3. Results and discussionFig. 3 sho

3. Results and discussion
Fig. 3 shows the output characteristics of the doped and the
undoped OFETs. The drain–source voltage VDS is swept from 0 to –
60 V, while the gate–source voltage VGS is changed stepwise from
0 to –60 V in 15 V steps. It is evident from Fig. 3 that the devices
exhibit the I–V characteristics of unipolar OFETs with saturation
behavior and therefore the OFETs operate in the hole accumulation
mode. There are two main differences between the doped
and the undoped devices: the light emission is only detected only
from the doped devices and the drain–source current IDS of the
doped devices (Fig. 3a) is almost four orders of magnitude higher
those of than the undoped devices (Fig. 3b) under the same
experimental conditions.The optical output characteristics at different gate voltages of
the doped devices are shown in Fig. 4. It can be seen that the
optical output does not directly follow the current. At a fixed VGS,light emission intensity increases with the increase of VDS. Fig. 5
shows the light intensity as a function of the drain-source current
IDS which is recorded by sweeping the drain–source voltage at
various constant gate–source voltages.
But interestingly, the light emission is not observed in the first
sweeps in the doped devices. After several repetitions, the light
emission is observed in the saturation regime. On further sweeping
cycles, the light emission was observed even from linear regions.
Moreover in each next sweeping turn, the doped devices are
operating at lower and lower voltages indicating that the injection
barrier is going down via consecutive doping near the electrodes.
All these show that during operation of the electrochemical OLEFET
devices there is a continued ‘‘in situ’’ doping and increase in the
conductivity occurring. When a negative gate voltage is applied,
positive charges are induced at the interface between the active
layer and the dielectric layer. The holes are injected from the source
electrode and transferred through the channel to the drain electrode.
At sufficient drain voltages, electrons are also injected into
the active layer from the drain electrode, which results in carrier
recombination and light emission. Because of the presence of the
electrolyte in the active layer of the doped device, MDMO–PPV gets
electrochemically doped at the opposite electrodes and the light
emission can be observed at lower voltages even using symmetric
Au source and drain electrodes.
Fig. 6a shows the transfer characteristics of a doped OFET
along with simultaneously measured light emission intensity
data. Fig. 6b shows the transfer characteristics of an undoped
OFET as comparison (no light emission is detected while sweeping
the gate–source voltage). IDS is measured keeping the drain–
source voltage constant at 40 V, while sweeping the gate–
source voltage from 0 to –60 V in 1 V steps. Note the close
correspondence of both the channel current and the emitted light
intensity vs gate voltage. Fig. 6a indicates that the gate bias
controls not only the current flow but also the light intensity. The
light intensity increases with the gate voltage. On the other hand,
the doped device exhibits high field effect hole mobility of about
3 cm2 V1 s1 calculated in the linear regime using the standard
transistor equation [69] whereas hole mobility of the undoped
device (standard OFET) is calculated to be 103 cm2 V1 s1
which is three orders of magnitude lower than that of the doped
device.
Fig. 7 shows the light intensity as a function of IDS which is
recorded by sweeping the gate voltage at a constant drain voltage
as in Fig. 6a. The light output is directly proportional to the drain
current, too.
Fig.peak appeared at a longer wavelength of ca. 750 nm, possibly due
to polaronic effects of doping (polaron-exciton).
