเศษหนวดใน
ซึ่งจะช่วยรักษาแรงกดดันจาก 300 ถึง 1500 mtorr .
กระบวนการก๊าซต้องมีการให้ MHz ช่วงคลื่นวิทยุ( RF )
คลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า,การสร้างพลาสม่าที่อยู่ใกล้กับ
อุณหภูมิ แวดล้อม.
ประเภท ของการปฏิสัมพันธ์ระหว่างที่พลาสมาและที่
ตัวอย่างพื้นผิวขึ้นอยู่กับพารามิเตอร์เช่น
ความถี่และความเข้มของพลังงาน RF ที่ใช้ในการ
ซึ่งจะช่วยกระตุ้นให้เกิดพลาสมาให้พิมพ์ของก๊าซ(สเปน)ที่มีประจุไอออนเพื่อคืน
ซึ่งจะช่วยอัตราการไหลของน้ำและความดันของก๊าซ( ES )
วัสดุพื้นผิวตัวอย่างและระยะเวลาของกระบวนการ
จอพลาสม่าที่.
คำแนะนำโดยละเอียดในการประมวลผลจอพลาสม่าอาจ
พบพลาสมาในการประมวลผลที่
ซึ่งจะช่วยในส่วนของคู่มือนี้