This is diferent from nanosized pol

This is diferent from nanosized polycrystalline materials
that undergo grain deformation from originally contained
stress concentration zones such as the triple junction of grain boundaries. On the contrary, when the crystal vol- ume fraction is high (Fig. 4 (ii)), although the stress distri- bution in the particle is almost uniform in the elastic range (Fig. 4 (ii)(a)), it becomes inhomogeneous after the yield- ing in the amorphous phase (Fig. 4 (ii)(b)). The stress dis- tribution in the particle becomes significant after further deformation (Fig. 4 (ii)(c)), and then inside-particle plas- tic deformation begins. This is because, as deformation of the amorphous block advances, the amorphous layers between neighboring particles become thin and the neigh- boring particle distance becomes very short, resulting in stress concentration around the proximal point of parti- cles. Debonding at the amorphous-crystal interface was not confirmed even after large deformation.
3. 3 Internal structure change in crystal phase
Figure 5 shows the defect distribution in the crystal particle. The local structures were analyzed by common

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี่คือ diferent จากวัสดุตัวรองค ที่รับแมพข้าวจากเดิม ที่มีอยู่ ความเครียดสมาธิเขตเช่นขอบเขตเมล็ดแยกสาม ดอก เมื่อเศษส่วนผลึก vol-ออฟฟิศเป็นสูง (Fig. 4 (ii)), แต่ distri-bution เครียดในอนุภาคเกือบสม่ำเสมอในช่วงยืดหยุ่น (Fig. 4 (ii)(a)) มันกลายเป็นงานหลังอิงผลตอบแทนในระยะไป (4 Fig. (ii)(b)) โรค-tribution ความเครียดในอนุภาคจะสำคัญหลังจากแมพต่อไป (Fig. 4 (ii)(c)) แล้ว การเริ่มต้นของอนุภาคภายใน plas รับผลิตกระป๋องแมพ คือ เป็นแมพของก้าวไปบล็อก ชั้นไประหว่างอนุภาคใกล้เคียงเป็นบาง และเห็น - น่าเบื่ออนุภาคระยะทางจะสั้นมาก ในสมาธิความเครียดรอบจุด proximal parti cles นี้ Debonding ที่อินเทอร์เฟซไปคริสตัลถูกไม่ยืนยันแม้หลังจากแมพใหญ่ 3. การเปลี่ยนแปลงโครงสร้างภายใน 3 ระยะคริสตัล รูปที่ 5 แสดงการแจกแจงความบกพร่องในอนุภาคคริสตัล มีวิเคราะห์โครงสร้างภายใน โดยทั่วไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้แตกต่างจากวัสดุ polycrystalline nanosized ที่ได้รับการเปลี่ยนรูปข้าวจากที่มีอยู่เดิมโซนความเข้มข้นของความเครียดเช่นทางสามแพร่งของข้าวเขตแดน ในทางตรงกันข้ามเมื่อคริสตัล VOL- ส่วนเมะสูง (รูปที่ 4. (ii)) แม้ความเครียดมากมายหลากหลาย distri- ในอนุภาคที่เกือบจะเหมือนกันในช่วงที่มีความยืดหยุ่น (รูปที่ 4. (ii) (ก)) มันจะกลายเป็น inhomogeneous หลังจากที่ไอเอ็นจี yield- ในระยะสัณฐาน (รูปที่ 4. (ii) (ข)) ความเครียด tribution ปรากฏในอนุภาคจะกลายเป็นอย่างมีนัยสำคัญหลังจากการเสียรูปต่อไป (รูปที่. 4 (ข) (ค)) แล้วพลาภายในอนุภาคเปลี่ยนรูปกระตุกเริ่มต้น นี้เป็นเพราะเป็นความผิดปกติของความก้าวหน้าบล็อกสัณฐานชั้นสัณฐานระหว่างอนุภาคเพื่อนบ้านกลายเป็นบางและระยะทางที่อนุภาคฮี้น่าเบื่อกลายเป็นสั้นมากส่งผลให้ความเข้มข้นของความเครียดรอบจุดใกล้เคียงของ Cles พาร์ทิชัน Debonding ที่อินเตอร์เฟซสัณฐานคริสตัลไม่ได้รับการยืนยันแม้หลังจากการเสียรูปขนาดใหญ่. 3 3 การเปลี่ยนแปลงโครงสร้างภายในในระยะคริสตัลรูปที่5 แสดงการกระจายความบกพร่องในอนุภาคคริสตัล โครงสร้างท้องถิ่นวิเคราะห์ร่วมกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้จะแตกต่างกันจากวัสดุที่ผ่านการ nanosized polycrystalline
เม็ดจากเดิมที่มีอยู่
ความเครียดสมาธิโซน เช่น ทางสามแพร่งของขอบเกรน ในทางตรงกันข้าม เมื่อคริสตัล Vol - เศษส่วนอุเมะสูง ( รูปที่ 4 ( II ) ) แม้ว่าความเครียด distri - bution ในอนุภาคเกือบสม่ำเสมอในช่วงยืดหยุ่น ( รูปที่ 4 ( 2 ) ( 1 ) )มันกลายเป็น inhomogeneous หลังผลผลิตอุตสาหกรรมในช่วงอสัณฐาน ( รูปที่ 4 ( 2 ) ( b ) ความเครียดจาก tribution ในอนุภาคกลายเป็นอย่างมีนัยสำคัญหลังจากการต่อไป ( รูปที่ 4 ( 2 ) ( c ) ) , และจากนั้น ข้างในพลาส - อนุภาค TIC การเริ่มต้น นี้เป็นเพราะความผิดปกติของความก้าวหน้าบล็อกอสัณฐาน ,ชั้นไประหว่างอนุภาคข้างเคียงจะผอมและน่าเบื่อกลายเป็นอนุภาคฮี้ - ระยะทางสั้นมาก ส่งผลให้เกิดความเครียดสมาธิรอบจุดการทำงานของพรรค - cles . การหลุดล่อนที่อินเตอร์เฟซคริสตัลไป ไม่ได้รับการยืนยันหลังจากการเสียรูปขนาดใหญ่
3 การเปลี่ยนแปลงโครงสร้างภายใน 3 เฟส
คริสตัลรูปที่ 5 แสดงให้เห็นถึงข้อบกพร่องของการกระจายในคริสตัลอนุภาค โครงสร้างภายใน วิเคราะห์โดยทั่วไป