The wide spread of studied material

The wide spread of studied material has led to some uncertainty in phonon frequencies, especially of the
LO modes. Recently, however, the coupling to plasmons in doped material and stress induced effects due to
lattice mismatch with the substrate could be separated. A1(LO) lies close to Eg in sapphire and has been
confused in Raman experiments. In 2 mm GaN/sapphire (0001) [9] modes are within ± 1 cm-1 to values in
bulk GaN (Table 1):
Table

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กว้างของวัสดุศึกษาได้นำไปสู่ความไม่แน่นอนบางความถี่ phonon โดยเฉพาะของการโหมดต่ำ เมื่อเร็ว ๆ นี้ อย่างไรก็ตาม คลัปไป plasmons ในวัสดุเจือและความเครียดที่เกิดผลกระทบจากการสามารถแยกตรงตาข่ายกับพื้นผิว A1(LO) อยู่ใกล้กับ Eg ในแซฟไฟร์ และได้รับสับสนในการทดลองรามัน ใน 2 มม.ไอแลนด์/ไพลินมีโหมด (0001) [9] ภายใน± 1 ซม.-1 กับค่าในจำนวนมากที่ GaN (ตารางที่ 1):ตาราง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การแพร่กระจายกว้างของวัสดุการศึกษาได้นำไปสู่ความไม่แน่นอนบางอย่างในความถี่ phonon โดยเฉพาะอย่างยิ่งของ
โหมด LO เมื่อเร็ว ๆ นี้อย่างไรก็ตามการมีเพศสัมพันธ์เพื่อ plasmons ในวัสดุเจือและผลกระทบที่เหนี่ยวนำให้เกิดความเครียดเนื่องจากการ
ไม่ตรงกันตาข่ายกับพื้นผิวอาจจะแยกออกจากกัน A1 (LO) อยู่ใกล้กับเช่นในไพลินและได้รับการ
สับสนในการทดลองรามัน 2 มมกาน / ไพลิน (0001) [9] โหมดภายใน± 1 CM-1 กับค่าใน
กานเป็นกลุ่ม (ตารางที่ 1):
ตาราง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การกระจายกว้างของวัสดุการศึกษาได้นำไปสู่ความไม่แน่นอนบางอย่างใน Phonon ความถี่ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในโลโหมด เมื่อเร็วๆ นี้ อย่างไรก็ตาม ควบคู่กับพลาสมอนในการเจือวัสดุและผลจากความเครียดตารางที่ตรงกัน ด้วยพื้นผิวอาจจะแยกจากกันได้ A1 ( LO ) ตั้งอยู่ใกล้กับเช่นในแซฟไฟร์และได้รับรามันสับสนในการทดลอง ใน 2 มม. กาน / ไพลิน ( 0001 ) [ 9 ] โหมดใน± 1 cm-1 ค่าในกลุ่มกัน ( ตารางที่ 1 )ตาราง