Chemical vapor deposition In chemic

Chemical vapor deposition
In chemical vapor deposition the thin film is formed from one or more gas phase components. Either a compound decomposes to form the film or a reactions between gas components as takes place on form, Invariably the CVD reactions are surface catalyzed, preferentially taking place on the surface of wafers inserted into the gas stream. In-use CVD processes fall into one of three general categories. They are atmospheric pressure ( APCVD or simply CVD ). low-pressure (LPCVD). and plasma-enhanced (PECVD) pro-cesses. Atmospheric pressure depositions can be performed in relatively simple systems. Low-pressure often offers comparable kinetics with improved uniformity and less gas consumption. In plasma CVD the electrons in the plasma impart energy to the reaction gases,thereby enhancing the reactions and permitting very low deposition temperatures.
CVD reactors come in a variety of shapes and configurations; an example configuration employed in AP/LPCVD depositions is pictured in Fig. 4.14. CVD processing is routinely used to produce the masking and intermetallic films required in the formation of complex ICs. Polyerystalline Si. which functions as a pseudo-metal when heavily doped. is also deposited employing atmospheric and low-pressure CVD.APCVD. LPCVD. and PECVD are all typically used at some point in an IC process flow

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมไอสารเคมี ในการสะสมไอสารเคมี ฟิล์มบางจะเกิดขึ้นจากอย่าง น้อยหนึ่งส่วนเฟสก๊าซ ทั้งสารสลายตัวไปฟิล์มหรือปฏิกิริยาระหว่างส่วนประกอบของก๊าซเป็นเวลาวางบนฟอร์มฟอร์ม คงเส้นคงวาปฏิกิริยา CVD มีกระบวน พื้นผิวก่อนการวางบนพื้นผิวของเวเฟอร์ที่แทรกเข้าไปในกระแสก๊าซ กระบวนการ CVD ใช้ตกอยู่ในหนึ่งในสามประเภททั่วไป พวกเขาเป็นความดันบรรยากาศ (APCVD หรือเพียง CVD) แรงดันต่ำ (LPCVD) และเพิ่มพลา pro-cesses (PECVD) ความดันบรรยากาศ depositions สามารถดำเนินการในระบบค่อนข้างง่าย แรงดันต่ำมักจะเทียบจลนพลศาสตร์ มีความสม่ำเสมอมากขึ้นและ...ใช้ก๊าซน้อยกว่า ในพลาสมา CVD อิเล็กตรอนในพลาสม่าบอกพลังงานก๊าซปฏิกิริยา จึงเสริมปฏิกิริยา และอุณหภูมิต่ำมากสะสมเอื้ออำนวย เตาปฏิกรณ์ CVD มาในหลากหลายรูปทรงและการกำหนดค่า การกำหนดค่าตัวอย่างที่ใช้ใน AP/LPCVD depositions คือ pictured ในรูป 4.14 CVD การประมวลผลที่ใช้เป็นประจำในการผลิตฟิล์มกาว และ intermetallic ที่จำเป็นในการก่อตัวของ ICs ที่ซับซ้อน ศรี Polyerystalline ซึ่งทำหน้าที่เป็นโลหะหลอกเมื่อเจือมาก คือยังฝากจ้าง CVD บรรยากาศ และแรงดันต่ำ APCVD LPCVD และ PECVD ทั้งหมดมักจะใช้ในบางจุดในการไหลของกระบวนการ IC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สะสมไอเคมี
ในไอสารเคมีสะสมฟิล์มบางจะเกิดขึ้นจากหนึ่งหรือมากกว่าส่วนประกอบก๊าซ ทั้งสารสลายตัวไปในรูปแบบภาพยนตร์หรือปฏิกิริยาระหว่างส่วนประกอบก๊าซเป็นจะเกิดขึ้นในรูปแบบคงเส้นคงวาปฏิกิริยา CVD มีพื้นผิวเร่งปฏิกิริยาพิเศษที่เกิดขึ้นบนพื้นผิวของช็อคโกแลตที่ใส่เข้าไปในกระแสก๊าซ ในการใช้กระบวนการ CVD ตกอยู่ในหนึ่งในสามประเภททั่วไป พวกเขามีความดันบรรยากาศ (APCVD หรือเพียง CVD) ความดันต่ำ (LPCVD) และพลาสม่าที่เพิ่มขึ้น (PECVD) Pro-cesses สะสมความดันบรรยากาศสามารถดำเนินการในระบบค่อนข้างง่าย ความดันต่ำมักจะเสนอจลนพลศาสตร์เทียบเคียงกับความสม่ำเสมอดีขึ้นและปริมาณการใช้ก๊าซน้อย ในซีวีดีพลาสม่าอิเล็กตรอนในพลาสมาบอกพลังงานก๊าซปฏิกิริยาจึงเพิ่มปฏิกิริยาและการอนุญาตให้อุณหภูมิของพยานที่ต่ำมาก.
