Forundoped ZnO, an absorption edge

For
undoped ZnO, an absorption edge rising steeply about 380 nm,
whereas Sn–ZnO films exhibit red shift of absorption edge and significant
enhancement of light absorption in the range from 400 nm
to 600 nm with increasing Sn content in ZnO films (Fig. 10).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับundoped ZnO ขอบดูดซึมเพิ่มขึ้นอย่างสูงประมาณ 380 nmในขณะที่ฟิล์ม Sn – ZnO แสดงกะสีแดง ของขอบดูดซึม และที่สำคัญเพิ่มประสิทธิภาพของการดูดซับแสงในช่วงจาก 400 nm600 nm มีการเพิ่มเนื้อหา Sn ในฟิล์ม ZnO (Fig. 10)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับ
โคบอลต์ซิงค์ออกไซด์, การดูดซึมขอบสูงชันประมาณ 380 นาโนเมตร
ในขณะที่ภาพยนตร์ SN-ZnO แสดงการเปลี่ยนแปลงสีแดงของขอบการดูดซึมและมีความสำคัญ
เพิ่มประสิทธิภาพของการดูดกลืนแสงในช่วงตั้งแต่ 400 นาโนเมตร
ถึง 600 นาโนเมตรที่มีการเพิ่มเนื้อหาในภาพยนตร์ Sn ซิงค์ออกไซด์ (รูปที่. 10 )

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับ
เคมีไฟฟ้า ZnO , การดูดซึมขอบเพิ่มขึ้นสูงชันประมาณ 380 nm ส่วนฟิล์ม ZnO มี SN
( แดงกะของการดูดซึมขอบ และที่สําคัญ
เพิ่มการดูดกลืนแสงในช่วง 400 nm
600 nm ด้วยการเพิ่มปริมาณดีบุกในฟิล์มซิงค์ออกไซด์ ( รูปที่ 10 )