SiGe heterobipolar (HBT) technology

SiGe heterobipolar (HBT) technology allowes to achieve low base resistance, high ft, and high current gain at the same time which leads to very low transistor broadband noise as well as superior VCO phase norse [7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

heterobipolar เทคโนโลยี SiGe (HBT) allowes เพื่อให้บรรลุความต้านทานต่ำฐานฟุตสูงและกำไรสูงในปัจจุบันในเวลาเดียวกันซึ่งนำไปสู่ที่ต่ำมากเสียงบรอดแบนด์ทรานซิสเตอร์เช่นเดียวกับเฟส VCO ที่เหนือกว่านอร์ส [7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคโนโลยี (HBT) เพื่อให้บรรลุความต้านทานฐานต่ำ, ฟุตสูง, และกำไรปัจจุบันสูงในเวลาเดียวกันซึ่งนำไปสู่เสียงรบกวนบรอดแบนด์ต่ำมากเช่นเดียวกับขั้นตอน VCO ที่เหนือกว่านอร์ส [7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิคที่สามารถใช้เพื่อให้บรรลุทั้งความต้านทานพื้นฐานต่ำและได้รับฟุตสูงในปัจจุบันซึ่งจะส่งผลให้เสียงบรอดแบนด์ทรานซิสเตอร์ต่ำมากและเหนือกว่า VCO ระยะ norse 917