The doped OLEFET emits orange–yellow light which could be
seen with the naked eye. Light emission is observed adjacent to
the negative biased electrode, which we assign as the drain (D)
electrode. This region of emission indicates the charge carrier
recombination zone close to the cathode. It is conceivable since
the electron mobility is much smaller than the hole mobility in
such devices, bringing the statistical recombination zone near to
the electron injecting electrode (drain). A series of pictures were
taken with constant source–drain bias (VDS) and increasing gate
bias (Fig. 9). One realizes that the emission is inhomogeneous and
occurs close to the drain electrode.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. ผลลัพธ์ และสนทนาFig. 3 แสดงลักษณะผลผลิตของการ doped และundoped OFETs แรงดันท่อระบายน้ำ – แหล่ง VDS จะกวาดจาก 0 ถึง--60 V ในขณะที่มีการเปลี่ยนแปลงแรงดันเกต – แหล่ง VGS stepwise จาก0 ไป –60 V V ขั้นตอนที่ 15 จะเห็นได้จาก Fig. 3 ที่อุปกรณ์แสดงลักษณะ – V ของ unipolar OFETs กับความเข้มลักษณะการทำงาน และ OFETs มีในหลุมสะสมโหมด มีความแตกต่างหลักสองระหว่างที่ dopedและอุปกรณ์ undoped: มลพิษแสงตรวจพบเพียงเท่านั้นจากอุปกรณ์ doped และรหัสปัจจุบันระบายน้ำ – แหล่งที่มาของการอุปกรณ์ doped (Fig. 3a) เป็นเกือบสี่อันดับของขนาดสูงบรรดากว่าอุปกรณ์ undoped (Fig. 3b) ภายใต้เหมือนกันเงื่อนไขทดลองลักษณะผลแสงที่แรงดันประตูต่าง ๆ ของอุปกรณ์ doped แสดงใน Fig. 4 จะเห็นได้ที่นี้แสงผลไม่ตามปัจจุบันโดยตรง VGS ถาวร ความเข้มแสงปล่อยก๊าซเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของ VDS Fig. 5แสดงความเข้มแสงเป็นฟังก์ชันของต้นไหลปัจจุบันรหัสที่บันทึก โดยแก้วแรงดันไฟฟ้าท่อระบายน้ำ – แหล่งที่แรงดันคงประตู – แหล่งต่าง ๆแต่เป็นเรื่องน่าสนใจ มลพิษแสงจะไม่พบในครั้งแรกsweeps ในอุปกรณ์ doped หลังจากทำซ้ำหลาย แสงปล่อยก๊าซย่อยในระบอบความเข้ม บนแก้วเพิ่มเติมรอบ มลพิษแสงถูกสังเกตได้จากขอบเขตเชิงเส้นนอกจากนี้ ในทางกลับกันกวาดถัดไป อุปกรณ์ doped มีการทำงานที่แรงดันต่ำกว่า และต่ำกว่าเพื่อระบุว่า การฉีดอุปสรรคจะลงผ่านโดปปิงค์ติดต่อกันใกล้หุงตทั้งหมดนี้แสดงว่าในระหว่างการดำเนินงานของ OLEFET ไฟฟ้าอุปกรณ์โดปปิงค์ ''ใน situ'' อย่างต่อเนื่องและเพิ่มขึ้นในการนำเกิดขึ้น เมื่อแรงดันที่เกลบจะใช้บวกค่าธรรมเนียมเกิดจากในอินเทอร์เฟซระหว่างการใช้งานชั้นและชั้นที่เป็นฉนวน มีฉีดหลุมจากแหล่งอิเล็กโทรด และโอนผ่านช่องทางการให้ไฟฟ้าไหลที่แรงดันท่อระบายน้ำเพียงพอ อิเล็กตรอนจะยังฉีดเข้าไปในชั้นที่ใช้งานอยู่จากไฟฟ้าท่อระบายน้ำ มีผลขนส่งrecombination และเล็ดรอดแสง เพราะของอิเล็กโทรในชั้นการใช้งานของอุปกรณ์ doped, MDMO – PPV ได้รับelectrochemically doped ที่หุงตตรงข้ามและแสงมลพิษจะสังเกตได้จากที่แรงดันต่ำใช้สมมาตรอูมา และระบายน้ำหุงตFig. 