1. Introduction The demand for tran

1. Introduction
The demand for transparent conducting oxides (TCOs) is increasing rapidly in the field of optoelectronic technology on account of their excellent optical and electrical properties. Tin-doped indium oxide (ITO) has long been regarded as a TCO material, which led to the diverse applications because of its optimal performance. On the other hand, the rarity and the high cost of its prime material indium highlights to explore an excellent new inexpensive material. In this scenario, by doping of appropriate element such as aluminum (Al) in ZnO host lattice, better optical transparency can be achieved in the visible region. Thus, Al-doped ZnO (AZO) behaves like a best alternative TCO candidate for ITO. Considering the relevant capabilities, such as coexistence of high conductivity and excellent optical transparency in the visible region for the AZO material, it is expected to be the most favorable for the fabrication of many optoelectronic devices at moderate doping level of Al with a comparable yield. Owing to these key features, AZO films have taken many applications in diverse fields, such as thin film solar cells [1], photoluminescence [2], thin film transistors [3] and transparent electrodes for organic photovoltaics [4]. Thin films of AZO can be produced by using numerous deposition techniques, including RF sputtering [5], DC sputtering [6], spray plasma technique [7], pulsed laser deposition [8], atomic layer deposition [9], metalorganic chemical vapor deposition [10] and sol-gel spin coating [11] and several studies have been performed to control the crystalline nature and surface morphology. Among these various techniques, RF magnetron sputtering has attracted much special interest at room temperature deposition because of it provides large scale uniformity for industrial production, good adhesion and for preventing the target from poisoning. On the other hand, the film properties mainly depends on the chemical composition, microstructure and surface morphology. The unbalanced RF magnetron sputtering technique has been developed to produce advanced films, i.e., the films with a better microstructure and morphology because of it is most versatile and useful technique for the deposition of high-quality films at room temperatures than so-called conventional RF magnetron sputtering through the extended plasma region by applying of external magnetic field. The applied magnetic field superimposes with the conventional planar RF magnetron configuration during the glow discharge process. The major advantage of unbalanced RF magnetron sputtering is that it could confine the plasma in the vicinity of the substrate. In this context, unbalanced RF magnetron sputtering contributes to the significant changes during film growth on the nature of a film through the variations in the extended plasma characteristics towards the substrate and it also forces the electron movement along the helical path around the extended magnetic field lines with strengthened induced ionization. The induced ionization substantially helps to improve the mechanism of film growth in comparison with the conventional RF magnetron sputtering. Limited attempts have so far been made and reported for ITO [12], AlN [13] and AZO [14,15] thin films with improved structural, electrical and optical properties using the unbalanced magnetron sputtering technique.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1. บทนำ The demand for transparent conducting oxides (TCOs) is increasing rapidly in the field of optoelectronic technology on account of their excellent optical and electrical properties. Tin-doped indium oxide (ITO) has long been regarded as a TCO material, which led to the diverse applications because of its optimal performance. On the other hand, the rarity and the high cost of its prime material indium highlights to explore an excellent new inexpensive material. In this scenario, by doping of appropriate element such as aluminum (Al) in ZnO host lattice, better optical transparency can be achieved in the visible region. Thus, Al-doped ZnO (AZO) behaves like a best alternative TCO candidate for ITO. Considering the relevant capabilities, such as coexistence of high conductivity and excellent optical transparency in the visible region for the AZO material, it is expected to be the most favorable for the fabrication of many optoelectronic devices at moderate doping level of Al with a comparable yield. Owing to these key features, AZO films have taken many applications in diverse fields, such as thin film solar cells [1], photoluminescence [2], thin film transistors [3] and transparent electrodes for organic photovoltaics [4]. Thin films of AZO can be produced by using numerous deposition techniques, including RF sputtering [5], DC sputtering [6], spray plasma technique [7], pulsed laser deposition [8], atomic layer deposition [9], metalorganic chemical vapor deposition [10] and sol-gel spin coating [11] and several studies have been performed to control the crystalline nature and surface morphology. Among these various techniques, RF magnetron sputtering has attracted much special interest at room temperature deposition because of it provides large scale uniformity for industrial production, good adhesion and for preventing the target from poisoning. On the other hand, the film properties mainly depends on the chemical composition, microstructure and surface morphology. The unbalanced RF magnetron sputtering technique has been developed to produce advanced films, i.e., the films with a better microstructure and morphology because of it is most versatile and useful technique for the deposition of high-quality films at room temperatures than so-called conventional RF magnetron sputtering through the extended plasma region by applying of external magnetic field. The applied magnetic field superimposes with the conventional planar RF magnetron configuration during the glow discharge process. The major advantage of unbalanced RF magnetron sputtering is that it could confine the plasma in the vicinity of the substrate. In this context, unbalanced RF magnetron sputtering contributes to the significant changes during film growth on the nature of a film through the variations in the extended plasma characteristics towards the substrate and it also forces the electron movement along the helical path around the extended magnetic field lines with strengthened induced ionization. The induced ionization substantially helps to improve the mechanism of film growth in comparison with the conventional RF magnetron sputtering. Limited attempts have so far been made and reported for ITO [12], AlN [13] and AZO [14,15] thin films with improved structural, electrical and optical properties using the unbalanced magnetron sputtering technique.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำ
ความต้องการสำหรับการดำเนินการโปร่งใสออกไซด์ (TCOs) เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วในด้านเทคโนโลยี optoelectronic ในบัญชีของคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมของพวกเขา ดีบุกเจืออินเดียมออกไซด์ (ITO) ได้รับการยกย่องว่าเป็นวัสดุ TCO ซึ่งนำไปสู่การใช้งานที่หลากหลายเพราะมีประสิทธิภาพสูงสุด บนมืออื่น ๆ ที่หายากและค่าใช้จ่ายสูงของอินเดียมวัสดุนายกไฮไลท์ในการสำรวจวัสดุที่ราคาไม่แพงที่ดีเยี่ยมใหม่ ในสถานการณ์นี้โดยยาสลบขององค์ประกอบที่เหมาะสมเช่นอลูมิเนียม (AL) ใน ZnO โฮสต์ตาข่ายโปร่งใสแสงที่ดีขึ้นสามารถทำได้ในพื้นที่ที่มองเห็น ดังนั้นอัลเจือซิงค์ออกไซด์ (AZO) พฤติกรรมเช่นทางเลือก TCO สมัครที่ดีที่สุดสำหรับ ITO พิจารณาความสามารถที่เกี่ยวข้องเช่นการอยู่ร่วมกันของการนำสูงและความโปร่งใสแสงที่ยอดเยี่ยมในพื้นที่ที่มองเห็นสำหรับวัสดุ AZO มันเป็นที่คาดว่าจะเป็นที่ดีที่สุดสำหรับการผลิตของอุปกรณ์ optoelectronic จำนวนมากในระดับปานกลางของยาสลบอัลมีอัตราผลตอบแทนเทียบเคียง เนื่องจากคุณสมบัติที่สำคัญเหล่านี้ภาพยนตร์ AZO มีการดำเนินการใช้งานจำนวนมากในหลากหลายสาขาเช่นเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง [1], photoluminescence [2] ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง ๆ [3] และขั้วไฟฟ้าโปร่งใสสำหรับระบบไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ [4] ฟิล์มบางของ AZO สามารถผลิตโดยใช้เทคนิคการสะสมจำนวนมากรวมถึง RF สปัตเตอร์ [5] ดีซีสปัตเตอร์ [6] เทคนิคการสเปรย์พลาสม่า [7] สะสมเลเซอร์ชีพจร [8], สะสมชั้นอะตอม [9] ไอสารเคมี metalorganic การสะสม [10] และโซลเจลเคลือบปั่น [11] และการศึกษาหลายแห่งได้รับการดำเนินการควบคุมธรรมชาติผลึกและพื้นผิวลักษณะทางสัณฐานวิทยา ท่ามกลางเทคนิคต่างๆเหล่านี้ RF แมกสปัตเตอร์ได้ดึงดูดความสนใจพิเศษมากที่ทับถมอุณหภูมิห้องเพราะมันให้ความสม่ำเสมอขนาดใหญ่สำหรับการผลิตภาคอุตสาหกรรมและการยึดเกาะที่ดีสำหรับการป้องกันเป้าหมายจากพิษ บนมืออื่น ๆ , คุณสมบัติของฟิล์มส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบทางเคมีจุลภาคและพื้นผิวลักษณะทางสัณฐานวิทยา ไม่สมดุล RF เทคนิคแมกสปัตเตอร์ได้รับการพัฒนาในการผลิตภาพยนตร์ขั้นสูงเช่นภาพยนตร์ที่มีจุลภาคที่ดีขึ้นและสัณฐานเพราะมันเป็นส่วนใหญ่ที่หลากหลายและเทคนิคที่มีประโยชน์สำหรับการสะสมของภาพยนตร์ที่มีคุณภาพสูงที่อุณหภูมิห้องพักกว่าที่เรียกว่าธรรมดา RF แมกนีตรอนสปัตเตอร์ผ่านภูมิภาคพลาสม่าขยายโดยใช้สนามแม่เหล็กภายนอก สนามแม่เหล็กที่ใช้ superimposes กับการกำหนดค่าแมกระนาบ RF ธรรมดาในระหว่างขั้นตอนการปล่อยเรืองแสง ประโยชน์ที่สำคัญของความไม่สมดุลสปัตเตอร์ RF magnetron คือมันอาจ จำกัด พลาสม่าในบริเวณใกล้เคียงของพื้นผิว ในบริบทนี้ไม่สมดุลย์สปัตเตอร์ RF แมกก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในช่วงการเจริญเติบโตของภาพยนตร์เรื่องนี้ในลักษณะของภาพยนตร์ที่ผ่านการเปลี่ยนแปลงในลักษณะพลาสม่าขยายไปสู่พื้นผิวและยังบังคับให้การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนไปตามเส้นทางลานรอบขยายเส้นสนามแม่เหล็ก กับไอออนไนซ์เหนี่ยวนำให้เกิดความเข้มแข็ง ไอออนไนซ์เหนี่ยวนำให้เกิดอย่างมีนัยสำคัญช่วยในการปรับปรุงกลไกของการเจริญเติบโตของภาพยนตร์เรื่องนี้ในการเปรียบเทียบกับสปัตเตอร์ RF แมกธรรมดา พยายาม จำกัด ได้รับการเพื่อให้ห่างไกลและทำรายงาน ITO [12], ALN [13] และ AZO [14,15] ฟิล์มบางที่มีคุณสมบัติโครงสร้างไฟฟ้าและแสงที่ดีขึ้นโดยใช้เทคนิคสปัตเตอร์ไม่สมดุลแมก