ABSTRACTThis paper describes the ar

ABSTRACT

This paper describes the architecture and physical design of the

AMD Bobcat x86 microprocessor core-C6 (CC6) sleep state.

Each core and dedicated 512KB L2 cache use control flows to

save and restore the x86 architectural state in concert with a

network of PFET sleep transistors that drive an internal voltage

domain. Measured results show an approximate 92% reduction in

leakage power at the cost of 1-3% die area with a 31μs restore

latency. Each core and L2 cache pair use 98cm of total

transistor width in a TSMC 40nm bulk CMOS process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อเอกสารนี้อธิบายถึงสถาปัตยกรรมและการออกแบบทางกายภาพ แมว AMD x 86 หน่วยประมวลผลหลัก-C6 (CC6) สถานะ sleep แต่ละหลักและการทุ่มเท 512KB L2 แคชใช้ควบคุมกระแส บันทึก และเรียกคืนสถาปัตยกรรม x 86 รัฐในคอนเสิร์ตด้วยการ เครือข่ายของ transistors สลี PFET ที่ขับแรงดันภายใน โดเมน วัดผลลัพธ์แสดงการลดลง 92% โดยประมาณใน ไฟรั่วค่าพื้นที่ตาย 1-3% พร้อมคืนค่า 31μs เวลาแฝง แต่ละหลักและการใช้คู่ของแคช L2 98 ซม.รวมความกว้างของทรานซิสเตอร์จำนวนมาก TSMC 40nm CMOS กระบวนการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่องานวิจัยนี้อธิบายถึงสถาปัตยกรรมและการออกแบบทางกายภาพของเอเอ็มดีBobcat ไมโครโปรเซสเซอร์ x86 แกน C6 (CC6) นอนหลับรัฐ. แต่ละหลักและทุ่มเท 512KB L2 กระแสการควบคุมการใช้แคชที่จะบันทึกและเรียกคืนสถานะสถาปัตยกรรมx86 ในคอนเสิร์ตที่มีเครือข่ายของการนอนหลับPFET ทรานซิสเตอร์ที่ผลักดันแรงดันภายในโดเมน ผลการวัดแสดงการลดลงประมาณ 92% ในอำนาจการรั่วไหลของค่าใช้จ่ายของ1-3% พื้นที่ตายที่มีการเรียกคืน31μsแฝง แต่ละหลักและ L2 ใช้คู่แคช 98cm จากทั้งหมดกว้างทรานซิสเตอร์ในกลุ่ม40nm TSMC กระบวนการ CMOS

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม

บทความนี้อธิบายถึงสถาปัตยกรรมและการออกแบบทางกายภาพของแคท

AMD x86 ไมโครโปรเซสเซอร์ core-c6 ( นอน cc6 ) รัฐ

แต่ละแกน และทุ่มเท 512kb L2 แคชใช้ควบคุมกระแส

บันทึกและเรียกคืน x86 สถาปัตยกรรมของรัฐในคอนเสิร์ตด้วย

เครือข่าย pfet นอนทรานซิสเตอร์ที่ขับแรงดันภายใน

โดเมน แสดงผลการวัดประมาณ 92 % ลด

การรั่วไหลของพลังงานที่ค่าใช้จ่ายของ 1-3% ตายพื้นที่มี 31 μ S คืน

แฝงอยู่ แต่ละหลักและ L2 แคชคู่ใช้ 98cm รวม

ทรานซิสเตอร์ความกว้างใน TSMC 40nm ซึ่งเป็นกลุ่มกระบวนการ