With the assistance of an oxygen va

With the assistance of an oxygen vacancy, the diffusion barrier for Ga atoms decreased from 1.26 to0.85 eV, resulting in a two orders of magnitude increase in the surface diffusion coefficient.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ด้วยความช่วยเหลือของตำแหน่งที่ออกซิเจน อุปสรรคการกระจายสำหรับ Ga อะตอมลดลงจาก 1.26 to0.85 eV ผลเป็นอันดับสองของขนาดการเพิ่มค่าสัมประสิทธิ์การกระจายพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ด้วยความช่วยเหลือของว่างออกซิเจนกั้นการแพร่กระจายอะตอม Ga ลดลงจาก 1.26 to0.85 eV ผลในสองคำสั่งของเพิ่มขึ้นในขนาดค่าสัมประสิทธิ์การแพร่บนพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ด้วยความช่วยเหลือของออกซิเจนมีตำแหน่งว่าง , กั้นการแพร่อะตอมลดลงจาก 1.26 to0.85 การถไฟฟ้า ส่งผลให้สองอันดับของขนาดเพิ่มพื้นผิวการแพร่ .