As we have seen majority carriers (

As we have seen majority carriers (electrons in n-type material holes in p-type) are the main players in a conventional semiconductor diode By initial diffusion across the p-n junction they set up a depletion layer and create a potential barrier Forward-biasing the diode reduces the height of the barrier marking it easier for them to cross the junction and produce substantial current in reverse bias the barrier increases and current flow is severely inhibited Diode action is principally due to the behaviour of majority carriers under the influence of an applied external voltage

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราได้เห็นสายการบินส่วนใหญ่ (อิเล็กตรอนในรูวัสดุชนิด n ชนิด p) เป็นผู้เล่นหลักในไดโอดเป็นสารกึ่งตัวนำทั่วไปโดยเริ่มต้นกระจายทั่วหัวต่อ p-n ตั้งค่าเชิงชั้น และสร้างการป้องกันการส่งต่อให้น้ำหนักกับไดโอดลดความสูงของเครื่องหมายง่ายสำหรับพวกเขาจะข้ามแยก และผลิตพบกระแสย้อนกลับรุนแรงเพิ่มอุปสรรคอุปสรรค และกระแสที่ไหลจะกระทำไดโอดยับยั้งรุนแรง เป็นหลักการ พฤติกรรมของผู้ให้บริการส่วนใหญ่ภายใต้อิทธิพลของแรงภายนอกที่ใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่เราได้เห็นผู้ให้บริการส่วนใหญ่ (อิเล็กตรอนใน N-ประเภทหลุมวัสดุที่ใช้ใน P-พิมพ์) เป็นผู้เล่นหลักในไดโอดสารกึ่งตัวนำแบบเดิมโดยการแพร่เริ่มต้นข้ามทางแยก PN ที่พวกเขาตั้งค่าชั้นพร่องและสร้างอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นไปข้างหน้าผลิตให้ ไดโอดลดความสูงของกำแพงเครื่องหมายมันง่ายขึ้นสำหรับพวกเขาที่จะข้ามทางแยกและผลิตในปัจจุบันอย่างมากในอคติกลับเพิ่มขึ้นอุปสรรคและการไหลของกระแสรุนแรงก​​ระทำ Diode ยับยั้งเป็นหลักเนื่องจากพฤติกรรมของผู้ให้บริการส่วนใหญ่อยู่ภายใต้อิทธิพลของที่ใช้ภายนอก แรงดันไฟฟ้า