In the open literature many efforts

In the open literature many efforts have been described which are focussed on the
conversion of the electrodes as described in the previous section to more rigid devices
by applying the glass membranes in a more solid state performance: leafing out the
inner solution and replace it by a solid state contact. For instance sputtering the glass
directly onto a metal electrode. This idea is a mistake, because the basic recipe should
always be to create a cell where all interfaces are thermodynamically well defined and
the Nernst equation can be obeyed. In terms of solid state physics: Fermi levels of
charged species should be able to become equal throughout the whole system. It is
remarkable that solutions to this problem did not come from chemical engineers, but
from electrical engineers and physicists, who are most probably more familiar with
thermodynamic equilibria, as for instance occurring in electronic components with
doped semiconductors, contact potentials etc. Especially the knowledge how to create
a stable interface between silicon and silicon dioxide, as in the case of a MOSFET
device, is of importance. It couples in a stable way an electric field, penetrating the
oxide, to the “electronic world”. In case the outer surface of the oxide is in
equilibrium with an ionic solution in contact with the oxide, the resulting interfacial
potential will modulate the electric field and thus a perfect and stable contact is
provided between the “ionic world” and the “electronic world”. This idea was the first
new concept investigated by the author and received the name ISFET technology.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในวรรณคดีเปิด ความพยายามอธิบายไว้ซึ่งเน้นการการแปลงของอิเล็กโทรดตามที่อธิบายไว้ในส่วนก่อนหน้านี้กับอุปกรณ์ที่เข้มงวดมากขึ้นโดยการใช้เยื่อแก้วในการแสดงสถานะแข็งขึ้น: leafing ออกแก้ปัญหาภายในและแทนมัน ด้วยโซลิดสเตทติดต่อ สปัตเตอร์เช่น แก้วโดยตรงไปยังขั้วโลหะ ความคิดนี้เป็นความผิดพลาด เนื่องจากสูตรพื้นฐานควรจะสามารถ สร้างเซลล์ดี thermodynamically กำหนดอินเทอร์เฟซทั้งหมด และสมการ Nernst สามารถจะเชื่อฟัง ในแง่ของฟิสิกส์สถานะของแข็ง: ระดับพลังงานแฟร์มีชนิดชาร์จควรจะเป็นเท่ากันทั่วทั้งระบบ มันเป็นโดดเด่นที่วิธีแก้ไขปัญหานี้ไม่ได้มาจากวิศวกรเคมี แต่จากวิศวกรไฟฟ้าและนักฟิสิกส์ คือส่วนใหญ่อาจคุ้นเคยกับใครขอบ equilibria เป็นที่เกิดขึ้นในชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ด้วยเช่นเจือสารกึ่งตัวนำ ติดต่อศักยภาพฯลฯ โดยเฉพาะอย่างยิ่งความรู้วิธีสร้างอินเตอร์เฟซมีเสถียรภาพระหว่างซิลิคอนและซิลิกอนไดออกไซด์ เช่นในกรณีของ MOSFETอุปกรณ์ มีความสำคัญ มันคู่รักในทางที่เสถียรสนามไฟฟ้า เจาะออกไซด์ "โลกอิเล็กทรอนิกส์" ในกรณีที่พื้นผิวด้านนอกของออกไซด์อยู่ในสมดุลกับโซลูชั่นไอออนออกไซด์ interfacial ผลติดต่อกับศักยภาพที่จะปรับสนามไฟฟ้า และผู้ติดต่อที่สมบูรณ์แบบ และมีเสถียรภาพจึงระหว่าง "โลกไอออนิก" และ "โลกอิเล็กทรอนิกส์" ไว้ ความคิดนี้เป็นครั้งแรกแนวคิดใหม่การตรวจสอบ โดยผู้เขียน และรับเทคโนโลยี ISFET ชื่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในวรรณคดีเปิดพยายามมากได้รับการอธิบายที่จะเน้นใน
