Anisotropic Etching of Silicon - 1•

Anisotropic Etching of Silicon - 1
• Differing hybridized (sp3) orbital orientation on different
crystal planes causes drastic differences in etch rate.
• Typically, etch rates are: (100) > (110) > (111).
• The (111) family of crystallographic planes are normally
the “stop” planes for anisotropic etching.
• There are 8 (111) planes along the ± x ± y ± z unit vectors.
• Intersections of these planes with planar bottoms produce
the standard anisotropic etching structures for (100) Si
wafers:
– V-grooves
– pyramidal pits
– pyramidal cavities

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Anisotropic กัดซิลิคอน - 1•ความขัดแย้งเป็นแนวโคจร (sp3) บนแตกต่างกันคริสตัลเครื่องบินสาเหตุรุนแรงต่างกัดอัตรา•โดยปกติ กัดราคาถูก: (100) > (110) > (111)•ครอบครัว (111) ของเครื่องบิน crystallographic ได้ตามปกติเครื่องบิน "หยุด" สำหรับกัด anisotropic•มี 8 (111) บินตาม± x ± y ± z หน่วยเวกเตอร์•การตัดกันของเครื่องบินเหล่านี้มีพื้นระนาบผลิตโครงสร้างมาตรฐาน anisotropic กัด (100) ศรีรับ:-ร่อง V-หลุม pyramidal– ฟันผุ pyramidal

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

anisotropic กัดของ Silicon - 1
•ที่แตกต่างกันไฮบริด (SP3)
การวางแนวทางการโคจรในที่แตกต่างกัน. เครื่องบินคริสตัลที่ทำให้เกิดความแตกต่างอย่างมากในอัตราการกัด•โดยปกติอัตราการกัดคือ (100)> (110)> (111). •ความ (111) ครอบครัว ของเครื่องบิน crystallographic เป็นปกติว่า"หยุด" เครื่องบินสำหรับการแกะสลัก anisotropic. •มี 8 (111) เครื่องบินพร้อม± x ± y ที่±เวกเตอร์หน่วยซี. •แยกของเครื่องบินเหล่านี้กับพื้นระนาบผลิตมาตรฐานโครงสร้างการแกะสลัก anisotropic สำหรับ (100 ) ศรีเวเฟอร์: - V-ร่อง- หลุมเสี้ยม- เสี้ยมฟันผุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับทิศทางของซิลิคอน - 1
- 3 ( SP3 ) แนวโคจรแตกต่างบนระนาบผลึกแตกต่างกัน
สาเหตุความแตกต่างอย่างมากใน etch เท่ากัน .
- โดยทั่วไปแล้ว กัดราคา : ( 100 ) > ( 110 ) > ( 111 )
- ( 111 ) ทางครอบครัวของเครื่องบินได้ตามปกติ
" หยุด " เครื่องบิน Anisotropic แกะสลัก .
- มี 8 ( 111 ) เครื่องบินตาม± X Y Z ±±
เวกเตอร์ หน่วย- ทางแยกของเครื่องบินเหล่านี้กับระนาบพื้นผลิต
มาตรฐาน Anisotropic แกะสลักโครงสร้าง ( 100 ) ศรี


v-grooves เวเฟอร์ : –––เสี้ยมเสี้ยมหลุม
ฟันผุ