With increasing ambient temperature

With increasing ambient temperature the time to thermal
breakdown in the studied n-p-n ESD protection structures
shortens in a step-wise way. At temperatures up to 100 ◦C the
device fails at one of the device ends. At a specific transition
temperature (TB→C) the time to TB is shortened by one CF
round trip time (transition of mode B to C, see Table I). For even
higher ambient temperatures up to 180 ◦C the failure mode at
device end (mode C) changes to a mode where the TB occurs at
the initial position of CF (mode D). The transition temperatures
decrease with current increase, which indicates that the thermal
breakdown can be induced either by increasing ambient temperature
or by increasing current. By measuring failure current
as a function of device width (transition of mode A to B) and
using thermal simulations we have confirmed that the device
end preheating by CF and the increase in ambient temperature

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิเวลาความร้อนแบ่งโครงสร้างการป้องกัน ESD n-p-n ศึกษาช่วยประหยัดในทาง step-wise ที่อุณหภูมิ 100 ◦C จนถึงการอุปกรณ์ล้มเหลวที่ปลายอุปกรณ์อย่างใดอย่างหนึ่ง ในการเปลี่ยนแปลงเฉพาะอุณหภูมิ (TB→C) เวลา TB จะสั้นลง โดยหนึ่ง CFเวลาไป-กลับ (เปลี่ยนโหมด B ถึง C ดูตารางฉัน) สำหรับแม้อุณหภูมิสูงถึง 180 ◦C ความล้มเหลวที่อุปกรณ์สิ้นสุด (โหมด C) เปลี่ยนแปลงไปยังโหมดที่ TB ที่เกิดขึ้นที่ตำแหน่งเริ่มต้นของ CF (โหมด D) อุณหภูมิการเปลี่ยนสถานะลดความร้อนเพิ่มขึ้นปัจจุบัน ซึ่งบ่งชี้ว่าแบ่งสามารถเกิดได้อย่างใดอย่างหนึ่งโดยเพิ่มอุณหภูมิหรือ โดยการเพิ่มปัจจุบัน โดยการวัดความล้มเหลวในปัจจุบันเป็นฟังก์ชันของความกว้างของอุปกรณ์ (เปลี่ยนโหมด A ไปยัง B) และโดยใช้แบบจำลองความร้อนเรามียืนยันว่า อุปกรณ์สิ้นสุดที่อุ่น โดย CF และอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิโดยรอบเวลาในการระบายความร้อน
สลายในโครงสร้างป้องกัน ESD NPN ศึกษา
น้อยลงในขั้นตอนวิธีการที่ชาญฉลาด ที่อุณหภูมิสูงถึง 100 ◦C
อุปกรณ์ล้มเหลวที่หนึ่งของอุปกรณ์ปลาย ที่มีการเปลี่ยนแปลงเฉพาะ
อุณหภูมิ (TB → C) เวลาที่จะวัณโรคจะสั้นลงโดยหนึ่ง CF
เวลาเดินทางรอบ (การเปลี่ยนแปลงของโหมด B ไป C, ดูตาราง I) แม้
อุณหภูมิสูงถึง 180 ◦Cโหมดความล้มเหลวที่
สิ้นสุดอุปกรณ์ (โหมด C) การเปลี่ยนแปลงไปยังโหมดที่วัณโรคเกิดขึ้นที่
ตำแหน่งเริ่มต้นของ CF (โหมด D) การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ
ลดลงเพิ่มขึ้นในปัจจุบันซึ่งบ่งชี้ว่าความร้อน
สลายสามารถชักนำทั้งโดยการเพิ่มอุณหภูมิ
หรือโดยการเพิ่มขึ้นในปัจจุบัน โดยการวัดความล้มเหลวในปัจจุบัน
เป็นหน้าที่ของความกว้างของอุปกรณ์ (การเปลี่ยนแปลงของโหมด A ไป B) และ
ใช้แบบจำลองการระบายความร้อนที่เราได้รับการยืนยันว่าอุปกรณ์
อุ่นปลาย CF และการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพิ่มอุณหภูมิความร้อนอุณหภูมิเวลาการใช้ n-p-n ESD ป้องกันโครงสร้างลดลงในขั้นปัญญาทาง ที่อุณหภูมิสูงถึง 100 ◦ Cอุปกรณ์ล้มเหลวที่ปลายอุปกรณ์ ที่เปลี่ยนเฉพาะอุณหภูมิ ( TB → keyboard - key - name c ) เวลา TB จะสั้นไปหนึ่งโฆษณารอบเวลาเดินทาง ( เปลี่ยนโหมด B กับ C , เห็นโต๊ะผม ) สำหรับแม้แต่โดยอุณหภูมิที่สูงถึง 180 ◦ c ความล้มเหลวโหมดที่ท้ายเครื่อง ( โหมด C ) จะเปลี่ยนเป็นโหมดที่ไม่เกิดขึ้นที่ตำแหน่งเริ่มต้นของ CF ( โหมด D ) การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิลดอัตราปัจจุบัน ซึ่งพบว่า ความร้อนรายละเอียด สามารถชักนำให้โดยการเพิ่มอุณหภูมิของอากาศหรือโดยการเพิ่มกระแส โดยการวัดความล้มเหลวในปัจจุบันเป็นฟังก์ชันของความกว้างของอุปกรณ์ ( เปลี่ยนโหมด A ไป B ) และการใช้แบบจำลองทางเราขอยืนยันว่า อุปกรณ์สิ้นสุดการอุ่นด้วยโฆษณา และการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิของอากาศ