Molecular dynamics simulation was p

Molecular dynamics simulation was performed in order to investigate the dependence of void growth on
crystallographic orientation at the triple junction of grain boundaries in nanoscale tricrystal nickel film
subjected to uniaxial tensile loading. The nucleation, the emission and the transmission of Shockley
partial dislocations play a predominant role in the growth of void at the triple junction of grain
boundaries. The orientation factors of various slip systems are calculated according to Schmid law

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทำการจำลองพลศาสตร์โมเลกุลเพื่อตรวจสอบการพึ่งพาของโมฆะเจริญเติบโตในแนว crystallographic ที่แยกสามแปใน nanoscale tricrystal นิกเกิลฟิล์มภายใต้การการโหลดแบบแรง Nucleation การปล่อย และการส่งผ่านของแบรดฟอร์ดชอกลีย์dislocations บางส่วนมีบทบาทเด่นในการเติบโตของโมฆะที่แยกสามเม็ดขอบเขต คำนวณตามกฎหมาย Schmid ปัจจัยวางแนวของบันทึกการจัดส่งระบบต่าง ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โมเลกุลจำลองการเปลี่ยนแปลงได้ดำเนินการเพื่อตรวจสอบการพึ่งพาอาศัยกันของการเจริญเติบโตเป็นโมฆะใน
การวางแนวทาง crystallographic ที่ทางสามแพร่งของข้าวเขตแดนในระดับนาโนฟิล์ม tricrystal นิกเกิล
ยัดเยียดให้โหลดแรงดึงแกนเดียว นิวเคลียส, การปล่อยและการส่ง Shockley
ผลกระทบบางส่วนมีบทบาทเด่นในการเจริญเติบโตของช่องว่างที่ทางสามแพร่งของเมล็ดข้าว
เขตแดน ปัจจัยการวางแนวของระบบสลิปต่างๆมีการคำนวณตามกฎหมายชมิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การจำลองพลศาสตร์โมเลกุลในการปฏิบัติเพื่อที่จะตรวจสอบการพึ่งพาการเติบโตของโมฆะในปฐมนิเทศที่ทางสามแพร่งเขตแดนเม็ดฟิล์ม tricrystal nanoscale นิกเกิลต้องโหลด แรงดึง แรงอัด . มีขนาด , การปล่อยและการส่งผ่านของชอกลีย์เกี่ยวกับบทกวีมีบทบาทเด่นในการเจริญเติบโตของความว่างเปล่าตรงทางสามแพร่งของข้าวขอบเขต กำหนดปัจจัยของระบบการจัดส่งต่างๆ คำนวณตาม > กฎหมาย