Bismuth sulfide (Bi2S3) is an attra

Bismuth sulfide (Bi2S3) is an attractive potential replacement for lead sulfide (PbS) due to its low toxicity and near infrared absorption spectrum. In this work, we report the photovoltaic characteristics of cadmium sulfide (CdS) and Bi2S3 quantum dots (QDs) sensitized solar cells. The QDs were grown by the successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method. The number of cycles was varied in order to optimize the photoconversion efficiency. Using a photovoltaic device with the structure TiO2/CdS/ZnS as our reference, we obtained increments in the short circuit current (Jsc) from 7.9 to 9.3 mA/cm2, the fill factor (FF) from 41.9 to 53.7%, and the photoconversion efficiency (h) from 1.7% to 2.52% for the configuration TiO2/CdS/Bi2S3/ZnS. This enhancement is explained by an augmented absorption spectral
range and a favorable energy level diagram. Electrochemical impedance measurements were performed to better understand the carrier recombination and transport processes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บิสมัทซัลไฟด์ (Bi2S3) เป็นรอซัลไฟด์ (PbS) เนื่อง จากของความเป็นพิษต่ำ และ ใกล้อินฟราเรดสเปกตรัมดูดซึมแทนเป็นที่น่าสนใจ ในงานนี้ เรารายงานลักษณะของแคดเมียมซัลไฟด์ (ซีดี) และ Bi2S3 ควอนตัมจุด (QDs) sensitized เซลล์แสงอาทิตย์เซลล์แสงอาทิตย์ QDs ได้เติบโตต่อเนื่อง ionic ชั้นดูดซับและปฏิกิริยาวิธี (SILAR) จำนวนรอบแตกต่างกันในการเพิ่มประสิทธิภาพประสิทธิภาพ photoconversion ใช้อุปกรณ์แผงเซลล์แสงอาทิตย์ โดยใช้โครงสร้างซี ดี/TiO2/ZnS เป็นการอ้างอิงของเรา เรารับส่วนเพิ่มในการช็อตปัจจุบัน (Jsc) จาก 7.9 การ 9.3 mA/cm2 องค์ประกอบการเติม (FF) จาก 41.9 53.7% และประสิทธิภาพ photoconversion (h) จาก 1.7% 2.52% เครื่อง TiO2/ซี ดี/Bi2S3/ZnS เพิ่มประสิทธิภาพนี้จะอธิบาย โดยการดูดซึมการออกเมนต์สเปกตรัมช่วงและไดอะแกรมของระดับพลังงานที่ดี วัดความต้านทานไฟฟ้าได้ทำให้ความเข้าใจกระบวนการ recombination และขนส่งบริษัทขนส่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซัลไฟด์บิสมัท (Bi2S3) เป็นทดแทนที่มีศักยภาพที่น่าสนใจสำหรับซัลไฟด์ตะกั่ว (PBS) เนื่องจากความเป็นพิษต่ำและการดูดซึมคลื่นความถี่ใกล้อินฟราเรด ในงานนี้เรารายงานลักษณะเซลล์แสงอาทิตย์แคดเมียมซัลไฟด์ (ซีดี) และจุดควอนตัม Bi2S3 (QDS) ของเซลล์ QDS ปลูกโดยการดูดซับไอออนิกชั้นต่อเนื่องและปฏิกิริยา (SILAR) วิธีการ จำนวนรอบได้ที่แตกต่างกันในการสั่งซื้อเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ photoconversion ใช้อุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ที่มีโครงสร้าง TiO2 / ซีดี / ZnS เป็นข้อมูลอ้างอิงของเราเราได้รับการเพิ่มขึ้นในการลัดวงจรปัจจุบัน (Jsc) 7.9-9.3 mA / cm2 ปัจจัยเติม (FF) 41.9-53.7% และ photoconversion ประสิทธิภาพ (ซ) จาก 1.7% มาอยู่ที่ 2.52% ในการกำหนดค่า TiO2 / ซีดี / Bi2S3 / ZnS
การเพิ่มประสิทธิภาพนี้จะอธิบายโดยการดูดซึมสเปกตรัมเติมช่วงและแผนภาพระดับพลังงานที่ดี การวัดความต้านทานไฟฟ้าได้ดำเนินการเพื่อทำความเข้าใจการรวมตัวกันของผู้ให้บริการและกระบวนการขนส่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บิสมัทซัลไฟด์ ( bi2s3 ) คือ การเปลี่ยนศักยภาพมีเสน่ห์สำหรับตะกั่วซัลไฟด์ ( PBS ) เนื่องจากมีความเป็นพิษต่ำและใกล้สเปกตรัมการดูดกลืนแสงอินฟราเรด ในงานนี้เราได้รายงานลักษณะเซลล์แสงอาทิตย์แคดเมียมซัลไฟด์ ( ซีดี ) และ bi2s3 จุดควอนตัม ( QDS ) และเซลล์แสงอาทิตย์ โดยควอนตัมด็อตเติบโตโดยต่อเนื่อง การดูดซับไอออนชั้นและปฏิกิริยา ( silar ) วิธี จำนวนรอบของการเปลี่ยนแปลงเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ photoconversion ประสิทธิภาพ การใช้อุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีโครงสร้าง TiO2 / ซีดี / zns เป็นข้อมูลอ้างอิงของเรา เราได้รับการเพิ่มขึ้นในกระแสลัดวงจร ( JSC ) จาก 7.9 ถึง 9.3 MA / cm2 , ปัจจัยเติม ( FF ) จาก 41.9 ถึง 53.7 % และ photoconversion ประสิทธิภาพ ( H ) จาก 1.7% 2.52 % สำหรับค่า ) ซีดี / bi2s3 / zns . การเพิ่มประสิทธิภาพนี้สามารถอธิบายได้โดยการเพิ่มการดูดซึมสเปกตรัมช่วงและแผนภาพระดับพลังงานที่ดี การวัดอิมพีแดนซ์ไฟฟ้าคือการเข้าใจกระบวนการขนส่ง และการขนส่ง