by the polarization effect,negative

by the polarization effect,negative charges are left on the front surface of the n-type silicon cell, enhancing front surface recombination between electron and hole at the surface (20)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยผลโพลาไรซ์ ลบค่าใช้จ่ายเหลืออยู่บนผิวด้านหน้าของ n-type ซิลิคอนเซลล์ เสริมการรวมตัวกันที่ผิวหน้าระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมที่พื้นผิว (20)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยผลโพลาไรซ์, ประจุลบจะถูกทิ้งไว้บนพื้นผิวด้านหน้าของเซลล์ซิลิคอนชนิดเอ็นที่เพิ่ม recombination พื้นผิวด้านหน้าระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมที่พื้นผิว (20)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยระดับผลกระทบค่าลบเป็นซ้ายบนพื้นผิวด้านหน้าของซิลิคอนเซลล์ทั่วไป , การเพิ่มพื้นผิวด้านหน้าระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมที่ผิว ( 20 )