The PbS quantum dot sensitized sola

The PbS quantum dot sensitized solar cells were prepared on 3-mercaptoproponic acid (MPA) anchored mesoporous TiO2 films by a successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) process and the fabricated PbS q-dots were passivated by deposition of a CdS layer. In SILAR process, MPA solution was mixed with sulfide precursor solution and used it in every SILAR cycle for rapid conversion of Pb and Cd into their respective sulfides form. Performances of surface passivated and non-passivated PbS q-dot solar cells were compared where solar cells fabricated with q-dots of PbS, PbS/CdS, CdS showed best efficiencies (η) of 1.0, 5.7, 0.9% with current densities (Jsc) of 10.1, 22.8, 2.7 mA cm
2 and open circuit voltages (Voc) of 280, 501, 498 mV respectively. The enhanced efficiency of PbS/CdS q-dot solar cell was mainly due to increase in Jsc and Voc compared to PbS q-dot solar cells. The outstanding performance of PbS/CdS sensitized solar cell was found to be due to reduction of trap states in PbS particle by the surface
passivation effect of CdS q-dots and the surface passivation effect of CdS in PbS/CdS sensitized solar cell is reported by EIS and voltage decay investigations.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซลล์แสงอาทิตย์ของจุดครีมควอนตัม PbS มีเตรียมในกรด 3-mercaptoproponic (MPA) ตัวยึดฟิล์ม TiO2 โดยการดูดซับไอออนชั้นต่อ ๆ มา และกระบวนการของปฏิกิริยา (SILAR) และ PbS ประดิษฐ์ที่จุด q ได้ passivated โดยสะสมของชั้นซีดี ในกระบวนการ SILAR, MPA โซลูชันถูกผสมด้วยซัลไฟด์สารตั้งต้น และใช้ในทุกวงจร SILAR สำหรับแปลงอย่างรวดเร็วของ Pb และ Cd ลงในแบบฟอร์มของซัลไฟด์ตามลำดับ แสดงพื้น passivated และเซลล์แสงอาทิตย์จุด q PbS ที่ passivated ไม่ถูกเมื่อเทียบกับที่เซลล์แสงอาทิตย์ที่ประดิษฐ์ มีจุด q ของ PbS, PbS/ซี ดี ซีดีแสดงให้เห็นว่าดีที่สุดประสิทธิภาพ (η) 1.0, 5.7, 0.9% มีความหนาแน่นของกระแส (Jsc) 10.1, 22.8, 2.7 mA ซม. 2 และเปิดวงจรแรงดันไฟฟ้า (Voc) จาก 280, 501, 498 mV ตามลำดับ การเพิ่มประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์จุด q PbS/ซี ดีถูกเนื่องจาก Jsc และ Voc เพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับเซลล์แสงอาทิตย์ที่จุด q PbS ประสิทธิภาพที่โดดเด่นของ PbS/ซี ครีมอาทิตย์พบจะเนื่องจากการลดลงของอเมริกากับดักใน PbS อนุภาค โดยพื้นผิวผลทู่ซีดี q-จุดและผลฟิล์มพื้นผิวของซีดีในเครื่องผมที่บอบบางอาทิตย์รายงาน EIS และแรงดันไฟฟ้าซีดี PbS สลายตัวสอบสวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พีบีเอสจุดควอนตัมของเซลล์ที่ถูกจัดทำขึ้น 3 mercaptoproponic Acid (MPA) ทอดสมอภาพยนตร์ TiO2 เมโดยการดูดซับไอออนิกชั้นต่อเนื่องและปฏิกิริยากระบวนการ (SILAR) และประดิษฐ์พีบีเอส Q-จุดถูก passivated จากการทับถมของชั้นซีดี ในกระบวนการ SILAR, การแก้ปัญหา MPA ผสมกับการแก้ปัญหาสารตั้งต้นซัลไฟด์และใช้มันในทุกวงจร SILAR สำหรับการแปลงอย่างรวดเร็วของตะกั่วและแคดเมียมซัลไฟด์ในรูปแบบของตน การแสดงของพื้นผิว passivated และไม่ passivated พีบีเอส Q-dot เซลล์แสงอาทิตย์ที่ได้มาเปรียบเทียบที่เซลล์แสงอาทิตย์ประดิษฐ์กับ Q-จุดพีบีเอสพีบีเอสซีดี / ซีดีแสดงให้เห็นประสิทธิภาพที่ดีที่สุด (η) 1.0, 5.7, 0.9% และมีความหนาแน่นในปัจจุบัน (JSC ) 10.1, 22.8, 2.7 mA ซม. 2 และแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (VOC) ของ 280, 501, 498 mV ตามลำดับ ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นของซีดี / เซลล์แสงอาทิตย์พีบีเอส Q-dot สาเหตุหลักมาจากการเพิ่มขึ้นใน Jsc และ Voc เทียบพีบีเอส Q-dot เซลล์แสงอาทิตย์ ผลการดำเนินงานที่โดดเด่นของซีดี / เซลล์แสงอาทิตย์พีบีเอสไวก็พบว่าจะเกิดจากการลดลงของกับดักรัฐที่อยู่ในพีบีเอสอนุภาคโดยพื้นผิว
ผลทู่ซีดี Q-จุดและผลทู่พื้นผิวของแผ่นซีดีในพีบีเอสซีดี / ไวเซลล์แสงอาทิตย์มีรายงานโดย EIS และแรงดันไฟฟ้าการตรวจสอบการสลายตัว