Series resistance is determined by

Series resistance is determined by contacts and bulk resistances
whereas shunt resistance by defects and traps in a solar cell.
From a graphical representation of IeV curves shown in Fig. 2,
a series resistance (RS) is a slope of the dark IeV curve in the first quadrant,
a shunt resistance (Rsh) is a slope at near-zero voltage,
the internal dynamic resistance (Rd) is a slope at of the IeV curve
(dark and illumination) at an operating point. In addition,
the external dynamic resistance is the ratio of the voltage and current at
terminals of a solar cell, and, therefore, is equal to series resistance
in series with the internal dynamic resistance [12].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชุดความต้านทานจะถูกกำหนด โดยรายชื่อและความต้านทานจำนวนมากในขณะที่ shunt โดยกับดักและข้อบกพร่องในเซลล์แสงอาทิตย์ จากภาพแสดงการ IeV กราฟแสดงในรูป 2 ชุดความต้านทาน (RS) เป็นทางลาดชันโค้ง IeV มืดใน quadrant แรกความต้านทานแบ่ง (Rsh) เป็นทางลาดชันที่แรงดันใกล้ศูนย์ ความต้านทานแบบไดนามิกภายใน (Rd) เป็นทางลาดชันที่โค้ง IeV (มืดและสว่าง) การทำงานจุดนี้ นอกจากนี้ ความต้านทานแบบไดนามิกภายนอกคือ อัตราส่วนของแรงดัน และกระแสที่ขั้วของเซลล์แสงอาทิตย์ และ ดังนั้น เท่ากับความต้านทานชุดในชุดมีความต้านทานแบบไดนามิกภายใน [12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต้านทานชุดจะถูกกำหนดโดยรายชื่อและความต้านทานจำนวนมาก
ในขณะที่ความต้านทานแบ่งจากข้อบกพร่องและกับดักในเซลล์แสงอาทิตย์
จากการแสดงกราฟิกของเส้นโค้ง IEV แสดงในรูป 2
ความต้านทานชุด (RS) เป็นความลาดเอียงของที่มืด IEV โค้งในด้านแรก
ความต้านทาน shunt (Rsh) เป็นความลาดชันที่ใกล้ศูนย์แรงดันไฟฟ้า
ความต้านทานแบบไดนามิกภายใน (ถ) เป็นความลาดชันที่ของ IEV เส้นโค้ง
(มืดและความสว่าง) ที่จุดปฏิบัติการ นอกจากนี้
ความต้านทานแบบไดนามิกภายนอกคืออัตราส่วนของแรงดันและกระแสที่
ขั้วของเซลล์แสงอาทิตย์และดังนั้นจึงมีค่าเท่ากับต้านทานชุด
ในชุดที่มีความต้านทานภายในแบบไดนามิก [12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชุดความต้านทานจะพิจารณาจากรายชื่อและกลุ่มความต้านทานในขณะที่ทำการต้านทานโดยข้อบกพร่องและกับดักในเซลล์แสงอาทิตย์จากการเป็นตัวแทนของ iev เส้นโค้งที่แสดงในรูปที่ 2ชุดความต้านทาน ( R ) คือ ความชันของเส้นโค้ง iev เข้มในส่วนแรกการสับเปลี่ยนต้านทาน ( RSH ) ลาดใกล้ศูนย์แรงดันไฟฟ้าความต้านทานแบบไดนามิกภายใน ( 1 ) มีความชันของเส้นโค้งที่ iev( มืดและแสงสว่าง ) ที่ใช้จุด นอกจากนี้ความต้านทานแบบภายนอก คือ อัตราส่วนของแรงดันและกระแสที่ขั้วของเซลล์แสงอาทิตย์และ ดังนั้น เท่ากับชุดความต้านทานในชุดมีความต้านทานพลวัตภายใน [ 12 ]