The experiments and simulations on

The experiments and simulations on the control of the plasma parameters are performed using large diameter electron cyclotron resonance
gas in the mirror magnetic field. The electron
temperature (T
(ECR) plasmas. It is found that the plasma parameters are controlled by diluting with N
e
) decreases down to 40% and the electron density (n
e
2
) increases up to 80%, respectively, that is, a low T
ECR plasma with
high n
e
is realized. Furthermore, the T
control is attempted by changing the spatial profile of the microwave power absorption. It is observed
that T
e
e
decreases with changing the power absorption profile that is achieved by changing the external conditions such as incident microwave
power, magnetic field configuration, and incident microwave frequency. The production mechanism of an ECR plasma with plasma
parameter variable is also discussed.
D 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทดลองและจำลองควบคุมพารามิเตอร์พลาสม่าจะกระทำโดยใช้การสั่นพ้อง cyclotron อิเล็กตรอนเส้นผ่าศูนย์กลางขนาดใหญ่ก๊าซในสนามแม่เหล็กกระจก อิเล็กตรอนอุณหภูมิ (T(ECR) plasmas จะพบว่า พารามิเตอร์ที่พลาสม่าจะถูกควบคุม โดย diluting กับ Nอี) ลดลง 40% และความหนาแน่นอิเล็กตรอน (nอี2) เพิ่มขึ้นถึง 80% ตามลำดับ นั่นคือ การต่ำ Tพลาสม่า ECR ด้วยn สูงอีเป็นที่รับรู้ นอกจากนี้ Tเป็นดำเนินการควบคุม โดยการเปลี่ยนโพรไฟล์ปริภูมิของการดูดซึมพลังงานไมโครเวฟ จะสังเกตที่ Tอีอีลด ด้วยการเปลี่ยนโพรไฟล์การดูดซึมพลังงานที่สามารถทำได้ โดยการเปลี่ยนสภาพภายนอกเช่นไมโครเวฟเหตุการณ์พลังงาน กำหนดค่าสนามแม่เหล็ก และความถี่ไมโครเวฟที่แก้ไขปัญหา กลไกการผลิตของทีวีพลาสม่า ECR กับพลาสม่านอกจากนี้ยังมีการกล่าวถึงตัวแปรพารามิเตอร์D 2004 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

The experiments and simulations on the control of the plasma parameters are performed using large diameter electron cyclotron resonance
gas in the mirror magnetic field. The electron
temperature (T
(ECR) plasmas. It is found that the plasma parameters are controlled by diluting with N
e
) decreases down to 40% and the electron density (n
e
2
) increases up to 80%, respectively, that is, a low T
ECR plasma with
high n
e
is realized. Furthermore, the T
control is attempted by changing the spatial profile of the microwave power absorption. It is observed
that T
e
e
decreases with changing the power absorption profile that is achieved by changing the external conditions such as incident microwave
power, magnetic field configuration, and incident microwave frequency.การผลิตกลไกของพลาสมา ECR กับตัวแปรพลาสมาพารามิเตอร์
ยังกล่าวถึง
D 2004 สามารถนำเสนอสงวนสิทธิ์ทั้งหมด