TiO2 films have been deposited at 3

TiO2 films have been deposited at 300 degrees C for 1000 (51 nm in thickness) or 3000 (161 nm in thickness) deposition cycles onto glass and Si substrates

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

TiO2 ฟิล์มได้รับฝากไว้ที่ 300 องศา C สำหรับ 1000 (51 nm ความหนา) หรือ 3000 (161 nm ความหนา) รอบสะสมลงบนกระจกและพื้นผิวศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ TiO2 ได้รับฝากไว้ที่ 300 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1000 (51 นาโนเมตรหนา) หรือ 3000 (161 นาโนเมตรหนา) รอบการสะสมบนกระจกและพื้นผิวศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์ ) ได้รับเงิน 300 องศา C 1000 ( 51 nm ในหนา ) หรือ 3000 ( 161 nm ในความหนาสะสมรอบลงบนกระจกและพื้นผิว จังหวัด