The area between source and drain b

The area between source and drain beneath the gate, channel 'has length of L and width of W; it is where the inversion
layer is formed when sufficient voltage is biased to the gate
and drain which then tum on the MOSFETs. The oxide layer
with certain thickness, tox, separate the gate and the channel.
According to [9],L and to x of 35 nm and 1.2 nm,respectively,
have been demonstrated in 65 nm technology node

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พื้นที่ระหว่างต้นทางและท่อระบายน้ำใต้ประตู ช่อง ' มีความยาว L และความกว้างของ W เป็นที่กลับ
ชั้นจะเกิดขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าที่เพียงพอจะลำเอียงไปประตู
และที่ตำแล้วใน MOSFETs ใน ชั้นออกไซด์
มีความหนาบาง tox แยกประตูและช่องการ
According ไป [9] L และ x 35 nm และ 1.2 nm ตาม ลำดับ,
มีการสาธิตในโหนด 65 nm เทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พื้นที่ระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำใต้ประตูช่อง 'มีความยาว L และความกว้างของ W; มันเป็นที่ที่ผกผัน
ชั้นจะเกิดขึ้นเมื่อแรงดันเพียงพอที่จะลำเอียงไปที่ประตู
และระบายน้ำซึ่ง tum ใน MOSFETs ชั้นออกไซด์
ที่มีความหนาบางพิษแยกประตูและช่องทาง
ตาม [9] L, และ x 35 นาโนเมตรและ 1.2 นาโนเมตรตามลำดับ
ได้รับการแสดงให้เห็นใน 65 นาโนเมตรโหนดเทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พื้นที่ระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำใต้ประตู ช่องมีความยาวและความกว้างของ W ; มันคือ ที่ผกผัน
ชั้นจะเกิดขึ้นเมื่อแรงดันเพียงพอลำเอียงไปที่ประตูและท่อระบายน้ำที่ตั้ม
ที่สอด ออกไซด์ชั้น
กับความหนา บาง ท็อกซ์ แยกประตูและช่อง
ตาม [ 9 ] , L และ x 35 nm และ 1.2 nm ตามลำดับ
ได้รับการพิสูจน์ใน 65 nm เทคโนโลยีโหนด