Fig. 1c, d, and e represents the 0.

Fig. 1c, d, and e represents the 0.1%, 0.3% and 0.5% incorporated ZnO in chi- tosan matrix in which the N H bonded to the O H vibration shifted
towards lower frequency from 3600 cm−1 to 3569 cm−1 , 3540 cm−1
and 3330 cm−1 , respectively, which is due to the reaction between
the amine group in the chitosan and the metal oxide and the 0.5% incorporated ZnO film was found to be the best film due to the better reaction

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 1 c, d และ e แทน ZnO 0.1%, 0.3% และ 0.5% เรทในชี tosan เมตริกซ์ N H ซึ่งพันธะกับ O H สั่นสะเทือนเปลี่ยนต่อความถี่ต่ำจาก 3600 cm−1 เพื่อ cm−1 3569, 3540 cm−1และ 3330 cm−1 ตามลำดับ เนื่องจากปฏิกิริยาระหว่างพบกลุ่ม amine ไคโตซาน และสารโลหะออกไซด์ และ film ZnO 0.5% รวมเป็น film ดีที่สุดเนื่องจากปฏิกิริยาดีกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 1c, D, และ e หมายถึง 0.1%, 0.3% และ 0.5% รวมอยู่ในเมทริกซ์ซิงค์ออกไซด์ chi- Tosan ที่ NH ผูกมัดกับการสั่นสะเทือน OH ขยับ
ต่อความถี่ลดลงจาก 3600 เซนติเมตร-1-3569 เซนติเมตร-1, 3540 ซม 1
และ 3330 เซนติเมตร-1 ตามลำดับซึ่งเป็นผลมาจากปฏิกิริยาระหว่าง
กลุ่มเอมีนในไคโตซานและโลหะออกไซด์และ 0.5% รวมอยู่ ZnO Fi LM ถูกพบว่าเป็นลูเมนไฟที่ดีที่สุดเนื่องจากปฏิกิริยาที่ดีขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูป c , D , และ E แทน 0.1% , 0.3% และ 0.5% ไค tosan รวมซิงค์ออกไซด์ในเมทริกซ์ที่ N H ถูกผูกมัดกับ O H การสั่นสะเทือนเลื่อน
ต่อความถี่ต่ำจาก 3600 cm − 1 3569 cm − 1 , − 1
0 ซม. และ 3330 cm − 1 ตามลำดับ ซึ่งเกิดจากปฏิกิริยาระหว่าง
กลุ่มเอมีนในไคโตซานและโลหะออกไซด์และ 05% รวมสังกะสีจึง LM พบเป็นดีที่สุดจึง LM เนื่องจากปฏิกิริยา
ดีกว่า