After formation of GΩ-resistance se

After formation of GΩ-resistance seals, whole-cell configuration was established, and currents were measured at a holding potential of −60 mV, using an Axopatch 200B amplifier (Molecular Devices, Union City, CA). Current-voltage ramp relations
were recorded using voltage ramps from −100 to +100 mV with a duratron of 0.8 s. Data were collected and analyzed with the pClamp 9.0 software. Measurements were performed at room temperature (~22°C).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากการก่อตัวของสัญลักษณ์ต่อต้าน GΩ ตั้งค่าคอนฟิกทั้งหมดเซลล์ก่อตั้ง และกระแสที่วัดได้อาจถือของ −60 mV ใช้เพาเวอร์แอมป์ 200B Axopatch (อุปกรณ์โมเลกุล ยูเนี่ยนซิตี้ CA) ความสัมพันธ์ทางลาดของแรงดันไฟฟ้ากระแสบันทึกการใช้แหล่งแรงดันจาก −100 100 mV กับ duratron ของ 0.8 s ได้ข้อมูลถูกรวบรวม และวิเคราะห์ ด้วยซอฟต์แวร์ pClamp 9.0 มีดำเนินการวัดที่อุณหภูมิห้อง (~ 22° C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากที่ขบวนของแมวน้ำGΩต้านทานการกำหนดค่าทั้งมือถือเป็นที่ยอมรับและกระแสการวัดที่มีศักยภาพในการถือครอง -60 mV โดยใช้เครื่องขยายเสียง Axopatch 200B (โมเลกุลอุปกรณ์ยูเนียนซิตี, แคลิฟอร์เนีย) ทางลาดปัจจุบันแรงดันความสัมพันธ์ที่ถูกบันทึกไว้โดยใช้ทางลาดแรงดันไฟฟ้าจาก -100 ถึง 100 mV กับ Duratron 0.8 วินาที
เก็บรวบรวมข้อมูลและวิเคราะห์ด้วยซอฟต์แวร์ pClamp 9.0 วัดได้ดำเนินการที่อุณหภูมิห้อง (~ 22 ° C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากการก่อตัวของ G Ω - ผนึกต้านทานค่าทั้งเซลล์ก่อ และกระแสเป็นวัดที่ถือศักยภาพของ− 60 มิวสิควีดีโอ ใช้ axopatch 200B เครื่องขยายเสียง ( อุปกรณ์ , Union City , CA โมเลกุล )
แรงดันไฟฟ้าทางลาดความสัมพันธ์ในปัจจุบันที่ถูกบันทึกไว้โดยใช้แรงดันไฟฟ้าทางลาดจาก− 100 ถึง 100 MV กับ duratron 0.8 วินาที เก็บรวบรวมข้อมูล และวิเคราะห์ข้อมูลด้วย pclamp 9.0 ซอฟแวร์วัดได้ในอุณหภูมิห้อง ( ~ 22 ° C )