6a แสดงการโอนย้ายลักษณะของ doped OFETพร้อมกันวัดความเข้มแสงเล็ดรอดข้อมูล Fig. 6b แสดงการโอนย้ายลักษณะของการ undopedOFET เป็นการเปรียบเทียบ (ไม่ปล่อยก๊าซแสงตรวจพบขณะทิวทัศน์ประตู – แหล่งแรงดันไฟฟ้า) รหัสวัดรักษาท่อระบายน้ำ-แหล่งแรงดันคงที่ 40 V ในขณะที่แก้วเกต –แหล่งแรงดัน 0 V –60 V ขั้นตอนที่ 1 หมายเหตุการปิดติดต่อของสถานีปัจจุบันและแสง emittedแรงดันไฟฟ้าประตูเทียบกับความเข้ม Fig. 6a หมายถึงความโน้มเอียงประตูควบคุมไม่เพียงกระแสปัจจุบัน แต่ยังความเข้มแสง ที่เพิ่มความเข้มแสง ด้วยแรงดันประตู ในทางตรงข้ามอุปกรณ์ doped ฟิลด์สูงผลหลุมเคลื่อนที่จัดแสดงเกี่ยวกับ3 cm2 V1 s1 คำนวณในระบอบเชิงเส้นที่ใช้มาตรฐานทรานซิสเตอร์สมการ [69] ในขณะที่หลุมเคลื่อนที่ undopedอุปกรณ์ (มาตรฐาน OFET) จะคำนวณได้เท่ากับ 103 cm2 V1 s1ซึ่งเป็นสามอันดับของขนาดที่ต่ำกว่าของที่ dopedอุปกรณ์Fig. 7 แสดงความเข้มแสงเป็นฟังก์ชันของรหัสซึ่งเป็นบันทึก โดยกวาดแรงดันเกตที่มีแรงดันไฟฟ้าไหลคงเหมือนใน Fig. 6a ผลอ่อนเป็นสัดส่วนโดยตรงกับท่อระบายน้ำปัจจุบัน เกินไปFig.peak ปรากฏขึ้นที่ความยาวคลื่นยาวของ ca 750 nm อาจจะครบกำหนดการผล polaronic ของโดปปิงค์ (polaron-exciton)Doped OLEFET emits แสงสีส้ม – สีเหลืองซึ่งอาจเป็นเห็น ด้วยตาเปล่า ปล่อยก๊าซไฟจะสังเกตประชิดการลบภาพไฟฟ้า ซึ่งเรากำหนดให้เป็นท่อระบายน้ำ (D)อิเล็กโทรด ของมลพิษบ่งชี้บริษัทขนส่งค่าธรรมเนียมโซน recombination ใกล้กับแคโทด มีหลากหลายตั้งแต่เคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนมีขนาดเล็กกว่าเคลื่อนหลุมในอุปกรณ์ดังกล่าว นำโซน recombination สถิติที่ใกล้จะอิเล็กตรอนที่ injecting อิเล็กโทรด (ระบายน้ำ) ชุดของรูปภาพได้กับแหล่งท่อระบายน้ำคงความโน้มเอียง (VDS) และประตูเพิ่มความโน้มเอียง (Fig. 9) หนึ่งตระหนักว่ามลพิษที่ใช้งาน และเกิดใกล้กับการไฟฟ้าท่อระบายน้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ผลการอภิปรายและ
รูป 3 แสดงให้เห็นถึงลักษณะของการส่งออกของเจือและ
โคบอลต์ OFETs ท่อระบายน้ำแหล่งที่มาของแรงดันไฟฟ้า VDS ถูกกวาดออกจาก 0 ถึง -
60 V ในขณะที่แรงดันเกตและแหล่ง VGS มีการเปลี่ยนแปลงขั้นตอนจาก
0 ถึง -60 V 15 V ขั้นตอน มันจะเห็นได้จากรูป 3 ว่าอุปกรณ์
แสดงลักษณะ I-V ของ OFETs unipolar ที่มีความอิ่มตัวของ
พฤติกรรมและดังนั้นจึง OFETs ดำเนินงานในการสะสมหลุม
โหมด มีสองความแตกต่างที่สำคัญระหว่างเจืออยู่
และอุปกรณ์โคบอลต์: ปล่อยแสงที่ตรวจพบเท่านั้น
จากอุปกรณ์เจือและ IDS ท่อระบายน้ำที่มาในปัจจุบันของ
อุปกรณ์เจือ (รูปที่ 3a.) เกือบสี่คำสั่งของขนาดที่สูง
กว่าผู้ที่ อุปกรณ์โคบอลต์ (รูป. 3b) ภายใต้เดียวกัน
conditions.The ทดลองลักษณะผลผลิตแสงที่แรงดันไฟฟ้าที่ประตูแตกต่างกันของ
อุปกรณ์เจือจะแสดงในรูป 4. จะเห็นได้ว่า
การส่งออกแสงไม่ตรงไปตามปัจจุบัน ที่ VGS คงความเข้มการปล่อยแสงเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของ VDS มะเดื่อ 5
แสดงให้เห็นถึงความเข้มของแสงเป็นหน้าที่ของท่อระบายน้ำที่มาในปัจจุบัน
IDS ซึ่งจะถูกบันทึกไว้โดยกวาดแรงดันท่อระบายน้ำที่มาที่
แรงดันไฟฟ้าคงที่ต่างๆประตูแหล่งที่มา.
แต่ที่น่าสนใจปล่อยแสงจะไม่ได้สังเกตในครั้งแรก
เรตติ้งในอุปกรณ์เจือ . หลังจากหลายซ้ำไฟ
ปล่อยก๊าซเรือนกระจกเป็นที่สังเกตในระบอบการปกครองอิ่มตัว เมื่อวันที่กวาดอีก
รอบปล่อยแสงเป็นที่สังเกตได้จากภูมิภาคเชิงเส้น.
