A sensing mechanism in a UV photoco

A sensing mechanism in a UV photoconductive sensor
using ZnO nanostructures is largely influenced by its
surface state. For example, the surface defects of ZnO
may cause carrier trapping, high energy consumption and
slow photoresponse of the sensors.
5,6
It is well known that
nanostructured ZnO synthesised by a solution technique

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กลไกใน photoconductive UV เซนเซอร์ตรวจวัดการใช้ ZnO nanostructures เป็นส่วนใหญ่รับอิทธิพลจากความสถานะพื้นผิว ตัวอย่างเช่น ข้อบกพร่องผิวของ ZnOอาจทำให้ผู้ดักจับ การใช้พลังงานสูง และphotoresponse ช้าของเซ็นเซอร์5,6มันเป็นที่รู้จักกันดีที่nanostructured ZnO synthesised โดยเทคนิคการแก้ปัญหา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กลไกการตรวจวัดในเซ็นเซอร์ photoconductive ยูวี
โดยใช้โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์เป็นส่วนใหญ่ในฟลอริด้าโดย uenced ของ
รัฐพื้นผิว ยกตัวอย่างเช่นข้อบกพร่องที่พื้นผิวของ ZnO
อาจก่อให้เกิดการวางกับดักให้บริการการใช้พลังงานสูงและ
photoresponse ช้าของเซ็นเซอร์.
5,6
เป็นที่รู้จักกันดีว่า
ZnO อิเล็กทรอนิคส์ที่สังเคราะห์โดยใช้เทคนิควิธีการแก้ปัญหา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นกลไกใน photoconductive เซ็นเซอร์ตรวจจับยูวีการใช้นาโนซิงค์ออกไซด์เป็นส่วนใหญ่ในfl uenced โดยของสภาพพื้นผิว ตัวอย่างเช่น ข้อบกพร่องที่พื้นผิวของซิงค์ออกไซด์อาจก่อให้เกิดการใช้พลังงานสูง และphotoresponse ช้าของเซนเซอร์5 , 6มันเป็นที่รู้จักกันดีว่าnanostructured ซิงค์ออกไซด์สังเคราะห์โดยเทคนิค โซลูชั่น