Wurtzite GaN film was grown on c-pl

Wurtzite GaN film was grown on c-plane sapphire substrate by hydrogen vapor phase epitaxy (HVPE) method , GaN nano wires and nanoflowers grown on sapphire substrate were obtainedthrough a simple chemical vapor deposition (CVD) process, asdescribed in our previous work [24]. The phase and purity ofas-grown GaN nanostructures were examined by a Rigaku RINT2000 X-ray powder diffractometer (XRD) with Cu Kradiation,operating at 40 kV and 40 mA. The morphology and composi-tion of GaN samples were characterized by scanning electronmicroscope (SEM INSPECT, F50) attached X-ray diffraction spec-trometer (EDS) and a Dektak XT stylus profiler, respectively. Thesurface resistivity of the GaN film was measured by four-point-probe resistivity measurement system (RTS-9).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Wurtzite GaN ฟิล์มถูกปลูกบนพื้นผิวแซฟไฟร์ c-เครื่องบิน โดยไฮโดรเจนไอเฟส epitaxy (HVPE) วิธี ลวดนาโนกันและ nanoflowers ที่ปลูกบนพื้นผิวที่แซฟไฟร์ obtainedthrough กระบวนการสะสม (CVD) ไอเคมีง่าย asdescribed ในการทำงานก่อนหน้านี้ของเรา [24] ระยะและความบริสุทธิ์โต ofas กัน nanostructures ได้ตรวจเอ็กซเรย์ RINT2000 Rigaku ผง diffractometer (XRD) กับรังสี Cu K ทำงานที่ 40 kV และ 40 mA สัณฐานวิทยาและ composi-ทางการค้ากันอย่างถูกลักษณะแกน electronmicroscope (ตรวจสอบ SEM, F50) แนบกระจายแสงเอกซเรย์สเปค-trometer (EDS) และที่ Dektak XT สไตลัสของผู้สร้างโปรไฟล์ ตามลำดับ ความต้านทาน Thesurface ฟิล์มกันโดยวัดจากระบบวัดสี่จุดวัดความต้านทาน (RTS-9)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ Wurtzite กานถูกปลูกใน C-ระนาบพื้นผิวไพลินไฮโดรเจนไอเฟส epitaxy (HVPE) วิธีกานสายนาโนและ nanoflowers ปลูกบนพื้นผิวไพลินเป็น obtainedthrough ไอสารเคมีง่ายการสะสม (CVD) กระบวนการ asdescribed ในการทำงานของเราก่อนหน้า [24] . ขั้นตอนและความบริสุทธิ์ OFAS ปลูกโครงสร้างนาโนกานถูกตรวจสอบโดย Rigaku RINT2000 X-ray diffractometer ผง (XRD) กับ Cu K? รังสีปฏิบัติการที่ 40 kV และ 40 มิลลิแอมป์ ลักษณะทางสัณฐานวิทยาและ composi-การของกลุ่มตัวอย่างกานโดดเด่นด้วยการสแกน electronmicroscope (SEM ตรวจสอบ F50) ที่แนบมาเอ็กซ์เรย์เลนส์ข้อมูลจำเพาะ trometer (EDS) และสไตลัส Profiler Dektak XT ตามลำดับ ความต้านทานของภาพยนตร์กาน thesurface โดยวัดจากสี่จุดสอบสวนระบบการวัดความต้านทาน (RTS-9)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

wurtzite กานปลูกบนแผ่นฟิล์มโดยไพลิน c-plane ไฮโดรเจนไอเฟสเอพิแทกซี ( hvpe ) วิธีกาน นาโน สายไฟ และ nanoflowers ปลูกบนพื้นผิวเป็นแซฟไฟร์ obtainedthrough เป็น chemical vapor deposition ( CVD ) asdescribed ง่ายกระบวนการในการทำงานของเราก่อนหน้านี้ [ 24 ] ระยะปลูกและความบริสุทธิ์ ofas กานนาโนถูกตรวจสอบโดย rigaku rint2000 เอ็กซ์เรย์ดิฟแฟรกโทมิเตอร์ ( XRD ) กับผงทองแดง kradiation ปฏิบัติการ ที่ 40 กิโลและ MA 40 ทาง composi tion ของกลุ่มตัวอย่างโดยมีลักษณะเฉพาะ electronmicroscope สแกน ( SEM ตรวจสอบ , F50 ) แนบการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์สเป็ค trometer ( EDS ) และ dektak XT สไตลัส Profiler ตามลำดับ โดยความต้านทานของฟิล์มกานได้สี่จุดตรวจสอบระบบการวัดค่าความต้านทาน ( rts-9 )