In the case of blends the ρv has va

In the case of blends the ρv has values in between that of natural
rubber and chitosan. As the concentration of chitosan increases in
the blend the ρv value decreases. The increase in resistivity may be
due to the enhancement in interfacial interaction between the two
phases and reduction in polarity in the blends during vulcanization
and MA treatment. The decrease in resistivity upon heating is
observed. chitosan exhibits high dielectric constant, especially at
lower frequencies. With increase in frequency at first the interfacial
contribution vanishes followed by orientation polarization, which in
turn reduces the dielectric constant at higher frequencies. The
orientation polarization requires more time compared to electronic
and atomic polarization to reach static field value. Therefore, at
lower frequency region, the orientation polarization decreases with
increase in frequency compared to electronic and atomic polarizations.
The interfacial polarization generally occurs at much lower
frequencies. The blend NR85CS15 shows the least frequency
dependent and more stable. Above 20% chitosan in the blend, the
dielectric constant increased, which can be attributed to the change
in overall polarity of the system with the addition of chitosan. The
cross-linked structure will avoid increase in free volume resulting in
stable dielectric properties. The dielectric constant decreases by
vulcanization and it is more stable than pure blend at lower
frequencies. The vulcanized NR90CS10 blend is more stable than MA
compatibilized NR90CS10 and the vulcanized blend is frequency
independent at lower frequencies. The dielectric loss increases with
chitosan content. The magnitude of dielectric loss is minimum for
natural rubber and maximum for chitosan. As the chitosan content
increases, more dipoles are incorporated into the system that leads
to a lag in the orientation of the dipoles upon the application of
electric field. The dielectric loss decreases by the vulcanization and
compatibilization of the blend. The AC conductivity study shows the
vulcanized material sample becomes more insulative compared to
