When two ferromagnetic layers are s

When two ferromagnetic layers are separated by an insulator thin layer, electrical resistance of the multilayer in the perpendicular direction to the film changes depending on the orientations of the magnetizations of ferromagnetic thin layers because of spin dependent electron tunneling between the two ferromagnetic layers. When the directions of the magnetizations of the two ferromagnetic electrodes are the same, the possibility of electron tunneling between the two ferromagnetic electrode through the insulator layer becomes larger, resulting in larger tunneling current. However, if the directions of the magentizations of the two ferromagnetic electrodes are opposite, the electron with opposite spin orientation with respect to the magnetization of the ferromagnetic electrode cannot be tunneled. Then the tunneling electron current become smaller compared to the case for the same directions of the magnetizations. This phenomenon is called tunneling magnetoresistance (TMR), because its value is reaching to 100% at room temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อชั้นสอง ferromagnetic ยอบางชั้นมีฉนวนกันความร้อน ความต้านทานไฟฟ้าของ multilayer ในทิศทางตั้งฉากภาพยนตร์เปลี่ยนตามแนวของ magnetizations ของชั้น ferromagnetic บางเนื่องจากอิเล็กตรอนอิสระหมุนทันเนลระหว่างสองชั้น ferromagnetic เมื่อทิศทางของ magnetizations ของหุงต ferromagnetic ที่สองเหมือนกัน ความเป็นไปได้ของอิเล็กตรอนทันเนลระหว่างอิเล็กโทรด ferromagnetic สองผ่านชั้นฉนวนกันความร้อนกลายเป็นใหญ่ ในปัจจุบันใหญ่กว่าลแบบ tunneling อย่างไรก็ตาม ถ้าทิศทางของ magentizations ของหุงต ferromagnetic ที่สองอยู่ตรงกันข้าม กันไม่มีอิเล็กตรอนกับแนวการหมุนตรงข้ามกับ magnetization ของอิเล็กโทรด ferromagnetic เป็น tunneled ดัง จากนั้น อิเล็กตรอนลแบบ tunneling ที่ปัจจุบันกลายเป็นขนาดเล็กเมื่อเทียบกับกรณีทิศทางเดียวกันของ magnetizations ที่ ปรากฏการณ์นี้เรียกว่าทันเนล magnetoresistance (TMR), เนื่องจากค่าถึง 100% ที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อสองชั้น ferromagnetic จะถูกคั่นด้วยฉนวนชั้นบาง, ความต้านทานไฟฟ้าของหลายในทิศทางที่ตั้งฉากกับการเปลี่ยนแปลงของภาพยนตร์ขึ้นอยู่กับทิศทางของ magnetizations ของชั้นบาง ferromagnetic เพราะสปินของอิเล็กตรอนขึ้นอยู่กับการขุดเจาะอุโมงค์ระหว่างสองชั้น ferromagnetic เมื่อทิศทางของ magnetizations ของสองขั้วไฟฟ้า ferromagnetic จะเหมือนกันเป็นไปได้ของการขุดเจาะอุโมงค์อิเล็กตรอนระหว่างสองขั้ว ferromagnetic ผ่านชั้นฉนวนกันความร้อนที่มีขนาดใหญ่จะกลายเป็นผลในการขุดอุโมงค์ในปัจจุบันมีขนาดใหญ่ แต่ถ้าทิศทางของ magentizations ของสองขั้วไฟฟ้า ferromagnetic อยู่ตรงข้ามอิเล็กตรอนที่มีการวางแนวทางการหมุนตรงข้ามที่เกี่ยวกับการสะกดจิตของอิเล็กโทรด ferromagnetic ไม่สามารถเจาะ จากนั้นอิเล็กตรอนในปัจจุบันกลายเป็นอุโมงค์ที่มีขนาดเล็กเมื่อเทียบกับกรณีสำหรับทิศทางเดียวกันของ magnetizations ปรากฏการณ์นี้เรียกว่าอุโมงค์ magnetoresistance (TMR) เพราะค่าของมันจะถึง 100% ที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อ 2 ชั้นคั่นด้วยฉนวนแข็งเป็นชั้นบาง , ความต้านทานของหลายในทิศทางตั้งฉากกับภาพยนตร์การเปลี่ยนแปลงขึ้นอยู่กับประเภทของ magnetizations ของชั้นบาง ferromagnetic เพราะปั่นขึ้นอุโมงค์อิเล็กตรอนระหว่างสองแข็งชั้นเมื่อทิศทางของ magnetizations ของทั้งสองขั้วแข็งเหมือนกัน เป็นไปได้ของอิเล็กตรอนทันเนลลิ่ง ระหว่างสองขั้วไฟฟ้าฉนวนแข็งผ่านชั้นจะมีขนาดใหญ่ขึ้น ส่งผลให้มีการขุดอุโมงค์ในปัจจุบัน อย่างไรก็ตาม หากทิศทางของ magentizations ของทั้งสองขั้วตรงข้าม ferromagnetic ,อิเล็กตรอนหมุนด้วยความเคารพกับตรงกันข้ามการดึงดูดของขั้วแม่เหล็กเฟร์โรไม่สามารถจะขุดอุโมงค์ . แล้วอุโมงค์กระแสอิเล็กตรอนเป็นขนาดเล็กเมื่อเทียบกับกรณีของทิศทางของ magnetizations . ปรากฏการณ์นี้เรียกว่า magnetoresistance tunneling ( TMR ) เพราะค่าของมันจะถึง 100 % ที่อุณหภูมิห้อง