การแปลงขั้วไฟฟ้าที่อธิบายไว้ในส่วนก่อนหน้านี้ไปยังอุปกรณ์ที่เข้มงวดมากขึ้น
โดยใช้เยื่อแก้วในการทำงานของรัฐที่มั่นคงมากขึ้น: leafing ออก
วิธีการแก้ปัญหาภายในและแทนที่ด้วย การติดต่อของรัฐที่มั่นคง ยกตัวอย่างเช่นสปัตเตอร์กระจก
โดยตรงไปยังขั้วไฟฟ้าโลหะ ความคิดนี้เป็นความผิดพลาดเพราะสูตรพื้นฐานควรจะ
เสมอในการสร้างเซลล์ที่เชื่อมต่อทั้งหมดจะ thermodynamically กำหนดไว้อย่างดีและ
สม Nernst สามารถเชื่อฟัง ในแง่ของฟิสิกส์สถานะของแข็ง: ระดับ Fermi ของ
สายพันธุ์ที่เรียกเก็บเงินควรจะสามารถที่จะกลายเป็นที่เท่ากันตลอดทั้งระบบ มันเป็น
ที่น่าสังเกตว่าการแก้ปัญหาที่จะแก้ไขปัญหานี้ไม่ได้มาจากวิศวกรเคมี แต่
จากวิศวกรไฟฟ้าและฟิสิกส์ที่มีส่วนใหญ่อาจจะคุ้นเคยกับ
สมดุลทางอุณหพลศาสตร์สำหรับกรณีที่เกิดขึ้นในชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์กับ
เซมิคอนดักเตอร์เจือศักยภาพการติดต่ออื่น ๆ โดยเฉพาะอย่างยิ่งความรู้ วิธีการสร้าง
อินเตอร์เฟซที่มั่นคงระหว่างซิลิคอนและซิลิคอนไดออกไซด์เช่นในกรณีของมอสเฟตเป็น
อุปกรณ์ที่มีความสำคัญ มันคู่ในทางที่มั่นคงสนามไฟฟ้าเจาะ
ออกไซด์กับ "โลกอิเล็กทรอนิกส์" ในกรณีที่พื้นผิวด้านนอกของออกไซด์อยู่ใน
สมดุลด้วยโซลูชั่นไอออนิกในการติดต่อกับออกไซด์ที่เกิด interfacial
ที่มีศักยภาพจะปรับสนามไฟฟ้าและทำให้การติดต่อที่สมบูรณ์แบบและมีเสถียรภาพจะ
มีให้ระหว่าง "อิออนโลก" และ "โลกอิเล็กทรอนิกส์ " ความคิดนี้เป็นครั้งแรกที่
แนวคิดใหม่การตรวจสอบโดยผู้เขียนและได้รับเทคโนโลยี ISFET ชื่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในวรรณคดีเปิดความพยายามหลายอย่างได้ถูกอธิบายไว้ ซึ่งจะเน้นในการเปลี่ยนแปลงของขั้วไฟฟ้าตามที่อธิบายไว้ในส่วนก่อนหน้านี้ไปยังอุปกรณ์ที่เอาจริงเอาจังมากขึ้นโดยการใช้แก้ว membranes ในการแสดงสถานะของแข็งมากกว่า leafing ออก :โซลูชั่นภายในและแทนที่โดยติดต่อสถานะของแข็ง ตัวอย่างรายงาน แก้วโดยตรงบนขั้วโลหะ ความคิดนี้ผิด เพราะสูตรพื้นฐาน ควรเสมอ เพื่อสร้างเซลล์ใหม่ที่ทุกคนจะ thermodynamically ด้วยกําหนดที่เนินสต์สมการสามารถเชื่อฟัง . ในแง่ของฟิสิกส์สถานะของแข็ง : แฟร์ระดับประจุชนิดควรจะกลายเป็นเท่ากันตลอดทั้งระบบ มันคือน่าจับตาว่า วิธีแก้ไขปัญหานี้ไม่ได้มาจากวิศวกรเคมี แต่จากวิศวกรและนักฟิสิกส์ที่ส่วนใหญ่อาจจะคุ้นเคยกับอุณหพลศาสตร์สมดุล เหมือนเช่นที่เกิดขึ้นในชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ด้วยระบบติดต่อศักยภาพ ฯลฯ โดยเฉพาะอย่างยิ่งความรู้วิธีการสร้างอินเตอร์เฟซและมั่นคงระหว่างซิลิคอนซิลิคอนไดออกไซด์ เช่นในกรณีของ MOSFETอุปกรณ์เป็นสำคัญ มันคู่ในวิธีการที่มั่นคงมีสนามไฟฟ้า , เจาะออกไซด์ เพื่อ " โลก " อิเล็กทรอนิกส์ ในกรณีที่พื้นผิวด้านนอกของออกไซด์คือสมดุลด้วยสารละลายไอออนในการติดต่อกับออกไซด์ ที่เกิดขึ้นระหว่างอาจจะปรับสนามไฟฟ้าและดังนั้นจึงสมบูรณ์แบบและมั่นคงติดต่อคือให้กับโลก " อิออน " และ " โลกอิเล็กทรอนิกส์ " ความคิดนี้เป็นครั้งแรกแนวคิดใหม่ โดยผู้เขียนและได้รับชื่อ isfet เทคโนโลยี