Above shows a very simple circuit f

Above shows a very simple circuit for switching a resistive load such as a lamp or LED. But when using power MOSFETs to switch either inductive or capacitive loads some form of protection is required to prevent the MOSFET device from becoming damaged. Driving an inductive load has the opposite effect from driving a capacitive load.

For example, a capacitor without an electrical charge is a short circuit, resulting in a high “inrush” of current and when we remove the voltage from an inductive load we have a large reverse voltage build up as the magnetic field collapses, resulting in an induced back-emf in the windings of the inductor.

Then we can summarise the switching characteristics of both the N-channel and P-channel type MOSFETS in the following table.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ข้างต้นแสดงวงจรง่ายมากสำหรับการเปลี่ยนตัวต้านทานโหลดเช่นหลอดไฟหรือ LED แต่เมื่อใช้ MOSFETs ไฟฟ้าสลับโหลดเหนี่ยวนำ หรือ capacitive บางรูปแบบของการป้องกันจะต้องป้องกันไม่ให้กลายเป็นความเสียหายอุปกรณ์ MOSFET ขับโหลดเหนี่ยวนำเป็นผลจากการขับรถการควบคุมโหลดได้ตัว ตัวเก็บประจุโดยไม่มีค่าใช้จ่ายไฟฟ้าจะลัดวงจร เกิดในสูง "กระแสกระชาก" ของปัจจุบัน และเมื่อเราเอาแรงดันไฟฟ้าจากโหลดตัวเหนี่ยวนำมีแรงดันย้อนกลับขนาดใหญ่ที่สร้างขึ้นเช่นสนามแม่เหล็กยุบ ผลที่เกิดหลัง emf ในขดลวดของตัวเหนี่ยวนำจากนั้น เราสามารถสรุปลักษณะสลับช่อง N และชนิด P แชนแนล MOSFETS ในตารางต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังกล่าวข้างต้นแสดงให้เห็นวงจรที่ง่ายมากสำหรับการเปลี่ยนภาระทานเช่นหลอดไฟหรือไฟ LED แต่เมื่อมีการใช้อำนาจในการ MOSFETs สลับโหลดทั้งอุปนัยหรือ capacitive รูปแบบของการป้องกันจะต้องป้องกันไม่ให้อุปกรณ์ MOSFET จากการเป็นความเสียหาย ขับรถโหลดอุปนัยมีผลตรงข้ามจากการขับรถโหลด capacitive. ตัวอย่างเช่นตัวเก็บประจุโดยไม่ต้องเสียค่าใช้จ่ายไฟฟ้าลัดวงจรส่งผลให้ "ไหลเข้า" สูงในปัจจุบันและเมื่อเราเอาแรงดันจากการโหลดอุปนัยเรามี แรงดันย้อนกลับขนาดใหญ่สร้างขึ้นเป็นยุบสนามแม่เหล็กทำให้เกิดการเหนี่ยวนำกลับ EMF ในขดลวดเหนี่ยวนำของที่. แล้วเราสามารถสรุปลักษณะการสลับของทั้งสองยังไม่มีช่องทางและ P-ช่อง MOSFETS พิมพ์ในตารางต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ข้างต้นแสดงให้เห็นวงจรอย่างง่ายสำหรับการสลับโหลด Resistive เช่นหลอดไฟหรือ LED แต่เมื่อใช้มอสเฟตกำลังจะเปลี่ยนให้โดยอุปนัยหรือ capacitive โหลดบางรูปแบบของการป้องกันเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อป้องกันไม่ให้มอสเฟตเป็นอุปกรณ์ที่เสียหาย ทำให้การโหลดอุปนัยได้ผลตรงข้ามจากการขับโหลด capacitive .ตัวอย่างเช่นคาปาซิเตอร์ปราศจากประจุไฟฟ้าลัดวงจร เป็นผลในระดับสูง " ไหล " ของปัจจุบัน และเมื่อเราลบแรงดันจากการโหลดมีขนาดใหญ่แรงดันย้อนกลับสร้างขึ้นเป็นสนามแม่เหล็กถล่มส่งผลให้เกิดกลับ EMF ในการหมุนของการ .แล้วเราสามารถสรุปการเปลี่ยนลักษณะของทั้งสองนแชนแนล p-channel ชนิดสอดและในตารางต่อไปนี้