Growth of hexagonally faceted ZnO n

Growth of hexagonally faceted ZnO nanorods with
high density were carried out on Si (100) and sapphire
(0001) substrates by using thermal evaporation of Zn
powder in oxygen ambient. Schematic diagram of the
apparatus used for the growth of the ZnO nanorods
is shown in Fig. 1. Zn powder (4N) of about 2 g was
put in an alumina boat and the organically cleaned Si
and sapphire substrates were placed with face down
direction on the boat at ∼5 mm above the Zn powder.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเจริญเติบโตของเหลี่ยมเพชรพลอยแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ hexagonally
ที่มีความหนาแน่นสูงได้รับการดำเนินการในศรี(100) และพลอย
(0001)
พื้นผิวโดยใช้การระเหยความร้อนของสังกะสีผงออกซิเจนโดยรอบ แผนภาพของอุปกรณ์ที่ใช้สำหรับการเจริญเติบโตของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์แสดงในรูป 1. ผงสังกะสี (4N) ประมาณ 2 กรัมถูกใส่ในเรืออลูมิเนียมและทำความสะอาดอินทรีย์ศรีและพื้นผิวไพลินถูกวางคว่ำหน้ากับทิศทางบนเรือที่~5 มมเหนือผงสังกะสี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเจริญเติบโตของ hexagonally เหลี่ยมเพชรพลอยที่มีความหนาแน่นสูงของสังกะสีออกไซด์ nanorods
ทดลองบนศรี ( 100 ) และ ไพลิน
( 0001 ) พื้นผิวโดยใช้การระเหยความร้อนสังกะสี
ผงในอากาศแวดล้อม แผนภาพของ
เครื่องมือสำหรับการเจริญเติบโตของ ZnO nanorods
แผนผังแสดงในรูปที่ 1 กำมะถันผง ( 4N ) ประมาณ 2 G
ใส่เรืออลูมินาและอินทรีย์ทำความสะอาดศรี
และ ไพลิน พื้นผิวถูกวางไว้หน้าลง
ทิศทางบนเรือที่∼ 5 มม. เหนือสังกะสีผง