are currently based upon NAND-type

are currently based upon NAND-type flash memory which uses the “tunnel” effect to modify the electronic state of transistor cells

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขณะนี้ได้ยึดตามชนิดของ NAND แฟลชหน่วยความจำซึ่งใช้ผล "อุโมงค์" เพื่อปรับเปลี่ยนสถานะอิเล็กทรอนิกส์ของทรานซิสเตอร์เซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จะขึ้นอยู่ในขณะนี้เมื่อหน่วยความจำแฟลช NAND ชนิดที่ใช้ "อุโมงค์" ผลที่จะแก้ไขรัฐอิเล็กทรอนิกส์ของเซลล์ทรานซิสเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ยังขึ้นอยู่กับชนิดและหน่วยความจำแฟลชซึ่งใช้ " อุโมงค์ " ผลในการปรับเปลี่ยนสถานะของทรานซิสเตอร์อิเล็กทรอนิกส์เซลล์