where Ra and Rd are the rates of ad

where Ra and Rd are the rates of adsorption and desorption, respectively; Ea and Ed are the activation energies of adsorption and desorption, respectively; T is the temperature; K and Kare the adsorption or desorption rate constants;  is the fraction of surface occupancy; f() is a function related to surface vacancy, (1 − );and f() is a function related to surface occupancy (). Based on the above equations, Ra increases with increasing gas pressure and function of surface vacancy, whereas it decreases with higher activation energy of adsorption. Rd increases with increasing desorption temperature and function of surface occupancy, whereas it decreases with higher activation energy of desorption [38]. As a result, thermal annealing is favorable for desorption, thus enhancing the recovery of the sensors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Ra และถนนอัตราการดูดซับและการ desorption ตามลำดับ Ea และ Ed มีพลังงานเปิดใช้งานของการดูดซับและการ desorption ตามลำดับ T คือ อุณหภูมิ มีการดูดซับ หรือ desorption ค่าคงที่อัตรา K และ K เป็นเศษส่วนของพักผิว f ()คือ ฟังก์ชันที่เกี่ยวข้องกับตำแหน่งว่างพื้นผิว, (1 −); และ(f)คือ ฟังก์ชันที่เกี่ยวข้องกับ()สำหรับผิว ตามสมการข้างต้น Ra เพิ่มขึ้นกับความดันของแก๊สเพิ่มขึ้นและการทำงานของตำแหน่งว่างพื้นผิว ในขณะที่มันลดกับพลังงานกระตุ้นที่สูงของดูดซับ ถนนเพิ่มกับเพิ่ม desorption อุณหภูมิและฟังก์ชันสำหรับผิว ในขณะที่มันลดกับพลังงานกระตุ้นที่สูงของ desorption [38] ดัง การอบเหนียวระบายความร้อนได้ดีสำหรับ desorption จึง เพิ่มการฟื้นตัวของเซนเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ราถและมีอัตราการดูดซับตามลำดับ; Ea และเอ็ดเป็นพลังกระตุ้นการทำงานของการดูดซับและคายตามลำดับ; T คืออุณหภูมิ; ? K และ K มีการดูดซับหรือคายอัตราคงที่; ? เป็นส่วนหนึ่งของการเข้าพักพื้นผิว; (?) ฉฟังก์ชั่นที่เกี่ยวข้องกับพื้นผิวที่ว่าง (1? -);? (?) และฉเป็นหน้าที่ที่เกี่ยวข้องกับพื้นผิวการเข้าพัก (ที่?) ขึ้นอยู่กับสมการข้างต้น Ra เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มความดันก๊าซและฟังก์ชั่นที่มีตำแหน่งว่างพื้นผิวในขณะที่มันลดลงด้วยพลังงานกระตุ้นที่สูงขึ้นของการดูดซับ ถนนเพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นและคายฟังก์ชั่นของการเข้าพักพื้นผิวในขณะที่มันลดลงด้วยพลังงานกระตุ้นที่สูงขึ้นของการคาย [38] เป็นผลให้การอบความร้อนเป็นอย่างดีสำหรับการคายจึงเพิ่มการฟื้นตัวของเซ็นเซอร์ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่เฮรา RD มีอัตราของการดูดซับและปลดปล่อยตามลำดับ ; EA ) และมีการกระตุ้นพลังของการดูดซับและปลดปล่อยตามลำดับ ; t คืออุณหภูมิ K และ K  เป็นค่าคงที่อัตราการคายการดูดซับหรือ ;  คือสัดส่วนของการพักผิว ; F (  ) เป็นฟังก์ชันที่เกี่ยวข้องกับพื้นผิวที่ว่าง ( 1  − ) และ F  (  ) เป็นฟังก์ชันที่เกี่ยวข้องกับการครอบครองพื้นผิว (  )จากสมการข้างต้น เพิ่มราเพิ่มความดันก๊าซ และฟังก์ชันของพื้นผิวว่าง ในขณะที่มันลดลงด้วยการกระตุ้นพลังงานที่สูงของการดูดซับ ถนนเพิ่มขึ้น เมื่ออุณหภูมิและฟังก์ชันของพื้นผิวการปลดปล่อย ในขณะที่มันลดลงด้วยการปลดปล่อยพลังงานสูง [ 38 ] ผลอ่อนเป็นอย่างดีสำหรับการคายความร้อน ,ดังนั้นการส่งเสริมการฟื้นตัวของเซ็นเซอร์