For the rectifier part it was again

For the rectifier part it was again the class E topology that
were chosen, this time due to the forward voltage drop of the
diodes. With a low-voltage output, the forward voltage drop of
the diode becomes a significant percentage of the output voltage
and a single diode rectifier was found to be the best choice. For
higher output voltages, theDErectifier might be better as the loss
due to forward voltage drop in the diodes becomes insignificant
and the voltages stress of the devices the major concern.
Three different power stages were made; one with a MOSFET
with the lowest available output capacitance, one with

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนวงจรเรียงกระแส เป็นอีกโครงสร้างคลาส E ที่ที่ถูกเลือก เวลานี้เนื่องจากการปล่อยแรงดันไปข้างหน้านี้ไดโอดได้ มีผลกับแรงดันต่ำ แรงดันไปข้างหน้าปล่อยของไดโอดกลายเป็น เปอร์เซ็นต์ของแรงดันไฟฟ้าผลลัพธ์สำคัญและพบเป็นวงจรเรียงกระแสไดโอดที่เดียวจะ ดีที่สุด สำหรับเอาท์พุทสูง theDErectifier อาจจะดีขึ้นเป็นการสูญเสียเนื่องจากแรงดันไปข้างหน้า วางในไดโอดได้เป็นสำคัญและแรงดันความเครียดอุปกรณ์เกี่ยวข้องที่สำคัญทำสามขั้นตอนใช้พลังงานอื่น มีมอสเฟตแบบมีความต่ำสุดมีผล มี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ส่วนกระแสมันเป็นอีกครั้งโทโพโลยีอีคลาสที่ได้รับการแต่งตั้งในครั้งนี้เนื่องมาจากแรงดันไปข้างหน้าของไดโอด กับเอาท์พุทแรงดันต่ำ, แรงดันไปข้างหน้าของไดโอดจะกลายเป็นร้อยละที่สำคัญของแรงดันไฟฟ้าที่ส่งออกและไดโอดrectifier เดียวก็พบว่าเป็นทางเลือกที่ดีที่สุด สำหรับแรงดันไฟฟ้าที่ส่งออกที่สูงขึ้น theDErectifier อาจจะดีกว่าการสูญเสียเนื่องจากการลดลงของแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าในไดโอดจะกลายเป็นไม่มีนัยสำคัญและความเครียดแรงดันไฟฟ้าของอุปกรณ์ความกังวลหลัก. สามขั้นตอนที่แตกต่างกันพลังงานที่ถูกสร้างขึ้น; เป็นหนึ่งเดียวกับ MOSFET ที่มีความจุต่ำสุดที่เอาท์พุทที่มีอยู่ให้เป็นหนึ่งเดียวกับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับกระแสส่วนหนึ่งเป็นอีกคลาส E โทโพโลยีที่
ถูกเลือกในครั้งนี้เนื่องจากการไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าของ
ไดโอด กับแรงดันเอาต์พุต ไปข้างหน้า แรงดันของไดโอดเป็นค่า

ที่สำคัญของแรงดันเอาท์พุทและ Rectifier Diode เดี่ยวพบว่าเป็นทางเลือกที่ดีที่สุด สำหรับแรงดัน output
สูงกว่า thederectifier อาจจะดีกว่า เช่น การสูญเสีย
เนื่องจากแรงดันไปข้างหน้าในไดโอดจะไม่สำคัญ
และความเครียดของอุปกรณ์ที่มีปัญหาสําคัญ .
3 ขั้นตอน คือ พลังงานที่แตกต่างกันได้ หนึ่งกับ MOSFET
กับผลผลิตใช้ได้กับความจุต่ำสุด