P and n gate voltages are reduced b

P and n gate voltages are reduced by enhancing the carrier mobility of the Si lattice by 10-20%

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

P และ n ประตูแรงดันจะลดลงตามการเพิ่ม mobility บริษัทขนส่งของโครงตาข่ายประกอบศรี 10-20%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

p และ n แรงดันไฟฟ้าที่ประตูจะลดลงโดยการเพิ่มการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการตาข่ายศรีโดย 10-20%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

P และ N ประตูแรงดันจะลดลง โดยการเพิ่มรถขนส่งของจังหวัดโดย 10-20%





แลตทิซ