At present, I–IV–VI ternary semicon

At present, I–IV–VI ternary semiconducting compounds,
such as Cu–Sn–E (E = S and Se), have been very attractive,
due to their mid-band-gap semiconductors and non-linear
optical properties.1) For Cu, Sn, and S, they can form several
sulfides, such as CuSn3:75S8, Cu2SnS3, Cu2Sn3S7, Cu3SnS4,
Cu4SnS4, and Cu4Sn7S16.2–4) Among them, Cu3SnS4 (CTS)
is one of a semiconducting material which has the potential to
be used in solar cells and as a photocatalyst. Generally,
optical band gap of CTS material is influenced by different
morphologies and structures, crystalline degree, and different
types and concentration of defects. Lin et al. have estimated
optical band gap of the CTS nanocrystals to be 1.43 eV, the
optimal value for solar energy converters.5)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่อยู่ ฉัน – IV – VI สามตัวสารเช่น Cu-Sn – E (E = S และ Se), ได้น่าสนใจมากการอิเล็กทรอนิกส์กลาง-band-ช่องว่างของพวกเขา และไม่ใช่เชิงเส้นproperties.1 ปติ) Cu, Sn และ S พวกเขาสามารถสร้างหลายsulfides, CuSn3:75S8, Cu2SnS3, Cu2Sn3S7, Cu3SnS4Cu4SnS4 และ Cu4Sn7S16.2-4) ในหมู่พวกเขา Cu3SnS4 (CTS)เป็นหนึ่งของตัวสินค้าที่มีศักยภาพเพื่อสามารถใช้เซลล์แสงอาทิตย์ และ เป็น photocatalyst ทั่วไปช่องว่างของวงแสงวัสดุ CTS มีอิทธิพล โดยแตกต่างกันmorphologies และโครงสร้าง ปริญญาผลึก และอื่นชนิดและความเข้มข้นของข้อบกพร่อง Lin et al. มีประมาณช่องว่างของวงแสงของ nanocrystals CTS เป็น 1.43 eV การค่าสูงสุดสำหรับ converters.5 พลังงานแสงอาทิตย์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัจจุบัน I-IV-VI สารกึ่งตัวนำ ternary,
เช่น Cu-SN-E (E = S และ Se) ได้รับที่น่าสนใจมาก
เนื่องจากเซมิคอนดักเตอร์กลางวงช่องว่างของพวกเขาและไม่เชิงเส้น
properties.1 แสง) สำหรับ Cu, Sn และ S พวกเขาสามารถสร้างหลาย
ซัลไฟด์เช่น CuSn3: 75S8, Cu2SnS3, Cu2Sn3S7, Cu3SnS4,
Cu4SnS4 และ Cu4Sn7S16.2-4) ในหมู่พวกเขา Cu3SnS4 (CTS)
เป็นหนึ่งในวัสดุกึ่งตัวนำที่มี มีศักยภาพที่จะ
นำไปใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์และเป็น photocatalyst โดยทั่วไป
ช่องว่างแถบแสงของวัสดุ CTS ได้รับอิทธิพลจากที่แตกต่างกัน
รูปร่างลักษณะและโครงสร้างระดับผลึกและแตกต่าง
ชนิดและความเข้มข้นของข้อบกพร่อง หลินและคณะ ได้มีการประมาณการ
ช่องว่างแถบแสงของนาโนคริสตัล CTS จะเป็น 1.43 eV,
ค่าที่ดีที่สุดสำหรับ converters.5 พลังงานแสงอาทิตย์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปัจจุบันผม– 4 – 6 ประกอบไปด้วยสารประกอบกึ่งตัวนำ เช่น ทองแดง และดีบุก ,
) e ( E = S และเซ ) ได้มีเสน่ห์มาก
เนื่องจากอายุกลางช่องว่างแถบเซมิคอนดักเตอร์และสมบัติทางแสงแบบไม่เชิงเส้น
1 ) สำหรับทองแดง , ดีบุก , และ , พวกเขาสามารถฟอร์มหลาย
ซัลไฟด์ , เช่น cusn3:75s8 cu2sns3 cu2sn3s7 cu3sns4 , , , ,
cu4sns4 และ cu4sn7s16.2 – 4 ) ในหมู่พวกเขา cu3sns4 ( CTS )
เป็นหนึ่งในวัสดุกึ่งตัวนำซึ่งมีศักยภาพที่จะ
ใช้เซลล์แสงอาทิตย์และเป็น photocatalyst . โดย
ช่องว่างแถบเชิงแสงของวัสดุ CTS ได้รับอิทธิพลจากลักษณะที่แตกต่างกัน
และโครงสร้าง ผลึก ขึ้นไป และประเภทที่แตกต่างกัน
และความเข้มข้นของข้อบกพร่อง หลิน et al . มีโดยประมาณ
ช่องว่างแถบเชิงแสงของ CTS nanocrystals เป็น 1.43 eV ,
มูลค่าที่เหมาะสม 5 ) แปลงพลังงานแสงอาทิตย์