นอกจากนี้ในทางกลับกันกวาดต่อไป, อุปกรณ์เจือมีการ
ปฏิบัติงานที่แรงดันไฟฟ้าต่ำและลดลงแสดงให้เห็นว่าการฉีด
อุปสรรคจะไปลงติดต่อกันผ่านทางยาสลบใกล้ขั้วไฟฟ้า.
ทั้งหมดแสดงเหล่านี้ ว่าในระหว่างการดำเนินการของ OLEFET ไฟฟ้า
อุปกรณ์มีอย่างต่อเนื่อง '' ในแหล่งกำเนิด '' ยาสลบและการเพิ่มขึ้นของ
การนำที่เกิดขึ้น เมื่อแรงดันประตูเชิงลบถูกนำไปใช้
ประจุบวกจะถูกเหนี่ยวนำที่อินเตอร์เฟซที่ใช้งานอยู่ระหว่าง
ชั้นและชั้นอิเล็กทริก หลุมจะฉีดจากแหล่ง
ขั้วและโอนผ่านช่องทางที่จะระบายน้ำอิเล็กโทรด.
ที่แรงดันไฟฟ้าท่อระบายน้ำเพียงพออิเล็กตรอนถูกฉีดเข้าไปใน
ชั้นที่ใช้งานจากขั้วไฟฟ้าท่อระบายน้ำซึ่งส่งผลให้ผู้ให้บริการ
การรวมตัวและการปล่อยแสง เพราะการปรากฏตัวของ
อิเล็กชั้นที่ใช้งานในอุปกรณ์เจือ, MDMO-PPV ได้รับการ
เจือ electrochemically ที่ขั้วไฟฟ้าตรงข้ามและแสง
ปล่อยก๊าซเรือนกระจกสามารถสังเกตได้อย่างเหนือระดับแม้กระทั่งการใช้สมมาตร
แหล่ง Au ขั้วไฟฟ้าและท่อระบายน้ำ.
รูป 6a แสดงให้เห็นลักษณะการถ่ายโอน OFET เจือ
พร้อมกับความเข้มการปล่อยแสงวัดพร้อมกัน
ข้อมูล มะเดื่อ 6b แสดงให้เห็นลักษณะการถ่ายโอนโคบอลต์
OFET การเปรียบเทียบ (ไม่มีการปล่อยแสงมีการตรวจพบในขณะที่กวาด
แรงดันประตูแหล่งที่มา) IDS จะวัดการรักษา drain-
แหล่งแรงดันคงที่ 40 V ขณะที่กวาดเกทเวย์
แรงดันไฟฟ้าที่มาจาก 0 ถึง -60 V 1 V ขั้นตอน หมายเหตุใกล้
จดหมายของทั้งสองช่องทางในปัจจุบันและแสงที่ปล่อยออก
เข้ม vs แรงดันประตู มะเดื่อ 6a บ่งชี้ว่าอคติประตู
ควบคุมไม่เพียง แต่การไหลของกระแส แต่ยังความเข้มของแสง
ความเข้มของแสงเพิ่มขึ้นกับแรงดันไฟฟ้าที่ประตู ในทางตรงกันข้าม,
อุปกรณ์เจือจัดแสดงนิทรรศการสนามผลสูงคล่องตัวหลุมประมาณ
3 cm2 V1 s1 การคำนวณในระบอบการปกครองแบบเส้นตรงโดยใช้มาตรฐาน
สมทรานซิสเตอร์ [69] ในขณะที่การเคลื่อนไหวของหลุมโคบอลต์
อุปกรณ์ (OFET มาตรฐาน) การคำนวณให้เป็น? 103 cm2 V1 s1
ซึ่งเป็นสามคำสั่งของขนาดต่ำกว่าเจือ
อุปกรณ์.
รูป 7 แสดงให้เห็นถึงความเข้มของแสงเป็นหน้าที่ของ IDS ซึ่งถูก
บันทึกไว้โดยกวาดแรงดันประตูที่แรงดันท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง
เช่นเดียวกับในรูป 6a แสงออกเป็นสัดส่วนโดยตรงกับท่อระบายน้ำ
ในปัจจุบันอีกด้วย.