pure and MA treated blends.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกรณีที่ผสม ρv มีค่าระหว่างที่ธรรมชาติยางและไคโตซาน เป็นความเข้มข้นของไคโตซานที่เพิ่มขึ้นในผสมผสานค่า ρv ลดลง อาจจะเพิ่มขึ้นในความต้านทานไฟฟ้าเนื่องจากในการโต้ตอบแรงระหว่างสองขั้นตอนและลดขั้วในการผสมระหว่างการหลอมและการรักษา MA เป็นการลดความต้านทานไฟฟ้าเมื่อเครื่องทำความร้อนปฏิบัติ ไคโตซานคงเป็นฉนวนที่สูง การจัดแสดงนิทรรศการโดยเฉพาะความถี่ที่ต่ำ เพิ่มในความถี่ที่แรกที่ interfacialส่วนหายไปตามแนวโพลาไรซ์ ด้วยซึ่งในเลี้ยวลดคงเป็นฉนวนที่ความถี่สูง การโพลาไรซ์แนวต้องใช้เวลามากเมื่อเทียบกับอิเล็กทรอนิกส์และการโพลาไรซ์อะตอมถึงค่าของเขตข้อมูลแบบคง ดังนั้น ที่ภาคความถี่ล่าง การโพลาไรซ์แนวลดลงด้วยเพิ่มขึ้นในความถี่เมื่อเทียบกับ polarizations อิเล็กทรอนิกส์ และอะตอมโพลาไรซ์แรงมักเกิดขึ้นที่ต่ำมากความถี่ การผสมผสาน NR85CS15 แสดงความถี่ที่น้อยที่สุดขึ้น และมีเสถียรภาพมาก ด้านบน 20% ไคโตซานในผสมผสาน การเพิ่มขึ้นคงเป็นฉนวน ซึ่งสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงในขั้วของระบบโดยรวมของไคโตซาน การโครงสร้างครอสลิงค์ที่จะหลีกเลี่ยงในฟรีปริมาณเพิ่มขึ้นคุณสมบัติเป็นฉนวนที่มีเสถียรภาพ ลดค่าคงเป็นฉนวนโดยหลอมและมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่าบริสุทธิ์ผสมที่ต่ำความถี่ การผสมผสาน NR90CS10 บอกระดับมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่า MAcompatibilized NR90CS10 และตัวบอกระดับความถี่อิสระที่ความถี่ต่ำ การสูญเสียอิเล็กทริกเพิ่มด้วยเนื้อหาไคโตซาน ขนาดของขาดเป็นฉนวนเป็นขั้นต่ำสำหรับยางธรรมชาติและสูงสุดสำหรับไคโตซาน เป็นเนื้อหาไคโตซานเพิ่มขึ้น dipoles เพิ่มเติมจะรวมอยู่ในระบบที่นำไปการล่าช้าในการวางแนวของ dipoles ตามการประยุกต์ใช้สนามไฟฟ้า ลดการสูญเสียอิเล็กทริก โดยการหลอม และcompatibilization ของการผสมผสาน การนำไฟฟ้า AC ศึกษาแสดงการตัวอย่างวัสดุบอกระดับกลายเป็น insulative มากขึ้นเมื่อเทียบกับบริสุทธิ์ และรับการรักษามาผสมกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกรณีของการผสมρvมีค่าในระหว่างที่ธรรมชาติ
ยางและไคโตซาน เป็นความเข้มข้นของไคโตซานที่เพิ่มขึ้นใน
การผสมผสานค่าρvลดลง การเพิ่มขึ้นของความต้านทานอาจจะ
เนื่องมาจากการเพิ่มประสิทธิภาพในการปฏิสัมพันธ์ interfacial ระหว่างทั้งสอง
ขั้นตอนและลดลงในขั้วในการผสมระหว่างการหลอมโลหะ
และการรักษาแมสซาชูเซต การลดลงของความต้านทานความร้อนจะถูก
ตั้งข้อสังเกต ไคโตซานการจัดแสดงนิทรรศการอย่างต่อเนื่องเป็นฉนวนสูงโดยเฉพาะที่
ความถี่ต่ำ ด้วยการเพิ่มความถี่ในตอนแรก interfacial
ผลงานหายตามด้วยโพลาไรซ์ปฐมนิเทศซึ่ง
จะช่วยลดค่าคงที่อิเล็กทริกที่ความถี่สูง
โพลาไรซ์ปฐมนิเทศต้องใช้เวลามากขึ้นเมื่อเทียบกับอิเล็กทรอนิกส์
โพลาไรซ์และอะตอมไปถึงค่าของฟิลด์แบบคงที่ ดังนั้นใน
ภูมิภาคความถี่ต่ำ, โพลาไรซ์ปฐมนิเทศลดลงด้วย
การเพิ่มความถี่ในการเปรียบเทียบกับ polarizations อิเล็กทรอนิกส์และอะตอม.
โพลาไรซ์ interfacial มักเกิดขึ้นที่ต่ำกว่ามาก
ความถี่ NR85CS15 ผสมผสานแสดงความถี่น้อย
ขึ้นและมีเสถียรภาพมากขึ้น ดังกล่าวข้างต้นไคโตซาน 20% ในการผสมผสานที่
ฉนวนคงเพิ่มขึ้นซึ่งสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลง
