XRD pattern of the as synthesized g

XRD pattern of the as synthesized grass-like GaN nanostructures
deposited on the silicon substrate has been depicted in Fig. 1. All of
the diffraction peaks in the pattern can be indexed to wurtzite GaN
with lattice parameters a=3.184Å and c=5.186Å which are in
good agreement with the JCPDS Card (No.076-0703). No other

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปแบบ XRD ของสังเคราะห์เช่นหญ้าเป็นโครงสร้างนาโนกาน
วางลงบนพื้นผิวซิลิกอนที่ได้รับการปรากฎในรูป 1. ทุก
ยอดการเลี้ยวเบนในรูปแบบที่สามารถจัดทำดัชนี wurtzite กาน
กับพารามิเตอร์ตาข่าย = 3.184Åและ c = 5.186Åที่อยู่ใน
ข้อตกลงที่ดีกับบัตร JCPDS (No.076-0703) ไม่มีอื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วิเคราะห์รูปแบบของที่มีหญ้าเหมือนกาน นาโน
ฝากไว้บนซิลิคอนได้ถูกอธิบายในรูปที่ 1 ทั้งหมดของ
การเลี้ยวเบนหุบในรูปแบบที่สามารถสร้างดัชนีเพื่อ wurtzite กาน
กับพารามิเตอร์ = 3.184 กริพเพนและ C = 5.186 กริพเพนซึ่งอยู่ใน
ดีข้อตกลงกับ jcpds บัตรแลตทิซ ( no.076-0703 ) ไม่มีอื่น ๆ