Fig.peak ปรากฏตัวขึ้นที่ความยาวคลื่นของแคลิฟอร์เนีย 750 นาโนเมตรอาจจะเป็นเพราะ
ผลกระทบ polaronic ของยาสลบ (โพลารอน-exciton).
OLEFET เจือเปล่งแสงสีส้มสีเหลืองซึ่งสามารถ
มองเห็นได้ด้วยตาเปล่า การปล่อยแสงเป็นที่สังเกตอยู่ติดกับ
ขั้วลำเอียงเชิงลบซึ่งเรากำหนดเป็นท่อระบายน้ำ (D)
อิเล็กโทรด พื้นที่ของการปล่อยนี้บ่งชี้ผู้ให้บริการค่าใช้จ่าย
รวมตัวกันอีกโซนใกล้กับขั้วลบ มันเป็นไปได้ตั้งแต่
การเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอนมีขนาดเล็กกว่าคล่องตัวหลุมใน
อุปกรณ์ดังกล่าวนำโซน recombination สถิติใกล้กับ
อิเล็กตรอนฉีดอิเล็กโทรด (ท่อระบายน้ำ) ชุดของภาพที่ถูก
ถ่ายด้วยอคติแหล่งท่อระบายน้ำคงที่ (VDS) และประตูที่เพิ่มขึ้น
ทำให้มีความลำเอียง (รูป. 9) หนึ่งตระหนักดีว่าการปล่อยเป็นเนื้อเดียวกันและ
เกิดขึ้นใกล้กับขั้วไฟฟ้าท่อระบายน้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . ผลและการอภิปราย
รูปที่ 3 แสดงผลลักษณะของเจือและ
ofets เคมีไฟฟ้า . ท่อระบายแรงดันและแหล่ง VDS swept จาก 0 ถึง 60 –
V ในขณะที่ประตู–แหล่งจ่ายแรงดันวีจีเเปลี่ยนแบบจาก
0 – 60 5 15 5 ขั้นตอน โดยจะเห็นได้จากรูปที่ 3 ที่แสดงฉัน–อุปกรณ์
v
ลักษณะของ unipolar ofets อิ่มตัวพฤติกรรมและ ofets ทํางานในรูขุม
โหมด มีอยู่สองหลักความแตกต่างระหว่างเจือ
และอุปกรณ์เคมีไฟฟ้า : การเปล่งแสงเป็นเพียงการตรวจพบเพียง
จากที่มีอุปกรณ์และการระบาย ( รหัสแหล่งที่มาปัจจุบันของ
ด้วยอุปกรณ์ ( รูปที่ 3A ) เกือบสี่คำสั่งของขนาดสูงกว่า
ผู้กว่าอุปกรณ์เคมีไฟฟ้า ( รูปที่ 3B ) ภายใต้เดียวกัน
เงื่อนไขการทดลอง ผลแสงที่แตกต่างกันลักษณะประตูแรงดันไฟฟ้าของ
เจืออุปกรณ์แสดงในรูปที่ 4 จะเห็นได้ว่า
ออกแสงไม่ตรงตามสถานการณ์ ที่คงความเข้มแสงฉายวีจีเเพิ่มด้วยการเพิ่มของ VDS . ภาพที่ 5
แสดงความเข้มแสงเป็นฟังก์ชันของการระบายกระแส
รหัสที่บันทึกโดยกวาดระบาย–แหล่งจ่ายแรงดันที่คงที่ และแหล่งที่มีประตูต่าง ๆ
.
แต่น่าสนใจ การเปล่งแสงที่ไม่ได้เป็นที่สังเกตในกวาดก่อน
ในด้วยอุปกรณ์ หลังจากหลาย repetitions แสง
ปล่อยเป็นที่สังเกตในความเข้มมากขึ้น ต่อ รอบกวาด
, การเปล่งแสงได้สังเกตได้จากภูมิภาค
เชิงเส้นนอกจากนี้ในแต่ละหน้า กวาดตาเจืออุปกรณ์ลดแรงดันไฟฟ้าต่ำและ
ปฏิบัติการที่ระบุว่าอุปสรรคฉีด
จะลงผ่านการติดต่อกันใกล้ขั้วไฟฟ้า .
ทั้งหมดเหล่านี้แสดงให้เห็นว่าการดำเนินการของทางเคมีไฟฟ้า olefet
อุปกรณ์มีต่อ ' ถ้า ' ' ชนิดเติมและเพิ่มใน
ไฟฟ้าที่เกิดขึ้น . เมื่อดันประตูลบใช้
ค่าใช้จ่ายในเชิงบวกจะเกิดที่รอยต่อระหว่างชั้นข้อมูล
และชั้นฉนวน . หลุมจะถูกฉีดจากแหล่ง
ขั้วไฟฟ้า และโอนผ่านช่องทางเพื่อระบายแรงดันไฟฟ้า .
