information regarding the Cu K˛ emi

information regarding the Cu K˛ emission profile, and the geome-try of the diffractometer. As the developed line-profile is fitted tothe experimental line profile corresponding grain size is estimated.Estimated average crystallite sizes were 6, 14, and 22 nm for mate-rials processed at 900, 1150, and 1400◦C PIP samples, respectively.With increase in pyrolysis temperature from 900 to 1400◦C crys-tallite size increased from 6 to 22 nm. The grain sizes estimatedfrom XRD pattern showed a similar trend as compared to grainsizes estimated from AFM images.In the past, Zunjarrao [24] had used X-ray diffraction (XRD) todetermine the average crystallite size of AHPCS derived SiC to be ∼4and 5–7 nm for materials processed at 1150 and 1400◦C, respec-tively. Grain sizes determined by Zunjarrao et al. are smaller thangrain sizes estimated in the current study. This difference is possi-bly due to the fact that SiC powder used for XRD by Zunjarrao et al.went through one pyrolysis cycle as opposed to 8 cycle used in thecurrent study that can lead to grain growth due to longer durationexposure to higher temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ข้อมูลเกี่ยวกับโพรไฟล์การปล่อย Cu K˛ และลอง geome ของการ diffractometer เป็นบรรทัดโพรไฟล์พัฒนาติดตั้งเพื่อ ทดลองบรรทัดโพรไฟล์ที่สอดคล้องกันขนาดเม็ดประมาณ ประมาณเฉลี่ย crystallite ขนาดได้ 6, 14 และ 22 nm สำหรับคู่ rials 900, 1150 และตัว อย่าง 1400◦C PIP ตามลำดับ เพิ่มขึ้นในการไพโรไลซิ อุณหภูมิจาก 900 1400◦C tallite ให้ขนาดที่เพิ่มขึ้นจาก 6 เป็น 22 nm ลายขนาด estimatedfrom XRD พบว่ามีแนวโน้มที่คล้ายกันเมื่อเทียบกับ grainsizes ที่ประเมินจากภาพ AFM ในอดีต Zunjarrao [24] ได้ใช้การเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ (XRD) todetermine ขนาดเฉลี่ยผลึกของ AHPCS มา SiC จะ ∼4and 5 – 7 nm สำหรับวัสดุการประมวลผลที่ 1150 และ 1400◦C, respec tively เม็ดขนาดที่กำหนดโดย Zunjarrao et al.มี thangrain ที่มีขนาดเล็กประมาณการในการศึกษาปัจจุบัน ความแตกต่างนี้เป็น possi ขอเนื่องจากข้อเท็จจริงที่ว่าผง SiC ใช้สำหรับ XRD โดย Zunjarrao et al.went ผ่านไพโรไลซิหนึ่งรอบเป็น 8 รอบใช้ในศึกษา thecurrent ที่สามารถนำไปสู่การเติบโตเนื่องจาก durationexposure ยาวอุณหภูมิสูง ต้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ข้อมูลเกี่ยวกับรายละเอียดการปล่อยลูกบาศ์ก K และ GeoMe-ลองของ diffractometer ในฐานะที่เป็นสายการพัฒนารายละเอียดการติดตั้งสาย tothe รายละเอียดการทดลองขนาดของเมล็ดข้าวที่สอดคล้องกันจะ estimated.Estimated ขนาดผลึกเฉลี่ย 6, 14, และ 22 นาโนเมตรสำหรับคู่-rials ประมวลผลที่ 900, 1150 และตัวอย่าง1400◦C PIP, respectively.With เพิ่มขึ้นของอุณหภูมิไพโรไลซิจาก 900 1400◦Cขนาด crys-tallite เพิ่มขึ้น 6-22 นาโนเมตร ขนาดเม็ด estimatedfrom รูปแบบ XRD พบว่ามีแนวโน้มที่คล้ายกันเมื่อเทียบกับ grainsizes ประมาณจาก AFM images.In ที่ผ่านมา Zunjarrao [24] ได้ใช้ X-ray การเลี้ยวเบน (XRD) todetermine ผลึกขนาดเฉลี่ยของ AHPCS มา SIC ที่จะเป็น ~4and 5 -7 นาโนเมตรสำหรับวัสดุการประมวลผล 1150 และ1400◦C, respec-ลำดับ ขนาดข้าวกำหนดโดย Zunjarrao et al, มีขนาดเล็ก thangrain ขนาดประมาณในการศึกษาในปัจจุบัน ความแตกต่างนี้เป็น possi-bly เนื่องจากความจริงที่ว่าผง SiC ใช้สำหรับ XRD โดย Zunjarrao et al.went ผ่านวงจรไพโรไลซิหนึ่งเมื่อเทียบกับ 8 รอบใช้ในการศึกษา thecurrent ที่สามารถนำไปสู่​​การเจริญเติบโตของข้าวเนื่องจาก durationexposure อีกต่อไปกับอุณหภูมิที่สูงขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ข้อมูลเกี่ยวกับ Cu K ˛ปล่อยรายละเอียดและ geome พยายามของดิฟแฟรกโทมิเตอร์ . เป็นการพัฒนาสายงานเป็นสายงานที่เกี่ยวข้องเพื่อทดลองติดตั้งเม็ดขนาดประมาณ ที่มีขนาดเฉลี่ยประมาณ 6 , 14 และ 22 nm สำหรับคู่เรียลการประมวลผลที่ 900 , 1150 , และ 1 , 400 ◦ C จุดตามลำดับ กับเพิ่มอุณหภูมิไพโรไลซิสจาก 900 1400 ◦ C เสื้อขนาด tallite เพิ่มขึ้นจาก 6 22 นาโนเมตร ขนาดเม็ด estimatedfrom XRD พบว่าแนวโน้มรูปแบบคล้ายคลึงกัน เมื่อเปรียบเทียบกับ grainsizes โดยประมาณจาก AFM ภาพในอดีต zunjarrao [ 24 ] ได้ใช้การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ ( ค่าเฉลี่ยของขนาดผลึก ahpcs ได้มา SiC ที่จะ∼ 4 และ 5 – 7 nm สำหรับวัสดุแปรรูปที่ 1150 และ 1400 ◦ C respec มี . เม็ดขนาดกำหนดโดย zunjarrao et al . มีขนาดเล็ก thangrain ขนาดประมาณในการศึกษาปัจจุบัน ความแตกต่างนี้จะ possi บลายเนื่องจาก SiC ผงที่ใช้สำหรับวิเคราะห์โดย zunjarrao et al.went ผ่านวงจรแยกเป็นนอกคอก 8 วงจรที่ใช้ในปัจจุบันศึกษาที่สามารถนำไปสู่การเจริญเติบโตเนื่องจากยาว durationexposure สูงกว่าอุณหภูมิเมล็ดข้าว