เครื่องปฏิกรณ์ CVD มาในความหลากหลายของรูปทรงและการกำหนดค่า; การกำหนดค่าตัวอย่างที่ใช้ในการสะสม AP / LPCVD เป็นภาพในรูป 4.14 การประมวลผล CVD ใช้เป็นประจำในการผลิตกาวและภาพยนตร์ intermetallic จำเป็นต้องใช้ในการก่อตัวของความซับซ้อนของวงจรรวม Polyerystalline ศรี ซึ่งทำหน้าที่เป็นหลอกโลหะหนักเมื่อเจือ นอกจากนี้ยังจะฝากจ้าง CVD.APCVD บรรยากาศและความดันต่ำ LPCVD และ PECVD ทุกคนมักจะใช้ที่จุดในการไหลของกระบวนการ IC บาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สะสมไอเคมีในไอสารเคมีสะสมบางภาพยนตร์ถูกสร้างขึ้นจากหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งองค์ประกอบระยะก๊าซ ให้สารสลายตัวในรูปแบบภาพยนตร์หรือปฏิกิริยาระหว่างส่วนประกอบของก๊าซที่ใช้สถานที่บนฟอร์มคงเส้นคงวาซีวีดีปฏิกิริยาเร่ง preferentially พื้นผิว , ที่เกิดขึ้นบนพื้นผิวของเวเฟอร์สอดแทรกเข้าไปในก๊าซสายธาร ในการใช้กระบวนการ CVD ตกอยู่ในหนึ่งในสามประเภททั่วไป พวกเขามีความดันบรรยากาศ ( apcvd หรือเพียงแค่ CVD ) แรงดันต่ำ ( lpcvd ) และพลาสมาเพิ่มขึ้น ( pecvd ) โปร cesses . Depositions ความดันบรรยากาศ สามารถดำเนินการในระบบที่ค่อนข้างง่าย ความดันต่ำ มักจะเสนอเปรียบเทียบจลนศาสตร์ด้วยการปรับปรุงความสม่ำเสมอและน้อยกว่าปริมาณก๊าซ ในพลาสมาซีวีดีอิเล็กตรอนในพลาสมาถ่ายทอดพลังงานปฏิกิริยาก๊าซ จึงเพิ่มปฏิกิริยาและการอนุญาตให้มีอุณหภูมิต่ำมากเครื่องปฏิกรณ์เพิ่มขึ้นมาในหลากหลายรูปทรงและรูปแบบ ; ตัวอย่างการตั้งค่าที่ใช้ใน AP / lpcvd Depositions เป็น pictured ในรูปที่ 4.14 . แปรรูปหมูที่ถูกใช้ในการผลิตกาวและฟิล์มชนิดที่จำเป็นในการก่อตัวของ ICS ที่ซับซ้อน polyerystalline ศรี . ซึ่งทำหน้าที่เป็นโลหะเทียมเมื่อหนักด้วย . ก็ฝากใช้บรรยากาศและความดันต่ำ cvd.apcvd . lpcvd . pecvd ทั้งหมดและมักจะใช้ในบางจุดในกระบวนการไหล ไอซี