ที่ท่อระบายเพียงพอ อิเล็กตรอนจะถูกฉีดเข้าไปในชั้นข้อมูลจาก
ระบาย ) , ซึ่งผลในการขนส่ง
และการปล่อยไฟเพราะการแสดงตนของ
อิเล็กโทรไลต์ในชั้นของการใช้งานด้วยอุปกรณ์ mdmo – PPV ได้
electrochemically เจือที่ขั้วตรงข้ามและการเปล่งแสง
สามารถสังเกตได้ที่แรงดันไฟฟ้าต่ำแม้ใช้สมมาตร
Au แหล่งกิกะเฮิรตซ์ .
รูปที่ 6 แสดงการถ่ายโอนลักษณะของเจือ ofet
พร้อมกับวัด พร้อมกันแสงฉายความเข้ม
ข้อมูล ภาพประกอบบนแสดงให้เห็นลักษณะเฉพาะการถ่ายโอนของ ofet เคมีไฟฟ้า
เมื่อเทียบ ( ไม่มีแสงเล็ดรอดที่ตรวจพบขณะกวาด
ประตู–แหล่งจ่ายแรงดัน ) รหัสวัดรักษาระบายแหล่งจ่ายแรงดันคงที่ ที่ 40 (
v
) ในขณะที่กวาดประตูแหล่งจ่ายแรงดัน 0 – 60 5 1 5 ขั้นตอน หมายเหตุการปิด
ของทั้งสองช่องในปัจจุบัน และความเข้มของแสงที่ปล่อยออกมา
- ประตูไฟฟ้า ภาพประกอบ6 พบว่าประตูอคติ
การควบคุมไม่เพียง แต่การไหลปัจจุบันแต่ยัง ความเข้มแสง
ความเข้มแสงเพิ่มขึ้นด้วยประตูไฟฟ้า บนมืออื่น ๆที่มีการจัดแสดงสูง
อุปกรณ์สนามผลหลุมของการเคลื่อนไหวเกี่ยวกับ
3 cm2 v1 S1 คำนวณในระบบเชิงเส้นโดยใช้มาตรฐาน
. [ 69 ] และสมการการเคมีไฟฟ้า
รูอุปกรณ์ ( ofet มาตรฐาน ) คำนวณได้  103 CM2 v1 S1
ซึ่งเป็นคำสั่งของขนาดต่ำกว่าที่ของอุปกรณ์ด้วย
3
รูปที่ 7 แสดงความเข้มแสงเป็นฟังก์ชันของ IDS ที่
บันทึกโดยกวาดประตูแรงดันที่คงที่ระบายแรงดัน
ในรูปที่ 6 . ผลผลิต แสงเป็นสัดส่วนโดยตรงเพื่อระบายน้ำ

ปัจจุบันด้วย fig.peak ปรากฏตัวขึ้นที่ความยาวคลื่นยาวประมาณ 750 นาโนเมตรอาจจะเนื่องจากการผลของยาสลบ (
polaronic ปฏิยานุพันธ์ exciton )
olefet ส่งเสียงเจือสีส้มและสีเหลืองอ่อนซึ่งอาจ
เห็นได้ด้วยตาเปล่า การเปล่งแสงเป็นที่สังเกตติดกับ
ลบอคติ ขั้วไฟฟ้า ซึ่งเรากำหนดเป็นท่อระบายน้ำ ( D )
อิเล็กโทรด เขตปล่อยนี้บ่งชี้ว่า การคิดค่าขนส่ง
โซนใกล้แคโทด มันเป็นไปได้ตั้งแต่
อิเล็กตรอนเคลื่อนที่มีขนาดเล็กกว่ารู Mobility
อุปกรณ์ดังกล่าว ทำให้พื้นที่การสถิติใกล้

ฉีดอิเล็กตรอนขั้ว ( ระบาย ) ชุดของภาพที่ถ่ายด้วยที่มา–
คงที่ระบายย้วย ( VDS ) และเพิ่มอคติประตู
( รูปที่ 9 ) หนึ่งตระหนักดีว่าการเป็น inhomogeneous เกิดขึ้นใกล้ท่อระบายและ

อิเล็กโทรด