Ti films (600 nm in thickness) were

Ti films (600 nm in thickness) were deposited by RF magnetron sputtering on p-type Si (1 0 0) wafer with 300 nm layer of SiO2. During the process the substrate rotates at 20 rpm and the temperature is maintained about 500 °C using a quartz lamp. The substrate rotation in front of quartz lamp array optimizes both temperature and thin film deposition uniformity. Target of 99.9% Ti was used as the material source. The chamber pressure was maintained at 0.5 Pa during the deposition process. Sputtering was carried with a pure gas argon flowing of 8 cm3/min. The distance between the target and the substrate was 14 cm and the sputtering power was 150 W using RF power supply. Under these conditions, the deposition rate was 2.9 nm/min and a 600 nm thick Ti film was obtained after 210 min [14] and [15].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตี้ฟิล์ม (600 nm ในความหนา) ฝากเงิน โดย magnetron RF พ่นบนชนิดพีซี (1 0 0) แผ่นเวเฟอร์กับ 300 nm ชั้น SiO2 ระหว่าง พื้นผิวการหมุนที่รอบต่อนาทีที่ 20 และอุณหภูมิไว้ประมาณ 500 ° C ใช้หลอดควอตซ์ การหมุนพื้นผิวหน้าหลอดควอตซ์เรย์ปรับอุณหภูมิและความรื่นรมย์สะสมฟิล์มบาง เป้าหมายของ 99.9% ตี้ถูกใช้เป็นแหล่งวัตถุดิบ ความกดดันไม่คงที่ 0.5 ป่าระหว่างการสะสม พ่นได้ทำ ด้วยความบริสุทธิ์ก๊าซอาร์กอนไหลนาที 8 cm3 ระยะห่างระหว่างเป้าหมายกับพื้นผิวได้ 14 ซม. และอำนาจ sputtering ถูก 150 W ใช้ไฟ RF ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้ อัตราสะสมถูก 2.9 nm/min และกล่าวเป็น 600 nm ตี้ฟิล์มหนา 210 นาที [14] และ [15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ Ti (600 นาโนเมตรความหนา) ถูกนำมาฝากโดยสปัตเตอร์ RF magnetron ในชนิดพีศรี (1 0 0) เวเฟอร์ชั้น 300 นาโนเมตรของ SiO2 ในระหว่างกระบวนการพื้นผิวหมุนที่ 20 รอบต่อนาทีและอุณหภูมิจะยังคงอยู่ประมาณ 500 องศาเซลเซียสโดยใช้หลอดควอทซ์ การหมุนพื้นผิวด้านหน้าของอาร์เรย์หลอดควอทซ์เพิ่มประสิทธิภาพทั้งอุณหภูมิและความสม่ำเสมอของพยานฟิล์มบาง เป้าหมายของ 99.9% Ti ถูกใช้เป็นแหล่งข้อมูล ความดันในห้องที่ได้รับการเก็บรักษาไว้ที่ 0.5 ป่าในระหว่างขั้นตอนการสะสม สปัตเตอร์ได้รับการดำเนินการที่มีก๊าซอาร์กอนบริสุทธิ์ที่ไหลจาก 8 cm3 / นาที ระยะห่างระหว่างเป้าหมายและพื้นผิว 14 ซม. และอำนาจสปัตเตอร์เป็น 150 W ใช้แหล่งจ่ายไฟ RF ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้อัตราการสะสมเป็น 2.9 นาโนเมตร / นาทีและภาพยนตร์ Ti 600 นาโนเมตรหนาที่ได้รับหลังจาก 210 นาที [14] และ [15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตีภาพยนตร์ ( 600 ทำไม nm ในหนา ) ฝากเงินโดย RF ตรอนสปัตเตอริงในพีซี ( 1 รึเปล่า 0 รึเปล่า 0 ) เวเฟอร์กับ 300   nm ชั้นของ SiO2 . ในระหว่างกระบวนการพื้นผิวหมุนที่ 20  รอบต่อนาทีและอุณหภูมิคงประมาณ 500  ° C ใช้ควอทซ์ โคมไฟ ฐานรองหมุนหน้าโคมไฟควอตซ์เรย์เพิ่มอุณหภูมิและการเคลือบฟิล์มบางแบบ . เป้าหมายที่ 999 % Ti ถูกใช้เป็นแหล่งวัตถุดิบ ห้องความดันไว้ที่ 0.5 ไหมป่าในระหว่างกระบวนการเคลือบ สนำก๊าซอาร์กอนบริสุทธิ์ไหล 8 รึเปล่า cm3 / นาที ระยะห่างระหว่างเป้าหมายและพื้นผิว 14  ซม. และพลังส 150 ไหม W ใช้จัดหาพลังงาน RF . ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้ สะสมคะแนน 2 .9 ทำไม nm / min และ 600 ทำไม nm หนา Ti ฟิล์มได้หลังจาก 210 รึเปล่ามิน [ 14 ]   และ [ 15 ]