Acknowledgments Fig. 11. Initial EQ

Acknowledgments Fig. 11. Initial EQE curves for a-Si:H/mc-Si:H tandem submodules for different NCZnO filling layer thicknesses on a 1.8 mm base layer (B2H6/DEZ¼ 4.2 Á 10 À 4).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตอบ Fig. 11 EQE โค้งสำหรับการเริ่มต้น-Si:H / mc-submodules ตัวตามกันไป Si:H สำหรับบรรจุความหนาของชั้นบนเป็นชั้นฐาน 1.8 มม. (B2H6/DEZ¼ 4.2 Á 10 À 4) NCZnO แตกต่างกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กิตติกรรมประกาศรูป 11. โค้ง EQE เริ่มต้นสำหรับ-Si: H / MC-Si: H submodules ควบคู่สำหรับ NCZnO เติมความหนาแตกต่างกันในชั้น 1.8 มมฐานชั้น (B2H6 / DEZ¼ 4.2 10 A 4)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขอบคุณรูปที่ 11 เส้นโค้ง eqe เริ่มต้นของอะมอร์ฟัสซิลิคอน H / MC ศรี : submodules ตีคู่ H สำหรับ nczno แตกต่างกันชั้นความหนา 1.8 มม. บรรจุในชั้นฐาน ( b2h6 / เดซ¼ 4.2 Á 10 À 4 )