ในกระแสไฟฟ้าโดยรวมของระบบด้วยนอกเหนือจากไคโตซาน
โครงสร้าง cross-linked จะหลีกเลี่ยงการเพิ่มขึ้นของปริมาณฟรีผลใน
คุณสมบัติเป็นฉนวนที่มีเสถียรภาพ อิเล็กทริกคงที่ลดลงโดย
การหลอมโลหะและมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่าการผสมผสานบริสุทธิ์ที่ต่ำกว่า
ความถี่ ผสมผสาน NR90CS10 วัลคาไนมีเสถียรภาพมากขึ้นกว่า MA
compatibilized NR90CS10 และผสมผสานวัลคาไนความถี่
อิสระที่ความถี่ต่ำ การเพิ่มขึ้นของการสูญเสียอิเล็กทริกที่มี
เนื้อหาไคโตซาน ขนาดของการสูญเสียอิเล็กทริกเป็นขั้นต่ำสำหรับ
ยางธรรมชาติและสูงสุดสำหรับไคโตซาน ในฐานะที่เป็นเนื้อหาไคโตซาน
เพิ่มขึ้นไดโพลมากขึ้นจะรวมอยู่ในระบบที่นำไปสู่
​​การล่าช้าในการวางแนวของไดโพลได้อีกเมื่อแอพลิเคชันของ
สนามไฟฟ้า การสูญเสียอิเล็กทริกลดลงโดยการหลอมโลหะและ
compatibilization ของการผสมผสาน การศึกษาการนำ AC แสดง
ตัวอย่างวัสดุวัลคาไนกลายเป็นฉนวนขึ้นเมื่อเทียบกับ
การผสมบริสุทธิ์และปริญญาโทได้รับการรักษา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกรณีของการผสมρ V มีค่าระหว่างธรรมชาติยาง และ ไคโตซาน เมื่อความเข้มข้นของไคโตซานในเพิ่มขึ้นการผสมผสานρ V มีค่าลดลง เพิ่มความต้านทานอาจจะเนื่องจากการเพิ่มประสิทธิภาพในการปฏิสัมพันธ์ระหว่างระหว่างสองขั้นตอนและการผสมระหว่างขั้วในการหลอมโลหะและมารักษา การลดลงของความต้านทานต่อความร้อนคือสังเกต ไคโตซานมาเป็นฉนวนสูงอย่างต่อเนื่อง โดยเฉพาะอย่างยิ่งความถี่ต่ำ กับการเพิ่มขึ้นในความถี่ที่ผิวหน้าแรกบริจาคหายไปตามแนวโพลาไรเซชัน ซึ่งในจะช่วยลดค่าไดอิเล็กทริกที่ความถี่สูง ที่โพลาไรซ์ปฐมนิเทศต้องใช้เวลามากขึ้นเมื่อเทียบกับอิเล็กทรอนิกส์และอะตอม โพลาไรเซชันถึงค่าของเขตข้อมูลที่คงที่ ดังนั้น ที่ความถี่ต่ำกว่าภูมิภาค ระดับการลดลงด้วยถี่ขึ้น เมื่อเทียบกับ polarizations อิเล็กทรอนิกส์และอะตอมโพลาไรซ์ ( โดยทั่วไปเกิดขึ้นที่ลดลงมากความถี่ การผสมผสาน nr85cs15 แสดงความถี่น้อยขึ้น และมีเสถียรภาพมากขึ้น ไคโตซานสูงกว่า 20% ในการผสมผสานที่ไดอิเล็กทริกคงที่เพิ่มขึ้น ซึ่งสามารถบันทึกการเปลี่ยนแปลงในขั้วโดยรวมของระบบ ด้วยการเพิ่มของไคโตซาน ที่โครงสร้าง cross-linked จะหลีกเลี่ยงการเพิ่มปริมาณผลฟรีสมบัติไดอิเล็กทริกที่มีเสถียรภาพ สมบัติไดอิเล็กทริกคงที่ลดลงโดยการหลอมโลหะ และมีเสถียรภาพมากกว่าบริสุทธิ์ผสมผสานที่ลดลงความถี่ ส่วนยาง nr90cs10 ผสมผสานมากขึ้น กว่า มาcompatibilized nr90cs10 และวัลคาไนซ์ผสมผสานคือ ความถี่อิสระที่ความถี่ต่ำ สมบัติไดอิเล็กทริก ขาดทุนเพิ่มขึ้นไคโตซาน ) ขนาดของการสูญเสียไดอิเล็กทริกคือต่ำสุดยางธรรมชาติและสูงสุดของไคโตซาน เนื้อหาเป็นไคโตซานเพิ่มคู่อิเลคตรอนเพิ่มเติมจะรวมอยู่ในระบบที่นำถึงความล่าช้าในการวางแนวของคู่อิเลคตรอนบน ใบสมัครสนามไฟฟ้า การสูญเสียไดอิเล็กทริกลดลงจากการหลอมโลหะและพอลิเมอร์ผสมผสม การศึกษาการนำ AC แสดงยางตัวอย่างวัสดุกลายเป็น insulative มากกว่าบริสุทธิ์และมารักษาแบบผสม