Make sure that the inside of the ma

Make sure that the inside of the machine is very clean too and that the gas flow - the gas you introduce but also the SiO coming from the molten Si because parts of the crucible dissolve - does not interfere with the growing crystal.
Dissolve the Si in the crucible and keep its temperature close to the melting point. Since you cannot avoid temperature gradients in the crucible, there will be some convection in the liquid Si. You may want to suppress this by big magnetic fields.
Insert your seed crystal, adjust the temperature to "just right", and start withdrawing the seed crystal. For homogeneity, rotate the seed crystal and the crucible. Rotation directions and speeds and their development during growth, are closely guarded secrets!
First pull rather fast - the diameter of the growing crystal will decrease to a few mm. This is the "Dash process" ensuring that the crystal will be dislocation free even though the seed crystal may contain dislocations.
Now decrease the growth rate - the crystal diameter will increase - until you have the desired diameter and commence to grow the commercial part of your crystal at a few mm/second.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตรวจสอบให้แน่ใจว่า ภายในเครื่องสะอาดเกินไป และว่า การไหลของก๊าซ -ก๊าซที่คุณแนะนำแต่ยังยืนยันตัว้มาจากศรีหลอมละลายเนื่องจากส่วนของเบ้าหลอมละลาย - ไม่รบกวนกับผลึกเติบโต ละลายสีในเขา และรักษาอุณหภูมิใกล้จุดหลอมเหลว เนื่องจากคุณไม่สามารถหลีกเลี่ยงการไล่ระดับสีอุณหภูมิใจกลาง จะมีบางการพาความร้อนในของเหลวใน คุณอาจต้องการระงับนี้ โดยสนามแม่เหล็กใหญ่ ใส่คริสตัลเมล็ดของคุณ ปรับอุณหภูมิไปที่ "เหมาะสม" และเริ่มถอนคริสตัลเมล็ด สำหรับ homogeneity หมุนคริสตัลเมล็ดและเบ้าหลอม ทิศทางการหมุน และความเร็ว และการพัฒนาในระหว่างการเจริญเติบโต เป็นความลับที่รักษาความปลอดภัยอย่างใกล้ชิด แรกดึงค่อนข้างรวดเร็ว - เส้นผ่าศูนย์กลางของผลึกเติบโตลดลงกี่ mm นี่คือ "ประกระบวนการ" สร้างความมั่นใจว่า คริสตัลจะเน้นเกี่ยวกับฟรีแม้ว่าคริสตัลเมล็ดอาจประกอบด้วย dislocations ตอนนี้ ลดอัตราการเติบโต -เพิ่มเส้นผ่านศูนย์กลางคริสตัล - จน กว่าคุณมีเส้นที่ต้องการเริ่มการปลูกเชิงพาณิชย์ส่วนของคริสตัลของคุณที่ไม่กี่มิลลิเมตร/วินาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตรวจสอบให้แน่ใจว่าภายในของเครื่องที่สะอาดมากเกินไปและว่าการไหลของก๊าซ - ก๊าซธรรมชาติที่คุณแนะนำ แต่ยัง SiO มาจากหลอมเหลวศรีเพราะส่วนของเบ้าหลอมละลาย - ไม่ยุ่งเกี่ยวกับคริสตัลเจริญเติบโต.
ละลายศรีใน เบ้าหลอมและรักษาอุณหภูมิของมันใกล้กับจุดหลอมละลาย เนื่องจากคุณไม่สามารถหลีกเลี่ยงการไล่ระดับสีอุณหภูมิในเบ้าหลอมจะมีการพาความร้อนบางส่วนในของเหลวศรี คุณอาจต้องการที่จะระงับการนี้โดยสนามแม่เหล็กขนาดใหญ่.
ใส่คริสตัลเมล็ดของคุณปรับอุณหภูมิให้ "เพียงขวา" และเริ่มถอนคริสตัลเมล็ด สำหรับความเป็นเนื้อเดียวกันหมุนคริสตัลเมล็ดและเบ้าหลอม ทิศทางการหมุนและความเร็วและการพัฒนาของพวกเขาระหว่างการเจริญเติบโตจะมีการรักษาอย่างใกล้ชิดความลับ!
ดึงแรกค่อนข้างรวดเร็ว - เส้นผ่าศูนย์กลางของคริสตัลที่เติบโตจะลดลงไปไม่กี่มิลลิเมตร นี่คือ "กระบวนการรีบ" มั่นใจว่าคริสตัลจะคลาดเคลื่อนฟรีแม้ว่าคริสตัลเมล็ดอาจมีผลกระทบ.
ตอนนี้ลดอัตราการเจริญเติบโต - เส้นผ่าศูนย์กลางคริสตัลจะเพิ่มขึ้น - จนกว่าคุณจะมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางที่ต้องการและเริ่มที่จะเติบโตเป็นส่วนหนึ่งในเชิงพาณิชย์ของ คริสตัลของคุณในไม่กี่มิลลิเมตร / วินาที