For several applications, highly se

For several applications, highly sensitive interferometers operating in the near infrared (NIR) range are required. In order to obtain an OASLM able to operate at these wavelengths, we investigate the feasibility of achieving such a component by using a III-V semiconductor as a photoconductive layer. After presenting the device and its optical response, we study how the OASLM can be inserted in an AHI setup and the features of the system for optical fiber sensing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการใช้งานหลาย interferometers มีความไวสูงในช่วงอินฟราเรดใกล้ (NIR) จะต้อง เพื่อขอรับการ OASLM สามารถทำงานที่ความยาวคลื่นเหล่านี้ เราตรวจสอบความเป็นไปได้ของการบรรลุเป็นองค์ประกอบโดยใช้สารกึ่งตัวนำที่ III V เป็นชั้น photoconductive หลังจากนำเสนออุปกรณ์และการตอบสนองแสง เราศึกษาวิธี OASLM สามารถใส่ในการตั้งค่า AHI และคุณสมบัติของระบบสำหรับจับใย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการใช้งานหลาย interferometers ความไวสูงในการดำเนินงานในช่วงอินฟราเรด (NIR) ใกล้จะต้อง เพื่อที่จะได้รับการ OASLM สามารถที่จะดำเนินการในช่วงความยาวคลื่นเหล่านี้เราจะตรวจสอบความเป็นไปได้ของการบรรลุเช่นองค์ประกอบโดยใช้ III-V เซมิคอนดักเตอร์เป็นชั้น photoconductive หลังจากที่นำเสนออุปกรณ์และการตอบสนองต่อแสงเราศึกษาวิธีการ OASLM สามารถแทรกในการตั้งค่า AHI และคุณสมบัติของระบบสำหรับการตรวจวัดใยแก้วนำแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับการใช้งานหลาย ๆ ความไวสูง interferometers ปฏิบัติการในช่วงอินฟราเรดใกล้ ( NIR ) จะต้อง เพื่อรับ oaslm สามารถทํางานที่ความยาวคลื่นนี้เราศึกษาความเป็นไปได้ของการบรรลุส่วนประกอบดังกล่าว โดยใช้สารกึ่งตัวนำ iii-v เป็นชั้น photoconductive . หลังจากการนำเสนออุปกรณ์และการตอบสนองต่อแสงของ เราศึกษาว่า oaslm สามารถแทรกลงในการติดตั้งอาและคุณลักษณะของระบบเส้นใยตรวจจับแสง