(e) 10 m thick photoresist re-coat

(e) 10 m thick photoresist re-coating and photolithography by using mask of supporting pillars.
(f) Electroplate supporting pillars using 15 m thick Ni, the composition and the electroplating conditions are the same as step
(d).
(g) Chromium/copper (10 nm/90 nm) was sputtered and 30 m thick photoresist re-coating, then photolithography by using mask of floating plate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(อี) 10 เมตรหนา photoresist ใหม่เคลือบและ photolithography โดยรูปแบบของการสนับสนุนหลัก(f) Electroplate หลักการสนับสนุนใช้ 15 เมตรหนา Ni องค์ประกอบ และเงื่อนไขไฟฟ้าจะเหมือนกับขั้นตอน(ง)(g) โครเมียมทองแดง (10 nm 90 nm) ถูก sputtered และ 30 m หนา photoresist ใหม่เคลือบ แล้ว photolithography โดยรูปแบบของแผ่นน้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(จ) 10 เมตรอีกเคลือบสารไวแสงหนาและ photolithography โดยใช้หน้ากากของการสนับสนุนเสา.
(ฉ) ไฟฟ้าเสาหลักที่สนับสนุนการใช้ 15 เมตรหนา Ni องค์ประกอบและเงื่อนไขไฟฟ้าที่มีเช่นเดียวกับขั้นตอน
(ง).
(ช ) โครเมี่ยม / ทองแดง (10 นาโนเมตร / 90 นาโนเมตร) ถูก sputtered และ 30? m ไวแสงหนาเคลือบอีกแล้ว photolithography โดยใช้หน้ากากของแผ่นลอย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( E ) 10 เมตร หนา  ระบบ Re เคลือบ และ 43 โดยใช้หน้ากากสนับสนุน pillars
( F ) เสาไฟฟ้าสนับสนุนใช้ 15  เมตรหนา นิ องค์ประกอบและไฟฟ้าสภาพเป็นเช่นเดียวกับขั้นตอน ( D )
.
( g ) โครเมียม / ทองแดง ( 10 nm / 90 nm ) คือ  sputtered และ 30 M หนาระบบ Re เคลือบแล้ว 43 โดยใช้หน้ากากของจานที่ลอย