Electrode fabricationGold electrode

Electrode fabrication
Gold electrode chips were fabricated on 100 mm (100) silicon
wafers wet oxidized at 1050 C for 1.5 h to form 500 nm of SiO2
as an electrical insulating layer. Standard UV lithography and liftoff
processes were used to pattern the 300 nm Au on 10 nm Ti electrode
layer deposited by electron-beam evaporation. A 500 nm
PECVD silicon nitride layer was deposited using a STS PECVD reactor.
A second UV lithography step followed by a SF6 and O2 STS RIE
plasma etch defined the 1 mm2 electrode and 3 mm by 2 mm clip
contact pad openings in the nitride layer. Acetone removed the
bulk of the resist and a 10 min plasma ashing step removed residual
resist. Finally, the wafers were removed from the clean room for
dicing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อิเลคโทรผลิตชิปขั้วทองถูกประดิษฐ์ 100 มิลลิเมตร (100) ซิลิกอนออกซิไดซ์เวเฟอร์เปียกที่1,050 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1.5 ชั่วโมงในรูปแบบ? 500 นาโนเมตรของ SiO2 เป็นฉนวนไฟฟ้าชั้น พิมพ์ยูวีมาตรฐานและยานกระบวนการถูกนำมาใช้กับรูปแบบ 300 นาโนเมตร Au เมื่อวันที่ 10 นาโนเมตรขั้ว Ti ชั้นฝากโดยการระเหยลำแสงอิเล็กตรอน 500 นาโนเมตรชั้นซิลิคอนไนไตรด์PECVD ถูกวางโดยใช้เครื่องปฏิกรณ์ STS PECVD. ขั้นตอนการพิมพ์หินรังสียูวีที่สองตามมาด้วย SF6 และ O2 STS ริเอะจำหลักพลาสม่าที่กำหนดไว้1 mm2 อิเล็กโทรดและ 3 มมมม 2 คลิปเปิดแผ่นติดต่อในชั้นไนไตรด์ Acetone ออกเป็นกลุ่มของการต่อต้านและ 10 นาทีขั้นตอน ashing พลาสม่าลบออกเหลือต่อต้าน ในที่สุดช็อคโกแลตที่ถูกถอดออกจากห้องสะอาดสำหรับdicing

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้วไฟฟ้าทองผลิต
ชิปประดิษฐ์ 100 มม. ( 100 ) ซิลิคอนเวเฟอร์ที่ 1050
เปียกจาก  C 1.5 H แบบ  500 nm ของ SiO2
เป็นฉนวนไฟฟ้าชั้น มาตรฐานรุ่น UV และปล่อย
กระบวนการใช้รูปแบบ 300 nm หรือ 10 nm Ti ไฟฟ้า
ชั้นฝากโดยการระเหยลำแสงอิเล็กตรอน 500 nm
pecvd ซิลิคอนไนไตรด์ชั้นฝากโดยใช้เครื่องปฏิกรณ์ pecvd STS .
2 UV ภายในขั้นตอนตาม SF6 และ O2 STS ริเอะ
พลาสมาแกะสลักไว้แน่นและ 3 มม. 1 ขั้ว 2 มิลลิเมตรคลิป
ติดต่อแผ่นช่องเปิดในตกชั้น อะซิโตนลบออก
ขนาดใหญ่ของการต่อต้านและ 10 นาทีในพลาสมาแบบขั้นตอนเอาออกเหลือ
ต่อต้าน ในที่สุด , เวเฟอร์ถูกเอาออกจากห้องสะอาด

สำหรับผัก