It has been proposed that the large

It has been proposed that the large discrepancy between the previously measured large bandgap of InN (1.9 eV) and the
recently discovered narrow bandgap could be due to the formation of indium oxynitride alloys in older sputter-grown films, since sputtered films often contained high levels of oxygen contamination that can be over 10% in some extreme cases [10,12]. Assuming a linear composition dependence of the direct bandgap of the alloy formed by InN and In2O3 [11,14].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มันได้รับการเสนอชื่อที่ขัดแย้งใหญ่ระหว่าง bandgap ใหญ่วัดก่อนหน้านี้ของอินน์ (1.9 eV) และล่าสุด bandgap แคบพบอาจเกิดจากการก่อตัวของโลหะผสม oxynitride อินเดียมในภาพยนตร์ในการโต sputter เก่า เนื่องจากฟิล์ม sputtered มักอยู่สูงระดับการปนเปื้อนของออกซิเจนที่ได้กว่า 10% ในบางกรณี [10,12] โดยอาศัยองค์ประกอบเชิงเส้นเป็นของ bandgap โดยตรงของโลหะผสมเกิดขึ้น โดยอินน์และ In2O3 [11,14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันได้รับการเสนอที่แตกต่างกันมากระหว่าง bandgap ขนาดใหญ่วัดก่อนหน้านี้ของอินน์ (? 1.9 eV) และ
แถบช่องว่างแคบ ๆ ที่เพิ่งค้นพบอาจเกิดจากการก่อตัวของโลหะผสม oxynitride อินเดียมในภาพยนตร์เก่าพ่นปลูกตั้งแต่ภาพยนตร์ sputtered มักจะมีอยู่สูง ระดับของการปนเปื้อนของออกซิเจนที่สามารถเป็นกว่า 10% ในบางกรณีที่รุนแรง [10,12] สมมติว่าการพึ่งพาอาศัยองค์ประกอบเชิงเส้นของ bandgap โดยตรงของโลหะผสมที่เกิดขึ้นจาก Inn and In2O3 [11,14]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก็มีการเสนอว่า ความแตกต่างใหญ่ระหว่างวัดก่อนหน้านี้ขนาดใหญ่ bandgap Inn (  1.9 EV ) และแคบ bandgap
ค้นพบเมื่อเร็ว ๆ นี้อาจจะเนื่องจากการก่อตัวของโลหะผสม oxynitride อินเดียมในรุ่นเก่าละล่ำละลักโตภาพยนตร์ ตั้งแต่ภาพยนตร์มักจะมี sputtered ระดับออกซิเจนปนเปื้อนที่สามารถเกิน 10% ในกรณีที่บางมาก [ 10,12 ]สมมติว่ามีการพึ่งพาองค์ประกอบเชิงเส้นของ bandgap โดยตรงของโลหะผสมที่เกิดจาก Inn และ In2O3 [ 11,14 ]