Fig. 5.13 (a) In a p-type semicondu

Fig. 5.13 (a) In a p-type semiconductor (e.g. Ga-doped Si),
electrical conductivity arises from thermal population of an
acceptor level which leaves vacancies (positive holes) in the
lower band. (b) In an n-type semiconductor (e.g. As-doped
Si), a donor level is close in energy to the conduction band.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(ก) 5.13 มะเดื่อในสารกึ่งตัวนำชนิด p มี (เช่น Ga เจือศรี),การนำไฟฟ้าเกิดจากความร้อนประชากรการระดับให้เป็นผู้รับซึ่งทำให้ตำแหน่งว่าง (หลุมบวก) ในการแถบล่าง (ข) ในสารกึ่งตัวนำชนิด n มี (เช่นเป็นเจือSi), ระดับผู้บริจาคอยู่ใกล้ในพลังงานนำวง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 5.13 (ก) ใน p-สารกึ่งตัวนำชนิด (เช่น Ga เจือ Si),
การนำไฟฟ้าที่เกิดจากความร้อนของประชากร
ระดับใบเสร็จซึ่งใบตำแหน่งงานว่าง (หลุมบวก) ใน
วงที่ต่ำกว่า (ข) ในการให้ N-สารกึ่งตัวนำชนิด (เช่นเป็นเจือ
Si) ซึ่งเป็นระดับที่ผู้บริจาคอยู่ใกล้ในการใช้พลังงานเพื่อการนำวงดนตรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 5.13 ( พี ) ในสารกึ่งตัวนำ ( เช่นกา เจือศรี )การนำไฟฟ้าที่เกิดจากประชากรของความร้อนตําแหน่งงานว่างพระนาสิกระดับที่ใบ ( หลุมบวก ) ในวงล่าง ( ข ) ในทั่วไป ( เช่น จากที่มีสารจังหวัด ) , ผู้บริจาคระดับปิดในพลังงานที่จะนำวงดนตรี .